Исследованы фотолюминесцентные свойства (113) дефектов, образующихся в Si-структуре после имплантации ионов кислорода с энергией 350 keV и дозами 1.7·1013-1.7·1015 cm-2 и последующего отжига при 700oC в течение 0.5-2 h в хлорсодержащей атмосфере. Независимо от дозы имплантации и времени отжига в спектрах фотолюминесценции доминирует линия с длиной волны 1.37 mum, принадлежащая (113) дефекту. Зависимости интенсивности линии от дозы имплантации и длительности отжига характеризуются кривыми с максимумами. С ростом температуры измерения в диапазоне 64-120 K интенсивность линии монотонно уменьшается. Работа Н.А. Соболева и К.В. Карабешкина частично поддержана грантом РФФИ N 14-08-01256, а работа Е.И. Шек --- грантом РФФИ N 14-02-00152.
M.A. Green, J. Zhao, A. Wang, P.J. Reece, M. Gal. Nature 412, 805 (2001)
G. Davies. Phys. Rep. 176, 83 (1989)
G. Franzo, F. Priolo, S. Coffa, A. Polman, A. Carnera. Appl. Phys. Lett. 64, 2235 (1994)
A.M. Emel`yanov, N.A. Sobolev, A.N. Yakimenko. Appl. Phys. Lett. 72, 1223 (1998)
V. Kveder, V. Badylevich, E. Steinman, A. Izotov, M. Zeibt, W. Schreter. Appl. Phys. Lett. 84, 2106 (2004)
Н.А. Соболев, А.Е. Калядин, М.В. Коновалов, П.Н. Аруев, В.В. Забродский, Е.И. Шек, К.Ф. Штельмах, А.Н. Михайлов, Д.И. Тетельбаум. ФТП 50, 241 (2016)
S. Takeda. Jpn. J. Appl. Phys. 30, L639 (1991)
S. Coffa, S. Libertino, C. Spinella. Appl. Phys. Lett. 76, 321 (2000)
P.K. Giri. Semicond. Sci. Technol. 20, 638 (2005)
Y. Yang, C. Wang, R.D. Yang, L. Li, F. Xiong, J.M. Bao. Chin. Phys. B 18, 4906 (2009)
Y. Yang, J.M. Bao, C. Wang, M.J. Aziz. J. Appl. Phys. 107, 123109 (2010)
J.F. Ziegler, M.D. Ziegler, J.P. Biersack. Nucl. Instrum. Meth. B 268, 1818 (2010)
J. Michel, J.L. Benton, R.F. Ferrante, D.C. Jacobson, D.J. Eaglesham, E.A. Fitzgerald, Y.-H. Xie, J.M. Poate, L.C. Kimerling. J. Appl. Phys. 70, 2672 (1991)
E.O. Sveinbjornsson, J. Weber. Appl. Phys. Lett. 69, 2686 (1996)