Издателям
Вышедшие номера
Отклик емкости и диэлектрических потерь пленочной гетероструктуры SrRuO3/SrTiO3/SrRuO3 на изменение температуры и электрическое поле
Бойков Ю.А.1, Данилов В.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: yu.boikov@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 23 марта 2016 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2016 г.

Методом лазерного испарения выращены трехслойные эпитаксиальные гетероструктуры, в которых слой из титаната стронция, толщиной в 750 nm, помещен между двух проводящих пленочных электродов из рутената стронция. Фотолитография и ионное травление использованы для формирования на базе выращенных гетероструктур плоско параллельных конденсаторов, емкость и тангенс угла диэлектрических потерь (tan delta) которых были измерены в интервале температуры T=4.2-300 K, при подаче напряжения смещения до ±2.5 V и без него. При T>100 K температурная зависимость диэлектрической проницаемости (varepsilon) слоя SrTiO3 хорошо апроксимировалась соотношением Кюри-Вейсса с учетом емкости, индуцированной проникновением электрического поля в оксидные электроды. При T~20 K, varepsilon промежуточного слоя SrTiO3 уменьшалась примерно на 20% в электрическом поле 25 kV/cm. tan delta пленочных емкостных гетероструктур монотонно уменьшался с температурой в интервале 300-80 K и практически не зависел от напряженности электрического поля. Однако в интервале 80-4.2 K наблюдалось резкое, не монотонное увеличение диэлектрических потерь с понижением температуры и их существенное уменьшение в электрическом поле. Финансовая поддержка для проведения данных исследований была частично получена с проекта РФФИ N 15-02-03996.
  • B. Nagaraj, T. Sawhney, S. Perusse, S. Agganwal, R. Ramesh, V.S. Kaushik, S. Zafar, R.E. Jones, J.-H. Lee, V. Balu. J. Lee. Appl. Phys. Lett. 74, 3194 (1999)
  • Yu.A. Boikov, K. Khamchane, T. Claeson. J. Appl. Phys. 96, 4392 (2004)
  • K.A. Muller, H. Burkhard. Phys. Rev. B 19, 3593 (1979)
  • J.H. Haeni, P. Irvin, W. Chang, R. Uecker, P. Reiche, Y.L. Li, S. Choudhury, W. Tian, M.E. Hawley, B. Craigo, A.K. Tagantsev, X.Q. Pan, S.K. Streiffer, L.Q. Chen, S.W. Kirchoefer, J. Levy, D.G. Schlom. Lett. Nature 430, 758 (2004)
  • P.A. Cox, R.G. Egdell, J.B. Goodenough, A. Hamnett, C.C. Naish. J. Phys. C 16, 6221 (1983)
  • J.C. Jiang, W. Tian, X. Pan, Q. Gan, C.B. Eom. Mater. Sci. Engin. B 56, 152 (1998)
  • M. Ziese, H.C. Semmelhack, K.H. Han, S.P. Sena, H.J. Blythe. J. Appl. Phys. 91, 9930 (2002)
  • J.M. Phillips. J. Appl. Phys. 79, 1829 (1996)
  • J.-P. Maria, H.L. Mc Kinstry, S. Trolier-Mc Kinstry. Appl. Phys. Lett 76, 3382 (2000)
  • A.D. Hilton, B.W. Ricketts. J. Phys. D 29, 1321 (1996)
  • H.Y. Ku, F.G. Ullman. J. Appl. Phys. 35, 265 (1964)
  • Chen Ang, A.S. Bhalla, Ruyan Guo, L.E. Cross. Appl. Phys. Lett. 76, 1929 (2000)
  • J. Hemberger, P. Lunkhemer, R. Viana, R. Bohmer, A. Loidl. Phys. Rev. B 52, 13159 (1995)
  • O.G. Vendik, L.T. Ter-Martirosyan, S.P. Zubko. J. Appl. Phys. 84, 993 (1998)
  • F.T. Lytle. J. Appl. Phys. 35, 2212 (1964)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.