Исследована электронная структура островковых углеродных пленок на кремнии, демонстрирующих способность к низковольтной полевой электронной эмиссии --- при средней напряженности электрического поля от сотен V/mm. Методом туннельной спектроскопии показано, что островки таких покрытий характеризуются сплошным спектром разрешенных делокализованных состояний вблизи уровня Ферми, т. е. содержат углерод в sp2-состоянии. Обнаружено явление фотопроводимости изучаемых покрытий. На основании исследования его токовых и спектральных характеристик показано, что островки отделены друг от друга туннельными барьерами, а от подложки --- барьером Шоттки.
Xu N.S., Ejaz Huq S. // Materials Science and Engineering R: Reports. 2005. Vol. 48. N 2--5. P. 47--189
Railkar T.A., Kenq W.P., Windischmann H., Malshe A.P., Neseem H.A., Devidson J.L., Brown W.D. // Critical Reviews in Solid State and Materials Sciences. 2000. Vol. 25. N 3. P. 163--277
Carey J.D. // Phil. Trans. R. Soc. Lond. A. 2003. Vol. 361. P. 2891--2907
Fursey G.N. Field emission in vacuum microelectronics. NY: Kluwer Academic-Plenum Publishers. 2005. P. 205
Gulyaev Yu.V., Sinitsyn N.I., Torgashov G.V., Saveliev S.G. // Appl. Surf. Sci. 2003. Vol. 215. N 1--4. P. 141--148
Дюбуа Б.Ч., Королев А.Н. // Электронная техника. Серия 1: СВЧ-техника. 2011. N 1 (508). С. 5--24
Obraztsov A.N. // Nanoengineered Nanofibrous Materialas, Kluwer Acad. Publ., the Netherlands. 2004. P. 329--339
Krivchenko V.A., Pilevsky A.A., Rakhimov A.T., Seleznev B.V., Suetin N.V., Timofeyev M.A., Bespalov A.V., Golikova O.L. // J. Appl. Phys. 2010. Vol. 107. N 1. P. 014 315
Obraztsov A.N., Kleshch V.I., Smolnikovam R.A. // Beilstain J. Nanotechnol, 2013. Vol. 4. P. 493--500
Kleshch V.I., Smolnikova E.A., Orekhov A.S., Kalvas Taneli, Tarvainen Olli, Kauppinen Janne, Nuottajarvi Antti, Koivisto Nannu, Janhunen Pekka, Obraztsov A.N. // Carbon. 2015. Vol. 81. P. 132--136
Бугаев А.С., Ерошкин П.А., Романько В.А., Шешин Е.П. // УФН. 2013. Т. 183. С. 727--740
Ерошкин П.А., Шешин Е.П. // Нано- и микросистемная техника. 2014. N 1. С. 42--44
Суздальцев С.Ю., Шаныгин В.Я., Яфаров Р.К. // Письма в ЖТФ. 2011. Т. 37. Вып. 11. С. 91--98
Елецкий А.В. // УФН, 2010. Т. 180, N 9. С. 897--930
Рейх К.В., Эйдельман Е.Д., Вуль А.Я. // ЖТФ. 2007. Т. 77. Вып. 7. С. 123--126
Reich K.V., Eidelman E.D. // EPL (Europhysics Letters). 2009. Vol. 85. N 4. P. 47 007
Frolov V.D., Konov V.I., Pimenov S.M., Kuzkin V.I. // Appl. Phys. A. 2004. Vol. 78. P. 21--23
Захидов Ал.А., Образцов А.Н., Волков А.П., Ляшенко Д.А. // ЖЭТФ. 2005. Т. 127. Вып. 1. С. 100--106
Kleshch V.I., Vasilieva E.A., Lyashenko S.A., Obronov I.V., Turnina A.V., Obraztsov A.N. // Phys. Stat. Sol. 2011. Vol. 248. N 11. P. 2623--2626
Баскин Л.М., Нейттаанмяки П., Пламеневский Б.А. // ЖТФ. 2010. Т. 80. Вып. 12. С. 86--89
Okotrub A.V., Bulusheva L.G., Kuznetsov V.L., Gusel'nikov A.V., Chuvilin A.L. // Applied Physics A: Materials Science \& Processing. 2005. N 2. P. 393-398
Яфаров Р.К. // ЖТФ. 2006. Т. 76. Вып. 1. С. 42--48
Лобанов В.М. // ЖТФ. 2005. Т. 75. Вып. 11. С. 92--96
Forbes R.G. // Sol. St. Electron. 2001. Vol. 45. N 6. P. 779--808
Carey J.D., Forrest R.D., Poa C.H., Silva S.R.P. // J. Vac. Sci. Technol. B. 2003. Vol. 21. N 4. P. 1633--1639
Gupta S., Morell G., Weiner B.R. // J. Appl. Phys. 2004. Vol. 95. N 12. P. 8314--8320
Silva S.R.P., Amaratunga G.A.J., Okano K. // J. Vac. Sci. Technol. B. 1999. Vol. 17. N 2. P. 557--561
Zhirnov V.V., Shenderova O.A., Jaeger D.L., Tyler T., Areshkin D.A., Brenner D.W., Hren J.J. // ФТТ. 2004. Т. 46. Вып. 4. С. 641--645
A.V. Arkhipov, P.G. Gabdullin, S.I. Krel, M.V. Mishin, A.L. Shakhmin, S.K. Gordeev, S.B. Korchagina S.B. // Fulleren. Nanotub. Carbon Nanostructur. 2012. Vol. 20. N 4--7. P. 468--472
Архипов А.В., Гнучев Н.М., Крель С.И. // Научно-технические ведомости СПбГПУ. Физ.-мат. науки. 2012. N 4 (158). С. 98--103
Архипов А.В., Габдуллин П.Г., Гнучев Н.М., Емельянов А.Ю., Крель С.И. // Письма в ЖТФ. 2014. Т. 40. Вып. 23. С. 58--66
Yi-Chun Chen, Hsiu-Fung Cheng, Yun-Shuo Hsieh, You-Ming Tsau // J. Appl. Phys. 2003. Vol. 94. N 12. P. 7739--7742
Hagmann M.J. // Proc. SPIE. 2004. Vol. 5352. P. 372--381
Guiset P., Combrie S., De Rossi A., Carras M., Schnell J.P., P. Legagneux P. // Proc. SPIE. 2008. Vol. 7037. P. 70370Q
Dispenza M., Brunetti F., Cojocaru C.-S., de Rossi A., Di Carlo A., Dolfi D., Durand A., A.M. Fiorello, Gohier A., Guiset P., Kotiranta M., Krozer V., Legagneux P., Marchesin R., Megtert S., Bouamrane F., Mineo M., Paoloni C., Pham K., Schnell J.P., Secchi A., Tamburri E., Terranova M.L., Ulisse G., Zhurbenko V. // Proc. SPIE. 2010. Vol. 7837. P. 783 706
Яфаров Р.К., Шаныгин В.Я. // Письма в ЖТФ. 2014. Т. 40. Вып. 7. С. 8--15
Румянцев В.В., Морозов С.В., Кудрявцев К.Е., Гавриленко В.И., Козлов Д.В. // ФТП. 2012. Т. 46. Вып. 11. С. 1414--1418
Фоменко В.С. Эмиссионные свойства материалов. Киев: Наукова думка, 1981
Корсунский М.И. Аномальная фотопроводимость. М.: Наука, 1972. 192 с
Зи С. Физика полупроводниковых приборов. Т. 1. М.: Мир, 1984. 455 с
Месяц Г.А., Насибов А.С., Кремнев В.В. Формирование наносекундных импульсов высокого напряжения. М.: Энергия, 1970. 155 с
Александров О.В., Дусь А.И. // ФТП. 2008. Т. 42. Вып. 11. С. 1400--14006
Иоссель Ю.Я., Кочанов Э.С., Струнский М.Г. Расчет электрической емкости. Л.: Энергоиздат, 1981. 288 с
Latham R.V. // IEEE Transactions on Electrical Insulation. 1988. Vol. 23. N 1. P. 9--16
Ilie A., Hart A., Flewitt A.J., Robertson J., Milne W.I. // J. Appl. Phys. 2000. Vol. 88. N 10. P. 6002--6010
Kishore Uppireddi, WeinerB.R., Morell G. // J. Appl. Phys. 2008. Vol. 103. N 10. P. 104 315
Koh A.T.T., Foong Y.M., Yu J., Chua D.H.C., Wee A.T.S., Kudo Y., Okano K. // J. Appl. Phys. 2011. Vol. 110. N 3. P. 034 903
Dideykin A.T., Eidelman E.D., Vul A.Ya. // Sol. St. Commun. 2003. Т. 126. N 9. С. 495 -498
Eidelman E.D., Vul' A.Ya. // J. Phys.. Condensed Matter. 2007. Vol. 19(7). P. 266 210--266 223
Рейх К.В., Эйдельман Е.Д. // ФТТ. 2011. Т. 53. Вып. 8. C. 1618--1620
Мейлахс А.П., Эйдельман Е.Д. // Письма ЖЭТФ. 2014. Т. 100. N 2. С. 89--93
Wei X.L. Golberg D., Chen Q., Bando Y.. Peng L.M. // Nano Lett. 2011. Vol. 11. N 2. P. 734--739
Wei Xianlong, Bando Yoshio, Golberg D. // ACS Nano. 2012. Vol. 6. N 1. P. 705--711
Cui J.B., Ristein J., Ley L. // Phys. Rev. 1999. Vol. 60. N 23. P. 16 135--16 142
Robertson J. // J. Vac. Sci. Technol. B. 1999. Vol. 17. N 2. P. 659--665
Соминский Г.Г., Сезонов В.Е., Саксеев Д.А., Тумарева Т.А. // ЖТФ. 2011. Т. 81. N 6. С. 104--108
Nose Kenji, Fujita Ryuhei, Kamiko Masao, Mitsuda Yoshitaka // J. Vac. Sci. Technol. 2012. Vol. 30. P. 011 204
Geis M.W., Efremow N.N., Krohn K.E., Twichell J.C., Lyszczarz T.M., Kalish R., Greer J.A., Tabat M.D. // Nature. 1998. Vol. 393. P. 431--435
Добрецов Л.Н., Гомоюнова М.В. Эмиссионная электроника. М.: Наука, 1966. 564 с
Рейх К.В., Эйдельман Е.Д., Дидейкин А.Т., Вуль Ф.Я. // ЖТФ. 2008. Т. 78. Вып. 2. С. 119--122.