Издателям
Вышедшие номера
Спектроскопия резонансного возбуждения экситонной люминесценции твердых растворов GaSe-GaTe
Старухин А.Н.1, Нельсон Д.К.1, Федоров Д.Л.1, Сюняев Д.К.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: a.starukhin@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 23 декабря 2015 г.
Выставление онлайн: 20 января 2017 г.

Исследованы спектры возбуждения люминесценции локализованных экситонов в твердых растворах GaSe0.85Te0.15 при T=2 K. Показано, что в спектрах возбуждения экситонов с энергией локализации varepsilon> 10 mV возникает дополнительный максимум ME, расположенный с низкоэнергетической стороны от максимума, соответствующего полосе поглощения свободного экситона с n=1. Установлено, что сдвиг положения максимума ME в спектре возбуждения относительно энергии детектируемых фотонов увеличивается по мере уменьшения энергии детектируемых фотонов, то есть с увеличением энергии локализации экситонов. При резонансном возбуждении локализованных экситонов монохроматическим светом из области полосы экситонного излучения в спектре экситонной люминесценции с низкоэнергетической стороны от линии возбуждения также наблюдается максимум излучения (ML). Энергетическое расстояние между положением возбуждающей линии и положением максимума в спектре излучения увеличивается по мере уменьшения частоты возбуждающего света. Рассматриваются возможные механизм появления описанной структуры спектров возбуждения и экситонной люминесценции в GaSe0.85Te0.15. Сделан вывод, что максимумы ME в спектре возбуждения и ML в спектре излучения обусловлены электронно-колебательными переходами с рождением и аннигиляцией локализованных экситонов соответственно. Работа выполнена при частичной поддержке РФФИ (проект N 13-02-00891). DOI: 10.21883/FTT.2017.02.44039.481
  • S. Adachi. Properties of Semiconductor Alloys: Group-IV, III-V and II-VI Semiconductors. John Wiley \& Sons Ltd., Chichester, U. K. (2009). 400 p
  • Дж. Займан. Модели беспорядка. Мир, М. (1982). 592 с
  • Ж.И. Алфёров, Е.Л. Портной, А.А. Рогачев. ФТП 2, 1194 (1968)
  • А.А. Клочихин, С.А. Пермогоров, А.Н. Резницкий. ФТТ 39, 1170 (1997)
  • S. Lai, M.V. Klein. Phys. Rev. Lett. 44, 1087 (1980)
  • D. Ouadjaout, Y. Marfaing. Phys. Rev. B 41, 12096 (1990)
  • S. Permogorov, A. Reznitsky. J. Luminescence 52, 201 (1992)
  • R. Westphaling, T. Breitkopf, S. Bauer, C. Klingshirn. J. Luminescence 72--74, 980 (1997)
  • J.J. Hopfield, D.G. Thomas, R.T. Lynch. Phys. Rev. Lett. 17, 312 (1966)
  • R.A. Faulkner, P.J. Dean. J. Luminescence 1--2, 552 (1970)
  • А.М. Стоунхэм. Теория дефектов в твердых телах. Мир, М. (1978). Т. 1. 569 с
  • V. Lemos, F. Cerdeira, L. Gourkov. Solid State Commun. 20, 1101 (1976)
  • C. Perez Leon, L. Kador, K.R. Allakhverdiev, T. Baykara, A.A. Kaya. J. Appl. Phys. 98, 103 103 (2005)
  • А.Г. Абдукадыров, С.Д. Барановский, С.Ю. Вербин, Е.Л. Ивченко, А.Ю. Наумов, А.Н. Резницкий. ЖЭТФ 98, 2056 (1990)
  • J. Camassel, P. Merle, H. Mathieu, A. Gouskov. Phys. Rev. B 19, 1060 (1979)
  • J.R. Lakowicz. Principles of fluorescence spectroscopy. 3rd ed. Springer Science+Business Media, LLC, N. Y. (2006)
  • К.К. Ребане. Элементарная теория колебательной структуры спектров примесных центров кристаллов. Наука. М. (1968). 233 с
  • Zero-phonon lines and spectral hole birning in spectroscopy and photochemistry / Ed. O. Sild, K. Haller. Springer-Verlag. Berlin Heidelberg (1988). 183 p
  • О. Маделунг. Физика твердого тела. Локализованные состояния. Наука. М. (1985). 184 с
  • P.J. Dean. J. Luminescence 1, 2, 398 (1970)
  • M. Oueslati, C. Benoit \`a la Guillaume, M. Zouaghi. Phys. Rev. B 37, 3037 (1988)
  • E. Cohen, M.D. Sturge. Phys. Rev. B 25, 3828 (1982)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.