Вышедшие номера
Лазерная генерация вертикальных микрорезонаторов с массивами квантовых точек InAs/InGaAs на длине волны 1.3 mum при оптической накачке
Министерство образования и науки РФ , Федеральная целевая программа «Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2014−2020 годы», соглашение № 14.616.21.0051, уникальный идентификатор RFMEFI61615X0051
Блохин С.А. 1, Крыжановская Н.В. 2, Моисеев Э.И. 2, Бобров М.А. 1, Кузьменков А.Г. 3,1, Блохин А.А. 1, Васильев А.П. 1,3, Карповский И.О.1,4, Задиранов Ю.М. 1, Трошков С.И. 1, Неведомский В.Н. 1, Никитина Е.В. 2, Малеев Н.А. 1, Устинов В.М. 1,3
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
4Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет
Email: blokh@mail.ioffe.ru, nataliakryzh@gmail.com, moiseev@spbau.com, bobrov.mikh@gmail.com, kuzmenkov@mail.ioffe.ru, bloalex91@yandex.ru, vasiljev@mail.ioffe.ru, zadiranov@mail.ioffe.ru, S.Troshkov@mail.ioffe.ru, nevedom@mail.ioffe.ru, mail.nikitina@mail.ru, Maleev@beam.ioffe.ru, vmust@beam.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 20 мая 2016 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2016 г.

Исследована принципиальная возможность достижения температурной стабильности лазерных излучателей спектрального диапазона 1.3 mum с вертикальным оптическим микрорезонатором и активной областью на основе квантовых точек (KT) InAs/InGaAs. Показано, что в случае использования нелегированного гибридного вертикального оптического микрорезонатора с нижним нелегированным полупроводниковым и верхним диэлектрическим распределенными брэгговскими отражателями, для активной области на основе девяти слоев КТ при оптимальном спектральном рассогласовании положения максимума усиления основного состояния КТ и резонансной длины волны возможно обеспечить лазерную генерацию вплоть до температур ~ 100oC при практически неизменном уровне пороговой мощности накачки.
  1. Michalzik R. VCSELs: Fundamentals, Technology and Applications of Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers. Berlin: Springer-Verlag, 2013. P. 560
  2. Lott J.A., Ledentsov N.N., Ustinov V.M. et al. // Electron. Lett. 2000. V. 36 (16). P. 1384
  3. Gilet P., Pougeoise E., Grenouillet L. et al. // Proc. SPIE 6484. Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers XI. 2007. P. 64840F
  4. Xu D.W., Ding Y., Tong C.Z. et al. // Photon. Technol. Lett. 2009. V. 21 (17). P. 1211
  5. Ustinov V.M., Maleev N.A., Zhukov A.E. et al. // Appl. Phys. Lett. 1999. V. 74 (19). P. 2815
  6. Ustinov V.M., Zhukov A.E., Egorov A.Y., Maleev N.A. Quantum dot lasers. Oxford: Oxford University Press, 2003. P. 300
  7. Устинов В.М. // ФТП. 2004. Т. 38. В. 8. С. 963--970
  8. Nakwaski W., Sarzala R.P. // Opt. Commun. 1998. V. 148 (1--3). P. 63--69
  9. Brunner M., Gulden K., Hovel R. et al. // Appl. Phys. Lett. 2000. V. 76 (1). P. 7
  10. Blakemore J.S. // J. Appl. Phys. 1982. V. 53 (10). P. R123--R181

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.