Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2017, выпуск 7 » Статья стр. 86
<<<
Генерация терагерцового излучения в многослойных квантово-каскадных гетероструктурах
DOI: 10.21883/PJTF.2017.07.44473.16602
Маремьянин К.В.1,2, Морозов С.В.1,2, Гавриленко В.И.1,2, Павлов А.Ю.3, Щаврук Н.В.3, Хабибуллин Р.А.3, Резник Р.Р.4,5,6, Цырлин Г.Э.4,5,6,7, Зубов Ф.И.4, Жуков А.Е.4,5, Алфёров Ж.И.4,7, Иконников А.В.1,2
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
3Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия
4Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
5Институт аналитического приборостроения РАН, Санкт-Петербург
6Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
7Санкт-Петербургский научный центр РАН
Email: antikon@ipmras.ru
Поступила в редакцию: 13 декабря 2017 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2017 г.
PDF версия
Исследованы вольт-амперные и излучательные характеристики многослойных квантово-каскадных гетероструктур GaAs/AlGaAs с двойным металлическим волноводом. Продемонстрированы ВАХ, типичные для квантовых каскадных лазеров. Наблюдался пороговый рост интенсивности и узкий спектр излучения, что характерно для лазерной генерации. Измеренная частота излучения составила около 3 THz, что совпадает с расчетным значением. Таким образом, впервые продемонстрированы полностью отечественные квантово-каскадные лазеры THz-диапазона. DOI: 10.21883/PJTF.2017.07.44473.16602
  1. Казаринов Р.Ф., Сурис Р.А. // ФТП. 1971. Т. 5. В. 4. С. 797--800
  2. Faist J., Capasso F., Sivco D.L. et al. // Science. 1994. V. 264. P. 553--556
  3. Beck M., Hofstetter D., Aellen T. et al. // Science. 2002. V. 295. P. 301--305
  4. Bai Y., Darvish S.R., Slivken S. et al. // Appl. Phys. Lett. 2008. V. 92. P. 101105
  5. Kohler R., Tredicucci A., Beltram F. et al. // Nature. 2002. V. 417. P. 156--159
  6. Siegel Р.Н. // IEEE Trans. Microw. Theory Tech. 2002. V. 50. N 3. P. 910--928
  7. Chan W.L., Deibel J., Mittleman D.M. // Rep. Prog. Phys. 2007. V. 70. N 8. P. 1325--1379
  8. Мамутин В.В., Устинов В.М., Boetthcher J., Kuenzel H. // ФТП. 2010. Т. 44. В. 7. С. 995--1001
  9. Засавицкий И.И., Зубов А.Н., Андреев А.Ю. и др. // Квантовая электроника. 2016. Т. 46. N 5. С. 447--450
  10. Бабичев А.В., Bousseksou A., Пихтин Н.А. и др. // ФТП. 2016. Т. 50. В. 10. С. 1320
  11. Fathololoumi S., Dupont E., Chan C.W.I. et al. // Opt. Express. 2012. V. 20. Iss. 4. P. 3866
  12. Жуков А.Е., Цырлин Г.Э., Резник Р.Р. и др. // ФТП. 2016. Т. 50. В. 5. С. 674--678
  13. Williams B.S. // Nat. Photon. 2007. V. 1. P. 517--525
  14. Хабибуллин Р.А., Щаврук Н.В., Павлов А.Ю. и др. // ФТП. 2016. Т. 50. В. 10. С. 1395--1400
  15. Антонов А.В., Гавриленко В.И., Иконников А.В. и др. // Известия вузов. Радиофизика. 2009. Т. LII. N 7. P. 550--556
  16. Ikonnikov A.V., Zholudev M.S., Spirin K.E. et al. // Semicond. Sci. Technol. 2011. V. 26. N 12. P. 125011
  17. Kumar S., Hu Q., Reno J.L. // Appl. Phys. Lett. 2009. V. 94. P. 131105
  18. Hu Q., Williams B.S., Kumar S. et al. // Semicond. Sci. Technol. 2005. V. 20. P. S228--S236
  19. Иконников А.В., Антонов А.В., Ластовкин А.А. и др. // ФТП. 2010. Т. 44. В. 11. С. 1514--1518
  20. Lu S.L., Schrottke L., Teitsworth S.W. // Phys. Rev. B. 2006. V. 73. P. 033311
  21. Хабибуллин Р.А., Щаврук Н.В., Клочков А.Н. и др. // ФТП. 2017. Т. 51. В. 4. C. 540

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme