Теоретически исследован фотоиндуцированный фазовый переход полупроводник-металл, протекающий за время Delta t<1 ps в поверхностном слое пленки двуокиси ванадия на алюминиевой подложке. Рассмотрен нетепловой механизм развития неустойчивости. Показано, что в пленке VO2 образуется гетерофазная структура, содержащая металлические и полупроводниковые слои. Вычислено время фазового перехода tau в зависимости от расстояния z до поверхности пленки. Проведено сравнение с экспериментом. Работа выполнена в рамках задания Министерства образования и науки РФ (N 3.175.2014К от 18 июля 2014 г.). DOI: 10.21883/FTT.2017.02.44060.243
A. Cavalleri, Cs. Toth, C.W. Siders, J.A. Squier, F. Raksi, P. Forget, J.C. Kieffer. Phys. Rev. Lett. 87, 23, 237 401 (2001)
А.Л. Семенов. ФТТ 49, 12, 2196 (2007)
Л.Н. Булаевский. УФН 115, 2, 263 (1975)
А.А. Бугаев, Б.П. Захарченя, Ф.А. Чудновский. Фазовый переход металл-полупроводник и его применение. Наука, Л. (1979)
А.Л. Семенов. ЖЭТФ 114, 4 (10), 1407 (1998)
А.Л. Семенов. ЖЭТФ 116, 6 (12), 2154 (1999)
А.Л. Семенов. ЖЭТФ 117, 6, 1175 (2000)
А.Л. Семенов. ФТТ 42, 10, 1842 (2000)
В.И. Емельянов, А.Л. Семенов. ФТТ 32, 10, 3083 (1990)
В.И. Емельянов, Н.Л. Левшин, А.Л. Семенов. ФТТ 31, 10, 261 (1989)
В.Л. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников. Физика полупроводников. Глав. ред. физ.-мат. лит., М. (1990)
A. Cavalleri, Th. Dekorsy, H.H. Chong, J.C. Kieffer, R.W. Schoenlein. http://www.arxiv.org/cond-mat/0403214; Phys. Rev. B 70, 12, 161 102(R) (2004)
Н.Р. Белашенков, В.Б. Карасев, А.А. Солунин, И.А. Хакаев, К.Ш. Цибадзе, Ф.А. Чудновский. ФТТ 36, 8, 2475 (1994)
Ч. Киттель. Введение в физику твердого тела. Наука, М. (1978). С. 236
М.Б. Виноградова, О.В. Руденко, А.П. Сухоруков. Теория волн. Наука, М. (1990)
А.А. Бугаев, В.В. Гудялис, Б.П. Захарченя, Ф.А. Чудновский. Письма в ЖЭТФ 34, 8, 452 (1981)
В.М. Золотарев, В.Н. Морозов, Е.В. Смирнова. Оптические постоянные природных и технических сред. Справочник. Химия, Л. (1984). С. 182.