Вышедшие номера
Квантовые точки InAs/GaAs, выращенные капельным методом в условиях мос-гидридной эпитаксии
Сурнина М.А.1, Акчурин Р.Х.1, Мармалюк А.А.2,3, Багаев Т.А.3, Сизов А.Л.
1Институт тонких химических технологий Московского технологического университета, Москва
2Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Москва, Россия
3ООО "Сигм Плюс", Москва, Россия
Поступила в редакцию: 4 марта 2016 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2016 г.

Представлены результаты формирования квантовых точек (КТ) InAs на подложках GaAs (100) капельным методом с использованием в качестве прекурсоров триметилиндия (ТМIn) и арсина (AsH3). Процессы роста осуществляли при температурах 230-400oC в реакторе установки МОС-гидридной эпитаксии (МОСГЭ) горизонтального типа с использованием высокочистого водорода в качестве газа-носителя. Приведены данные по влиянию температуры процесса на геометрические размеры и плотность массива КТ и результаты исследования низкотемпературной фотолюминесценции полученных образцов.