"Журнал технической физики"

Издателям

Статистика

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2018
- 1 2 3 4 5
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Прохождение электромагнитных излучений через тонкие пленки Cu

Министерство высшего и среднего специального образования Республики Узбекистан, Прикладные исследования, А-4-7

Академия наук Республики Узбекистан, Фундаментальная , ФА-Ф2-Ф161

Эргашов Ё.С.

¹, Исаханов З.А. ², Умирзаков Б.Е.

^1,3

¹Ташкентский государственный технический университет им. Абу Райхана Беруни, Ташкент, Узбекистан
²Институт ионно-плазменных и лазерных технологий АH Республики Узбекистан, Ташкент, Узбекистан
³Институт ионно-плазменных и лазерных технологий АН Республики Узбекистан, Ташкент, Узбекистан

Email: yergashev@mail.ru, isakhanov@aie.uz, ftmet@rambler.ru

Поступила в редакцию: 13 января 2015 г.

Выставление онлайн: 20 мая 2016 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Впервые методом прохождения света исследована электронная структура наноразмерных фаз Cu, полученных на поверхности монокристаллического NaCl (100) методом высоковакуумного напыления. Показано, что нанопленки Cu с толщиной 1-1.5 monolayer обладают свойствами, характерными для узкозонных полупроводников.

Болтаев А.П., Пудонин Ф.А. // ЖЭТФ. 2006. Т. 130. N 3. С. 2008

Пул Ч., Оуэнс Ф. Нанотехнологии / Пер. с анг. под. ред. Ю.И. Головина. М.: Техносфера, 2004. 376 с

Wang, Liu L., Kim Y., Huang Z., Pantel D., Hesse D., Alexe M. // Appl. Phys. Lett. 2011. Vol. 98. N 243, P. 243

Болтаев А.П., Пудонин Ф.А. // ЖЭТФ. 2008. Т. 134. N 3. С. 587

Гусев А.И. Наноматериалы, наноструктуры, нанотехнологии. М.: Физматлит, 2005. 416 с

Громов Д.Г., Пятилова О.В., Булярский С.В., Белов А.Н., Раскин А.А. // ФТТ. 2013. Т. 55. Вып. 3. С. 562

Алиев А.А., Исаханов З.А., Мухтаров З.Э., Рузибаева М.К. // ЖТФ. 2010. Т. 80. Вып. 1. С. 110--116

Isakhanov Z.A., Ruzibaeva M.K., Umirzakov B.E., Kurbanov R. // J. Surface Investigation. 2011. Vol. 5. N 4. P. 769

Алиев А.А. Арипов Х.А. // Радиотехника и электроника. 1983. Вып. 10. С. 2014--2020

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель