"Письма в журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Аналитический расчет распределений электронной плотности и концентрации ионов примеси в термической пылевой плазме с применением модели "желе" для конденсированных частиц
Файрушин И.И.1, Даутов И.Г.1,2, Кашапов Н.Ф.1, Шамсутдинов А.Р.1
1Казанский федеральный университет
2Казанский национальный исследовательский технический университет им. А.Н. Туполева --- КАИ
Email: wolobokr@gmail.com
Поступила в редакцию: 5 июля 2016 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2016 г.

С применением модели "желе" к описанию частиц конденсированного вещества получены самосогласованные пространственные распределения электронной плотности во всем объеме частиц и окружающей их плазме, а также распределения концентрации ионов легкоионизирующихся примесных атомов. Установлено, что в термической пылевой плазме, содержащей примесь легкоионизирующегося элемента, при повышении температуры эмиссия электронов конденсированными частицами может ослабевать. Показано, что с уменьшением радиуса частиц при постоянной температуре эмиссия ими электронов увеличивается. Вблизи поверхности конденсированных частиц отмечается образование области плазмы с нарушением ионизационного равновесия.
  • Фортов В.Е., Храпак А.Г., Якубов И.Т. Физика неидеальной плазмы: Учебное пособие. М.: Физматлит, 2004
  • Vishnyakov V.I. // Phys. Rev. E. 2012. V. 85. P. 026 402
  • Фортов В.Е., Филинов В.С., Нефедов А.П. и др. // ЖЭТФ. 1997. В. 111. С. 889
  • Дьячков Л.Г., Храпак А.Г., Храпак С.А. // ЖЭТФ. 2008. В. 133. С. 197
  • Khrapak S.A., Morfill G.E., Fortov V.E. et al. // Phys. Rev. Lett. 2007. V. 99. P. 055 003
  • Драган Г.С. // ЖЭТФ. 2004. В. 125. С. 507
  • Золотко А.Н., Полетаев Н.И., Вовчук Я.И. // ФГВ. 2015. В. 2. С. 125
  • Пузряков А.Ф. Теоретические основы технологии плазменного напыления. М.: МГТУ им. Н.Э. Баумана, 2003
  • Юмагузин Ю.М., Корнилов В.М., Лачинов А.Н. // ЖЭТФ. 2006. В. 130. С. 303
  • Лошицкая К.П., Созаев В.А., Чернышова Р.А. // Поверхность. 2005. В. 9. С. 104
  • Смогунов А.Н., Куркина Л.И., Фарберович О.В. // ФТТ. 2000. В. 42. С. 1848
  • Коротков П.К., Созаев В.А., Тхакахов Р.Б., Уянаева З.А. // Изв. РАН. Сер. Физ. 2009. В. 73. С. 1038
  • Мамонова М.В., Прудников В.В., Прудникова И.А. Физика поверхности. Теоретические модели и экспериментальные методы. М.: Физматлит, 2011
  • Ролдугин В.И. Физикохимия поверхности. Долгопрудный: Интеллект, 2011
  • Партенский М.Б. // УФН. 1979. В. 128. С. 69
  • Партенский М.Б. // Поверхность. 1982. В. 10. С. 15
  • Смирнов М.Б., Крайнов В.П. // ЖЭТФ. 1999. В. 115. С. 2014
  • Ekardt W. // Phys. Rev. B. 1984. V. 29. P. 1558
  • Иванов В.К., Ипатов А.Н. // ЖЭТФ. 1996. В. 109. С. 902
  • Смирнов Б.М. // УФН. 2000. В. 170. С. 495
  • Dautov G., Fayrushin I., Dautov I., Kashapov N. // J. Phys.: Conf. Ser. 2013. V. 479. P. 012 014
  • Бонч-Бруевич В.Л., Калашников С.Г. Физика полупроводников. М.: Наука, 1977
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.