Представлены результаты теоретической оптимизации конструкции гетероструктур с квантовыми ямами на основе твердых растворов AlGaN с целью достижения максимальной энергии активации носителей заряда и максимальной энергии связи экситона при длине волны излучения ~300 nm. Методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота изготовлен образец оптимизированной конструкции, в котором излучательная рекомбинация доминирует во всем диапазоне температур от 5 до 300 K, а внутренний квантовый выход при комнатной температуре составляет порядка 80% от величины, измеренной при 5 K. Работа выполнена при поддержке Российского научного фонда (проект N 14-22-00107).
III-nitride ultraviolet emitters: technology and applications. V. 227 / Eds M. Kneissl, J. Rass. Springer Ser. in Materials Science. Springer International Publ. (2016). 442 p
S.F. Chichibu, A. Uedono, T. Onuma, B.A. Haskell, A. Chakraborty, T. Koyama, P.T. Fini, S. Keller, S.P. DenBaars, J.S. Speck, U.K. Mishra, S. Nakamura, S. Yamaguchi, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, J. Han, T. Sota. Nature Mater. 5, 810 (2006)
A. Pinos, V. Liuolia, S. Marcinkevicius, J. Yang, R. Gaska, M.S. Shur. J. Appl. Phys. 109, 113516 (2011)
Y. Iwata, T. Oto, D. Gachet, R.G. Banal, M. Funato, Y. Kawakami. J. Appl. Phys. 117, 115702 (2015)
D. Korakakis, K.F. Ludwig, Jr., T.D. Moustakas. Appl. Phys. Lett. 71, 72 (1997)
M. Gao, S.T. Bradley, Y. Cao, D. Jena, Y. Lin, S.A. Ringel, J. Hwang, W.J. Schaff, L.J. Brillson. J. Appl. Phys. 100, 103512 (2006)
A. Wise, R. Nandivada, B. Strawbridge, R. Carpenter, N. Newman, S. Mahajan. Appl. Phys. Lett. 92, 261914 (2008).
В.Н. Жмерик, А.М. Мизеров, Т.В. Шубина, А.В. Сахаров, А.А. Ситникова, П.С. Копьев, С.В. Иванов, Е.В. Луценко, А.В. Данильчик, Н.В. Ржеуцкий, Г.П. Яблонский. ФТП 42, 1452 (2008)
A.A. Toropov, E.A. Shevchenko, T.V. Shubina, V.N. Jmerik, D.V. Nechaev, G. Pozina, P. Bergman, B. Monemar, S. Rouvimov, S.V. Ivanov. Phys. Stat. Sol. C 13, 232 (2016)
I. Vurgaftman, J.R. Meyer. J. Appl. Phys. 94, 3675 (2003)
G.I. Bir, G.E. Pikus. Symmetry and strain-induced effects in semiconductors. Wiley, N. Y. (1974). 484 p
A.A. Toropov, E.A. Shevchenko, T.V. Shubina, V.N. Jmerik, D.V. Nechaev, M.A. Yagovkina, A.A. Sitnikova, S.V. Ivanov, G. Pozina, J.P. Bergman, B. Monemar. J. Appl. Phys. 114, 124306 (2013)
J.E. Northrup, C.L. Chua, Z. Yang, T. Wunderer, M. Kneissl, N.M. Johnson, T. Kolbe. Appl. Phys. Lett. 100, 021101 (2012)
B. Monemar, P.P. Paskov, J.P. Bergman, A.A. Toropov, T.V. Shubina. Phys. Status Solidi B 244, 1759 (2007)
V.N. Jmerik, A.M. Mizerov, D.V. Nechaev, P.A. Aseev, A.A. Sitnikova, S.I. Troshkov, P.S. Kop'ev, S.V. Ivanov. J. Cryst. Growth 354, 188 (2012)
D.V. Nechaev, P.A. Aseev, V.N. Jmerik, P.N. Brunkov, Y.V. Kuznetsova, A.A. Sitnikova, V.V. Ratnikov, S.V. Ivanov. J. Cryst. Growth 378, 319 (2013)
V.N. Jmerik, E.V. Lutsenko, S.V. Ivanov. Phys. Status Solidi A 210, 439 (2013)
M. Gurioli, A. Vinattieri, M. Colocci, C. Deparis, J. Massies, G. Neu, A. Bosacchi, S. Franchi. Phys. Rev. B 44, 3115 (1991)
B.K. Ridley. Phys. Rev. B 41, 12190 (1990).
