Физика твердого тела
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Влияние слабого внешнего электрического поля на кинетику упорядочения сегнетоэлектриков при фазовых переходах первого рода
1Институт физики горных процессов НАН Украины, Днепропетровск, Украина
2Донецкий физико-технический институт им. А.А. Галкина, Донецк, Украина
2Донецкий физико-технический институт им. А.А. Галкина, Донецк, Украина
Email: listef25911@rambler.ru
Поступила в редакцию: 12 января 2016 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2016 г.
На примере кристаллов нитрита натрия (NaNO2), испытывающих сегнетоэлектрический фазовый переход первого рода типа порядок-беспорядок, в рамках феноменологической модели Гинзбурга-Ландау рассмотрена кинетика формирования и роста 180o доменов в слабом квазистационарном внешнем электрическом поле. Проанализировано влияние скорости и температуры закалки, а также напряженности внешнего электрического поля на последующую эволюцию системы к состоянию термодинамического равновесия. Показано, что, используя слабое внешнее электрическое поле, прикладываемое к сегнетоэлектрику после закалки, можно получать как монодоменные, так и полидоменные структуры упорядочения. При некоторых значениях напряженности электрического поля, приложенного к сегнетоэлектрику после закалки, возможно формирование неравновесных ("виртуальных") полидоменных структур асимметричного вида. Аналогичного эффекта можно достичь, варьируя глубину закалки сегнетоэлектрика. Установлено, что если размер сформировавшихся на стадии закалки неоднородностей параметра порядка не превышает некоторую критическую величину, то их можно частично или полностью переориентировать в домены противоположного знака. Для этого послезакалочную релаксацию следует проводить во внешнем электрическом поле соответствующего знака.
- Б.А. Струков, А.П. Леванюк. Физические основы сегнетоэлектрических явлений в кристаллах. Наука, М. (1995). 320 c
- И.С. Желудев. Основы сегнетоэлектричества. Атомиздат, М. (1973). 471 с
- L.E. Cross, R.C. Pohanka. J. Appl. Phys. 39, 3992 (1958)
- S.P. Alpay, Z.-G. Ban, J.V. Mantese. J. Appl. Phys. Lett. 82, 1269 (2003)
- V.Ya. Shur, E.L. Rumyantsev. Ferroelectrics 191, 319 (1997)
- В.В. Колесников, А.Т. Козаков, А.В. Никольский. ФТТ 42, 141 (2000)
- J. Kaupuv zs, J. Rimshans, N.F. Smyth. Model. Simul. Mater. Sci. Eng. 16, 065 004 (2008)
- В.Я. Шур, Е.В. Николаева, Е.И. Шишкин, В.Л. Кожевников, А.П. Черных. ФТТ 44, 2055 (2002)
- С.А. Кукушкин, М.А. Захаров. ФТТ 44, 2193 (2002)
- С.А. Кукушкин, А.В. Осипов. ФТТ 43, 312 (2001)
- О.Ю. Мазур, Л.И. Стефанович, В.М. Юрченко. ФТТ 57, 562 (2015)
- О.Ю. Мазур, Л.И. Стефанович, В.М. Юрченко. ФТТ 57, 1358 (2015)
- S. Sawada, S. Nomura, S. Fujii, I. Yoshida. Phys. Rev. Lett. 1, 320 (1958)
- В.Н. Беломестных, Е.П. Теслева. Изв. Томск. политехн. ун-та 307, 11 (2004)
- P. Ravindran, A. Delin, B. Johansson, O. Eriksson. Phys. Rev. B 59, 1776 (1999)
- В.С. Горелик, А.Ю. Пятнышев, А.С. Крылов. ФТТ 58, 163 (2016)
- Л.Д. Ландау, И.М. Халатников. ДАН СССР 96, 469 (1954)
- Л.И. Стефанович. ФНТ 24, 856 (1998)
- А.А. Андронов, Е.А. Леонтович, И.И. Гордон, А.Г. Майер. Качественная теория динамических систем второго порядка. Физматгиз, М. (1966). 568 с
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
