Издателям
Вышедшие номера
Низкотемпературная методика очистки поверхности p-GaN(0001) для фотоэмиттеров с эффективным отрицательным электронным сродством
Терещенко О.Е., Шайблер Г.Э., Ярошевич А.С., Шевелев С.В., Терехов А.С., Лундин В.В., Заварин Е.Е., Бесюлькин А.И.
Поступила в редакцию: 4 декабря 2003 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2004 г.

Методами рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии, спектроскопии характеристических потерь энергии электрона высокого разрешения и дифракции медленных электронов изучена эволюция химического состава, атомной структуры и электронных свойств поверхности p-GaN(0001) при ее химической обработке раствором HCl в изопропиловом спирте (HCl--ИПС) и прогреве в вакууме. Показано, что химическая обработка поверхности GaN удаляет значительную часть поверхностного оксида галлия, а последующий прогрев поверхности в вакууме в интервале температур 400-450oC уменьшает остаточные загрязнения углеродом и кислородом до 3-5% от монослоя. Дифракция медленных электронов подтвердила получение чистой поверхности p-GaN(0001) со структурой объемной элементарной ячейки (1x1). Адсорбция цезия на чистую поверхность p-GaN приводила к снижению работы выхода на ~2.5 eV и появлению на поверхности эффективного отрицательного электронного сродства. Квантовая эффективность GaN-фотокатода составила 26% на длине волны 250 nm. Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 04-02-16639), Фонда содействия отечественной науке и Совета по грантам Президента Российской Федерации.
  • R.W. Hunt, L. Vanzetti, T. Castro, K.M. Chen, L. Sobra, P.I. Cohen, W. Gladfelter, J.M. von Hove, J.N. Kuznia, M.A. Khan, A. Franciosi. Physica B 185, 415 (1993)
  • J. Ma, B. Garni, N. Perkins, W.L. O'Brien, T.F. Kuech, M.G. Lagally. Appl. Phys. Lett. 69, 3351 (1996)
  • M.A. Khan, J.N. Kuznia, D.T. Olson, R. Kaplan. Appl. Phys. 73, 3108 (1993)
  • V.M. Bermudes, M.A. Khan, R. Kaplan, J.N. Kuznia. Phys. Rev. B 48, 2436 (1993)
  • V.M. Bermudes, T.M. Jung, K. Doverspike, A.E. Wickenden. J. Appl. Phys. 79, 110 (1996)
  • S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, H. Kiyoku, Y. Sugimoto. Appl. Phys. Lett. 68, 3269 (1996)
  • F. Machuca, Y. Sun, Z. Liu, K. Ioakeimidi, P. Pianetta, R.F.W. Pease. J. Vac. Sci. Technol. B 18, 3042 (2000)
  • F. Machuca, Z. Liu, Y. Sun, P. Pianetta, W.E. Spicer, R.F.W. Pease. J. Vac. Sci. Technol. A 20, 1784 (2002)
  • S. Pastuszka, A.S. Terekhov, A. Wolf. Appl. Surf. Sci. 99, 361 (1996)
  • R. Holton, P.M. Gundry. Surf. Sci. 63, 263 (1977)
  • S.W. King, J.P. Barnak, M.D. Bremser, K.M. Tracy, C. Ronning, R.F. Davis, R.J. Nemanich. J. Appl. Phys. 84, 5248 (1998)
  • I. Waki, H. Fujioka, K. Ono, M. Oshima, H. Miki, A. Fukizava. Jpn. J. Appl. Phys. 39, 4451 (2000)
  • S. Tripathy, S.J. Chua, A. Ramam. J. Phys.: Condens. Mater 14, 4461 (2002)
  • Г.В. Бенеманская, А.И. Бесюлькин, М.С. Дунаевский, А.К. Крыжановский, Н.М. Шмидт. ФТТ 45, 980 (2003)
  • Z.M. Zhao, R.L. Jiang, P. Chen, D.J. Xi, B. Shen, R. Zhang, Y.D. Zheng. J. Vac. Sci. Technol. B 19, 286 (2001)
  • J.-L. Lee, M. Weber, J.K. Kim, J.W. Lee, Y.J. Park, T. Kim, K. Lynn. Appl. Phys. Lett. 74, 2289 (1999)
  • V.J. Belitto, B.D. Thoms, D.D. Koleske, A.E. Wickenden, R.L. Henry. Surf. Sci. 430, 80 (1999)
  • H. Ishikawa, S. Kobayashi, Y. Koide, S. Yamasaki, S. Nagai, J. Umezaki, M. Koike, M. Murakami. J. Appl. Phys. 81, 1315 (1997)
  • O.E. Tereshchenko, S.I. Chikichev, A.S. Terekhov. J. Vac. Sci. Technol. A 17, 2655 (1999)
  • O.E. Tereshchenko, D. Paget, P. Chiaradia, J.E. Bonnet, F. Wiame, A. Taleb-Ibrahimi. Appl. Phys. Lett. 82, 4280 (2003)
  • Д. Бриггс, М.П. Сиха. Анализ поверхности методами оже- и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии. Мир, М. (1987). 600 с
  • T. Tsuruoka, M. Kawasaki, S. Ushida, R. Franchy, Y. Naoi, T. Sugahara, S. Sakai, Y. Shintani. Surf. Sci. 427--428, 257 (1998)
  • A. Degiovanni, J.L. Guyaux, P.A. Thiry, R. Caudano. Surf. Sci. 251 / 252, 238 (1991)
  • A.A. Aquino, T.S. Jones. Appl. Surf. Sci. 104 / 105, 304 (1996)
  • C.I. Wu, A. Kahn. Appl. Surf. Sci. 162 / 163, 250 (2000)
  • T.U. Kampen, M. Eyckeler, W. Monch. Appl. Surf. Sci. 123 / 124, 28 (1998)
  • O.E. Tereshchenko, A.A. Pakhnevich, H.E. Scheibler, A.S. Jaroshevich, S.V. Shevelev, A.S. Terekhov. Book of abstracts of the workshop "Polarized Sources and Target" (PST2003). Novosibirsk (2003). P. 26
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.