"Письма в журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Гетероструктуры с квантовыми точками CdTe/ZnTe для излучателей одиночных фотонов, выращенные методом молекулярно-пучковой эпитаксии
Российский научный фонд, #14-22-00107
Сорокин С.В. 1, Седова И.В. 1, Гронин С.В. 1, Беляев К.Г. 1, Рахлин М.В. 1, Торопов А.А.1, Мухин И.С. 2,3, Иванов С.В. 1
1Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2Федеральное государственное бюджетное учреждение высшего образования и науки «Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет Российской академии наук
3Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего обра-зования Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информа-ционных технологий, механики и оптики
Email: sorokin@beam.ioffe.ru, irina@beam.ioffe.ru, gronin_sergey@mail.ru, belyaev.kirill@mail.ioffe.ru, maximrakhlin@mail.ru, toropov@beam.ioffe.ru, imukhin@yandex.ru, ivan@beam.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 12 июля 2016 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2016 г.

Представлены результаты по молекулярно-пучковой эпитаксии гетероструктур с квантовыми точками (КТ) CdTe/ZnTe с достаточно низкой поверхностной плотностью, позволяющей их использование в качестве однофотонных излучателей. КТ формировались в результате осаждения на поверхность напряженного двумерного (2D) слоя CdTe толщиной 3.1-4.5 монослоев слоя аморфного Te и его последующей быстрой термической десорбции. Показано, что проведение последующего термического отжига поверхности с КТ в отсутствие внешнего потока Те приводит к сильному уширению и смещению в коротковолновую сторону пика фотолюминесценции (ФЛ) КТ. Измерение спектров микро-ФЛ одиночных КТ CdTe/ZnТе в изготовленных мезаструктурах диаметром 200-1000 nm позволило оценить поверхностную плотность КТ как ~ 1010 cm-2.
  • Quitsch W., Kummell T., Gust A. et al. // Phys. Status Solidi C. 2014. V. 11. N 7--8. P. 1256
  • Couteau C., Moehl S., Tinjod F. et al. // Appl. Phys. Lett. 2004. V. 85. N 25. P. 6251
  • Tinjod F., Gilles B., Moehl S. et al. // Appl. Phys. Lett. 2003. V. 82. N 24. P. 4340
  • Tinjod F., Robin I.-C., Andre R. et al. // J. Alloys Compd. 2004. V. 371. P. 63
  • Grabs P., Richter G., Fiederling R. et al. // Appl. Phys. Lett. 2002. V. 80. N 20. P. 3766
  • Sedova I.V., Sorokin S.V., Sitnikova A.A. et al. // Proc. 7th Int. Symp. "Nanostructures: Physics and Technology". St. Petersburg, Russia, 1999. P. 547
  • Marsal L., Besombes L., Tinjod F. et al. // J. Appl. Phys. 2002. V. 91. N 8. P. 4936
  • Godo K., Chang J.H., Makino H. et al. // J. Appl. Phys. 2002. V. 92. N 9. P. 5490
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.