Издателям
Вышедшие номера
Об оценках смещения G-пика рамановского спектра эпитаксиального графена
Давыдов С.Ю.1,2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики, Санкт-Петербург, Россия
Email: Sergei_Davydov@mail.ru
Поступила в редакцию: 24 мая 2016 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2017 г.

В модели двух связанных осцилляторов рассмотрено смещение частоты рамановского пика G эпитаксиального графена вследствие взаимодействия с подложкой, описываемого эффективной силовой константой связи k. Показано, что относительный сдвиг G-пика Deltaomega(G)/omega(G) propto k/k0g, где k0g --- силовая константа центрального взаимодействия однослойного графена. На основании предположения, что k propto P и k propto -T (где P и T --- давление и температура) и что именно изменение k является доминирующим, дано качественное объяснение экспериментальных зависимостей Deltaomega(G) от P и T. Кратко обсуждается влияние подложки на уширение G-пика эпитаксиального графена. DOI: 10.21883/FTT.2017.03.44178.209
  • D. Yoon, H. Cheong. In: Raman spectroscopy for nanomaterials characterization / Ed. by Challa S.S.R. Kumar. Springer (2012). P. 191
  • L.M. Malard, M.A. Pimenta, G. Dresselhaus, M.S. Dresselhaus. Phys. Rep. 473, 51 (2009)
  • A.C. Ferrari, D.M. Basko. Nature Nanotechnol. 8, 235 (2013)
  • Z.H. Ni, W. Chen, X.F. Fan, J.L. Kuo, T. Yu, A.T.S. Wee, Z.X. Shen. Phys. Rev. B 77, 115416 (2008)
  • N. Ferralis, R. Maboudian, C. Carraro. Phys. Rev. Lett. 101, 156801 (2008)
  • J. Robinson, C. Puls, N. Staley, J. Stitt, M. Fanton, K. Emtsev, T. Seyller, Y. Liu. Nano Lett. 9, 964 (2009)
  • E. Anastassakis, A. Pinczuk, E. Burstein, F.H. Pollak, M. Cardona. Solid State Commun. 8, 133 (1970)
  • H. Sakata, G. Dresselhaus, M.S. Dresselhaus, M. Enda. J. Appl. Phys. 63, 2769 (1988)
  • J.W. Ager III, S. Anders, A. Anders, I.G. Brown. Appl. Phys. Lett. 66, 3444 (1995)
  • J. Rohrl, M. Hundhausen, K. V. Emtsev, T. Seyller, R. Graupner, L. Ley. Appl. Phys. Lett. 92, 201918 (2008)
  • N. Ferralis, R. Maboudian, C. Carraro, Phys. Rev. B 83, 081410 (2011)
  • F. Fromm, M.H. Oliveira Jr., A. Molina-Sanchez, M. Hundhausen, J.M. Lopes, H. Riechert, L. Wirtz, T. Seyller. New J. Phys. 15, 043031 (2013)
  • N.S. Luo, P. Ruggerone, J.P. Tonnies. Phys. Rev. B 54, 5051 (1996)
  • C. Oshima, A. Nagashima. J. Phys.: Condens. Matter 9, 1 (1997)
  • A. Politano. arXiv: 1601.00573
  • С.Ю. Давыдов. ФТТ 52, 172 (2010)
  • У. Харрисон. Электронная структура и свойства твердых тел. Мир, М. (1983). Т. 1. 382 с
  • С.Ю. Давыдов, О.В. Посредник. Метод связывающих орбиталей в теории полупроводников. Изд-во СПбГЭТУ "ЛЭТИ", СПб. (2007); twirpx.com/file/1014608/
  • J. Borysiuk, J. So tys, R. Bozek, J. Piechota, S. Krukowski, W. Strupinski, J.M. Baranowski, R. Stepniewski. Phys. Rev. B 85, 045426 (2012)
  • А.А. Блистанов, В.С. Бондаренко, Н.В. Переломова, Ф.Н. Стрижевская, В.В. Чкалова, М.П. Шаскольская. Акустические кристаллы. Справочник. Наука, М. (1982). 632 с
  • В.М. Грабов, С.Ю. Давыдов, Ю.П. Миронов, А.М. Джумиго. ФТТ 27, 2017 (1985)
  • J.E. Proctor, E. Gregoryanz, K.S. Novoselov, M. Lotya, J.N. Coleman, M.P. Halsall. Phys. Rev. B 80, 073408 (2009)
  • S. Lu, M. Yao, X. Yang, Q. Li, J. Xiao, Z. Yao, L. Jiang, R. Liu, Bo Liu, S. Chen, B. Zou, T. Cui, B. Liu. Chem. Phys. Lett. 585, 101 (2013)
  • С.П. Никаноров, Б.К. Кардашев. Упругость и дислокационная неупругость кристаллов. Наука, М. (1985). 250 с
  • С.Ю. Давыдов. ФТТ 52, 756 (2010)
  • A.C. Ferrari, J.C. Meyer, V. Scardaci, C. Casiraghi, M. Lazzeri, F. Mauri, S. Piscanec, D. Jiang, K.S. Novoselov, S. Roth, A.K. Geim. Phys. Rev. Lett. 97, 187401 (2006)
  • D. Graf, F. Molitor, K. Ensslin, C. Stampfer, A. Jungen, C. Hierold, L. Wirtz. Nano Lett. 7, 238 (2007)
  • A. Cocemasov, D. Nika. In: ISPC "Modern information and electronic technologies". Odessa (2013). P. 130
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.