Издателям
Вышедшие номера
Упругонапряженные и релаксированные пленки La0.67Ca0.33MnO3, выращенные на подложках из алюмината лантана с различной ориентацией
Бойков Ю.А.1, Серенков И.Т.1, Сахаров В.И.1, Клаесон Т.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Чалмерский технический университет, Гетеборг, Швеция
Email: Yu.Boikov@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 11 мая 2016 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2016 г.

Методами рассеяния ионов средних энергий и рентгеновской дифракции исследована структура пленок La0.67Ca0.33MnО3 (LCMO) толщиной 40 nm, сформированных методом лазерного испарения на подложках (001) и (110) LaAlO3 (LAO). Выращенные манганитные слои находились под действием латеральных двухосных сжимающих механических напряжений. Напряжения релаксировали в значительной степени, когда в качестве подложек использовались пластины (110)LAO, причем релаксация сопровождалась формированием дефектов в прослойке манганитной пленки толщиной 3-4 nm, прилегающей к межфазной границе LCMO--(110)LAO. Исследование структуры выращенных слоев сопровождалось измерением их электро- и магнетотранспортных параметров. Максимальные значения электросопротивления пленок LCMO, выращенных на обоих типах подложек, наблюдались при температуре TM порядка 250 K. При температурах, близких к TM, магнетосопротивление пленок LCMO/(110)LAO на 20-30% превышало соответствующие данные для пленок LCMO/(001)LAO, однако при низких температурах (T<150 K) ситуация становилась обратной. При T<TM магнетотранспорт в выращенных манганитных пленках существенно зависел от упорядочения спинов в ферромагнитных доменах, которые увеличивались с понижением температуры. Ю.А. Бойков и Т. Клаесон признательны за частичную финансовую поддержку данных исследований РФФИ (проект N 15-02-03996), а также the Swedish Research Councilf, the Knut and Alice Wallenberg foundation.
  • M. Pannetier, С. Fermon, G. Le Goff, О. Simola, Т. Kerr. Science 304, 1648 (2004)
  • Yu.A. Boikov, T. Claeson. Phys.Rev. B 70, 184433 (2004)
  • A. Goyal, M. Rajeswari, R. Shreekala, S.E. Lofland, S.M. Bhagat, T. Boettcher, C. Kwon, R. Ramesh, T. Venkatesan. Appl. Phys. Lett. 71, 2535 (1997)
  • E.O. Wollan, W.C. Koehler. Phys. Rev. 100, 545 (1955)
  • M. Fath, S. Freisem, A.A. Menovsky, Y. Tomioka, J. Aarts, J. Mydosh. Science 285, 1540 (1999)
  • A. Urushibara, Y. Morimoto, T. Arima, A. Asamitsu, G. Kido, Y. Tokura. Phys. Rev. B 51, 14103 (1995)
  • J.N. Eckstein, I. Bozovic, J. O'Donnell, M. Onellion, M.S. Rzchowski. Appl. Phys. Lett. 69, 1312, 1996
  • O.I. Lebedev, G. Van Tendeloo, S. Amelinckx, B. Leibold, H.-U. Habermeier. Phys. Rev. B 58, 8065 (1998)
  • B. Wiedenhorst, C. Hofedner, Y. Lu, J. Klein, L. Alff, R. Gross, B.H. Freitag, W. Mader. Appl. Phys. Lett. 74, 3636 (1999)
  • Yu.A. Boikov, R. Gunnarsson, T. Claeson. J. Appl. Phys. 96, 435 (2004)
  • J. Krupka, R.G. Geyer, M. Kuhn, J.H. Hinken. IEEE Trans. Microwave Theory Tech. 42, 1886 (1994)
  • P. Bailey, T.C.Q. Noakes, C.J. Baddeley, S.P. Tear, D.P. Woddruff. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. B 183, 62 (2001)
  • V.V. Afrosimov, R.N. Il'in, S.F. Karmanenko, A.A. Melkov, V.I. Sakharov, I.T. Serenkov. Thin Solid Films 492, 146 (2005)
  • T.I. Kamins. J. Appl. Phys. 42, 4357 (1971)
  • G.J. Snyder, R. Hiskes, S. DiCarolis, M.R. Beasley, T.H. Geballe. Phys. Rev. B 53, 14434 (1996)
  • Р. Dai, J. Zhang, H.A. Mook, S.-H. Lion, P.A. Dowben, E.W. Plummer. Phys. Rev. B 54, R3694 (1996)
  • R.W.J. Wyckoff. Crystal structures. 2nd ed. Interscience N.Y. (1964). V. 2. P. 394
  • C. Zuccaro, H.L. Berlincourt, N. Klein, K. Urban. J. Appl. Phys. 82, 5695 (1997)
  • I.C. Infante, F. Sanchez, J. Fontcuberta, M. Wojcik, E. Jedryka, S. Estrade, F. Peir, J. Arbiol, V. Laukhin, J.P. Espinos. Phys. Rev. B 76, 224415 (2007)
  • L.M. Berndt, V. Balbarin, Y. Suzuki. Appl. Phys. Lett. 77, 2903 (2000)
  • P. Schiffer, A.P. Ramirez, W. Bao, S.-W. Cheong. Phys. Rev. Lett. 75, 3336 (1995)
  • J.M. De Teresa, M.R. Ibarra, J. Blasco, J. Garcia, C. Marquina, P.A. Algarabel, Z. Arnold, K. Kamenev, C. Ritter, R. von Helmolt. Phys. Rev. B 54, 1187 (1996)
  • T. Zhang, X.P. Wang, Q.F. Fang, X.G. Li. Appl. Phys. Rev. 1, 031302 (2014)
  • K. Kubo, N. Ohata. J. Phys. Soc. Jpn. 33, 21 (1972)
  • Qi Li, H.S. Wang, Y.F. Hu, E. Wertz. J. Appl. Phys. 87, 5573 (2000)
  • E.D. Dahlberg, K. Riggs. J. Appl. Phys. 63, 4270 (1988)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.