С учетом роста экспериментальных исследований, связанных с использованием фторида кобальта, изучено состояние фторида кобальта в окрестности критического значения Hc продольного магнитного поля H, при котором магнитная подсистема кристалла CoF2 с большим взаимодействием Дзялошинского переходит из антиферромагнитной фазы в угловую. Обнаружено, что, несмотря на необычайно большую величину магнитной анизотропии кристалла, состояние магнитной подсистемы при H=Hc оказалось крайне чувствительным к незначительному отклонению вектора H от оси C4. Другая особенность состоит в том, что эта высокая чувствительность исчезает при увеличении или уменьшении магнитного поля всего лишь на тысячные доли Hc. Выполненные исследования применимы к магнитоупорядоченным кристаллам FeF3, Cu2OSeO3, которые, так же как и CoF2, обладают сильным взаимодействием Дзялошинского и значительной магнитной анизотропией. Обнаруженная аномалия в уменьшении эффективной магнитной анизотропии представляет интерес в связи с многочисленными попытками уменьшить магнитную анизотропию в кристаллах с гигантской магнитострикцией, которые необходимы для использования в качестве сенсоров и вибраторов.
T.R. Dugan, J.M. Goldberg, W.W. Brennessel, P.L. Holland. Organometallics 31, 4, 1349 (2012)
Y.T. Teng, S.S. Pramana, J. Ding, T. Wu, R. Yazami. Electrochim. Acta 107, 301 (2013)
M.J. Armstrong, A. Panneerselvam, C. O'Regan, M.A. Morrisab, J.D. Holmes. J. Mater. Chem. A 1, 10667 (2013)
C.Y. Lee, Z. Su, K. Lee, H. Tsuchiya, P. Schmuki. Chem. Commun. 50, 7067 (2014)
M.C. Leclerc, J.M. Bayne, G.M. Lee, S.I. Gorelsky, M. Vasiliu, I. Korobkov, D.J. Harrison, D.A. Dixon, R.T. Baker. J. Am. Chem. Soc. 137, 16064 (2015)
J. Tan, L. Liu, S. Guo, H. Hu, Z. Yan, Q. Zhou, Z. Huang, H. Shu, X. Yang, X. Wang. Electrochim. Acta 168, 225 (2015)
Н.Ф. Харченко, В.В. Еременко, Л.И. Белый. ЖЭТФ 82, 827 (1982)
К.Г. Гуртовой, А.С. Лагутин, В.И. Ожогин. ЖЭТФ 83, 1941 (1982)
Q. Chu, Z. Xing, J. Tian, X. Ren, A.M. Asiri, A.O. Al-Youbi, K.A. Alamry, X. Sun. J. Power Sources 236, 188 (2013)
J.H. Yang, Z.L. Li, X.Z. Lu, M.H. Whangbo, S.H. Wei, X.G. Gong, H.J. Xiang. Phys. Rev. Lett. 109, 107203 (2012)
А.С. Прохоров, Е.Г. Рудашевский. Письма в ЖЭТФ 10, 175 (1969)
Г.К. Чепурных, О.Г. Медведовская, О.А. Никитина. ФТТ 41, 2044 (1999)
Г.К. Чепурных, О.Г. Медведовская, О.А. Никитина. ФНТ 26, 108 (2000)
Z.Y. Jia, H.F. Liu, F.J. Wang, W. Liu, C.Y. Ge. Measurement 44, 88 (2011)
J. Tamura, Y. Kawamura, H. Mochiji, N. Sasaki, K. Mizutani, H. Okawa. Jpn. J. Appl. Phys. 50, 07HC04 (2011)
H. Liu, Z. Jia, F. Wang, F. Zong. Mechatronics 22, 911 (2012)
К.П. Белов, Р.З. Левитин, С.А. Никитин. ФММ 11, 948 (1961)
S. Legvold, J. Alstad, J. Rhyne. Phys. Rev. Lett. 10, 509 (1963)
К.П. Белов. Сорос. образоват. журн. 3, 15 (1998)
N. Koon, A. Schinder, F. Carter. Phys. Lett. A 37, 413 (1971)
J. Liu, T. Zhang, J. Wang, C. Jiang. Mater. China 4, 002 (2012)
O.G. Medvedovs'ka, T.O. Fedorenko, G.K. Chepurnykh. Proc. of the XI Int. Conf. Electronics and applied physics". Kyiv, Ukraine (2015). P. 31
Г.К. Чепурных. ФТТ 10, 1917 (1968)
М.И. Каганов, Г.К. Чепурных. ФТТ 11, 911 (1969)
Н.К. Даньшин, Н.М. Ковтун, М.А. Сдвижков. ФТТ 26, 3635 (1984)
Y. Shapira, J. Zak. Phys. Rev. 170, 503 (1968)
Y. Shapira. Phys. Rev. 187, 734 (1969)
Y. Shapira. Phys. Rev. 184, 589 (1969)
С.В. Пелетминский. ЖЭТФ 37, 452 (1959)
И.Е. Дикштейн, В.В. Тарасенко, В.Г. Шавров. ЖЭТФ 67, 816 (1974)
Г.К. Чепурных. ФТТ 17, 430 (1975)
Г.К. Чепурных. ФТТ 17, 2712 (1975)