"Письма в журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Электрофизические свойства наноструктур Si/SiO2, полученных методом прямого сращивания
Гисматулин A.A.1,2, Камаев Г.Н.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск
2Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
Email: anjgis@yandex.ru
Поступила в редакцию: 4 февраля 2016 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2016 г.

Представлены результаты экспериментальных исследований диодных структур n++-p++-Si со встроенным на границу раздела туннельно-тонким SiO2 с нанокластерами Si, полученных методом прямого сращивания. Выявлено наличие мемристорного эффекта с биполярным режимом переключения. Введение в диэлектрик нанокластеров Si понижает случайный характер возникновения проводящего канала. На ВАХ наблюдаются промежуточные метастабильные состояния, что может оказаться важным для мультибитного хранения данных.
  • Borghetti J., Snider G.S., Kuekes P.J., Yang J.J., Stewart D.R., Williams R.S. // Nature. 2010. V. 464. P. 873--876
  • Joshua J. Yang, Dmitri B. Strukov, Duncan R. Stewart // Nature Nanotechnol. 2013. V. 8. P. 13--24
  • Chua L.O. // Appl. Phys. A. 2011. V. 102. P. 765--783
  • Храповицкая Ю.В., Маслова Н.Е., Занавескин М.Л. // Наука и образование. 2013. N 12. С. 329--366
  • Jae Sung Lee, Shinbuhm Lee, Tae Won Noh // Appl. Phys. Rev. 2015. V. 2. P. 031 303
  • Chen J.-Y., Hsin C.-L., Huang C.W., Chiu C.-H., Huang Y.-T., Lin S.-J., Wu W.-W., Chen L.-J. // Nano Lett. 2013. V. 13. P. 3671
  • Gun Hwan Kim, Jong Ho Lee, Jeong Hwan Han et al. // Appl. Phys. Lett. 2012. V. 100. P. 213 508
  • O'Kelly C., Fairfield J.A., Boland J.J. / ACS Nano. 2014. V. 8. Iss. 11. P. 11 724--11 729
  • Аверкин С.Н., Валиев К.А., Мяконьких А.В. и др. // Труды Физико-технологического института РАН. 2005. T. 18. С. 121--137
  • Антоненко А.Х., Володин В.А., Ефремов М.Д., Зазуля П.С., Камаев Г.Н., Марин Д.В. // Автометрия. 2011. Т. 45. N 5. С. 52--58
  • Камаев Г.Н., Ефремов М.Д., Антоненко А.Х., Володин В.А., Аржанникова С.А., Марин Д.В., Гисматулин А.А. // Вестник НГУ. Сер.: Физика. 2011. Т. 6. В. 4. С. 107--114
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.