"Физика твердого тела"

Издателям

Статистика

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2018
- 1 2 3 4 5
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Электронно-микроскопические исследования образования структурных дефектов в ZnS при облучении электронами с энергией 400 keV

DOI: 10.21883/ftt.2016.12.43860.74

Логинов Ю.Ю.¹, Брильков А.В.², Мозжерин А.В.²

¹Сибирский государственный аэрокосмический университет им. акад. М.Ф. Решетнева, Красноярск, Россия
²Сибирский федеральный университет, Красноярск, Россия

Email: loginov@sibsau.ru

Поступила в редакцию: 1 марта 2016 г.

Выставление онлайн: 19 ноября 2016 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Методом просвечивающей электронной микроскопии исследованы кристаллы ZnS, выращенные из газовой фазы, и эпитаксиальные структуры ZnS/(001)GaAs, выращенные методом металлоорганической парофазной эпитаксии, после облучения in situ в электронном микроскопе при энергии электронов 400 keV и интенсивности (1-4)·10¹⁹ e/cm²·s. Показано, что при облучении происходит образование мелких дислокационных петель с размерами 2.5-45 nm и плотностью 1.4·10¹¹ cm^-2, а также пор и выделений новой фазы с размерами ≤10 nm. Выделения могут быть идентифицированы с помощью анализа муарового контраста как ZnO и ZnO₂.

Ю.Ю. Логинов, П. Браун, К. Дьюроуз. Закономерности образования структурных дефектов в полупроводниках A-=SUB=-2-=/SUB=-B-=SUB=-6-=/SUB=-. Логос, М. (2003). 304 с

В.В. Козловский, А.А. Лебедев, Е.В. Богданова, Н.В. Середова. ФТП 49, 1198 (2015)

L. Fedina, A. Gutakovskii, A. Aseev, J. Van Landuyt, J. Vanhellemont. Phys. Status Solidi A 171, 147 (1999)

О.Г. Грушка, В.Т. Маслюк, С.М. Чупыра, О.М. Мыслюк, С.В. Биличук, И.И. Заболоцкий. ФТП 46, 327 (2012)

S. Lavagne, C. Levade, G. Vanderschaeve. Mater. Sci. Eng. B 128, 1 (2006)

M. Heuken. J. Cryst. Growth 146, 570 (1995)

M. Hirata, M. Kiritani. Physica B+C 116, 616 (1983)

K. Nakai, C. Kinoshita, Y. Muroo, S. Katajima. Phil. Mag. A 48, 215 (1983)

K. Urban. Phys. Status Solidi A 56, 157 (1979)

В.М. Лазаренко, Ю.М. Платов, М.И. Плетнев. ФMM 50, 164 (1989)

H. Abe, T. Ishizaki, F. Li, S. Kano, Y. Li, Y. Satoh, T. Nagase, H. Yasuda. Mater. Trans. 55, 423 (2014)

П.Д. Браун, Ю.Ю. Логинов, У.М. Стоббс, К.Дж. Хамфрейс. ФТТ 38, 284 (1996)

Yu.Yu. Loginov, P.D. Brown. Phys. Status Solidi A 132, 323 (1992)

Y.Y. Loginov, P.D. Brown, C.J. Humphreys. Microsc. Semicond. Mater. 146, 431 (1995)

П. Хирш, А. Хови, Р. Николсон, Д. Пэшли, М. Уэлан. Электронная микроскопия тонких кристаллов. Мир, М. (1967). 574 с

N. Thangaraj, B. Wessels. J. Appl. Phys. 67, 1535 (1990)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель