Вышедшие номера
Home » Физика твердого тела » Год 2017, выпуск 6 » Статья стр. 1192
<<<>>>
Биэкситон в квантовых точках A2B6 с различными локализующими потенциалами
DOI: 10.21883/FTT.2017.06.44492.433
Головатенко А.А. 1, Семина М.А. 1, Родина А.В.1, Шубина Т.В. 1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: toodtoof@gmail.com
Поступила в редакцию: 30 ноября 2016 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2017 г.
PDF версия
Представлено сравнительное исследование влияния вида локализующего потенциала на энергию связи биэкситона в сферически-симметричных квантовых точках A2B6. Предложенный критерий сравнения исследуемых потенциалов - потенциального ящика, гармонического осциллятора и потенциала Гаусса - базируется на одинаковой локализации в них носителей заряда одного знака. Расчеты энергии связи биэкситона выполнены вариационным методом в рамках kp-теории возмущений с учетом дополнительных поляризационных членов в волновых функциях электронной и дырочной подсистем, а также с учетом сложной структуры валентной зоны. Полученные результаты демонстрируют, что наличие плавно меняющегося потенциала конечной высоты в квантовых точках Cd(Zn)Se/ZnSe может приводить к более эффективной локализации в случае биэкситона по сравнению с экситоном, что представляет интерес для реализации быстродействующих излучателей квантового света. Работа выполнена при поддержке Российского научного фонда (проект N 14-22-00107). DOI: 10.21883/FTT.2017.06.44492.433
  1. Т. Takagahara. Phys. Rev. В 39, 10206 (1989)
  2. V.D. Kulakovskii, G. Bacher, R. Weigand, T. Kummell, A. Forchel. Phys. Rev. Lett. 82, 1780 (1999)
  3. B. Patton, W. Langbein, U. Woggon. Phys. Rev. В 68, 125316 (2003)
  4. H.P. Wagner, H.-P. Tranitz, H. Preis, W. Langbein, K. Leosson, J.M. Hvam. Phys. Rev. B 60, 10640 (1999)
  5. Semiconductors. physics of II-VI and I-VII compounds. Semimagnetic semiconductors / Eds K.-H. Hellwege, O. Madelung. Landolt--Bornstein. New Series. Springer-Verlag, Berlin (1982). Group III. V. 17. Pt b
  6. D. Hommel, K. Leonardi, H. Heinke, H. Selke, K. Ohkawa, F. Gindele, U. Woggon. Phys. Status Solidi В 202, 835 (1997)
  7. F. Gindele, U. Woggon, W. Langbein, J.M. Hvam, K. Leonardi, D. Hommel, H. Selke. Phys. Rev. B 60, 8773 (1999)
  8. A. Klochikhin, A. Reznitsky, B. Dal Don, H. Priller, H. Kalt, C. Klingshirn, S. Permogorov, S. Ivanov. Phys. Rev. В 69, 085308 (2004)
  9. A. Reznitsky, M. Eremenko, I.V. Sedova, S.V. Sorokin, S.V. Ivanov. Phys. Status Solidi В 252, 1717 (2015)
  10. Т.V. Shubina, A.V. Rodina, M.A. Semina, A.A. Golovatenko, A.A. Toropov, M.V. Rakhlin, I.V. Sedova, S.V. Sorokin, S.V. Gronin, A.A. Sitnikova, D.I. Kuritsyn, S.M. Sergeev, Z.F. Krasil'nik, S.V. Ivanov. Phys. Status Solidi В 253, 1485 (2016)
  11. A.A. Golovatenko, M.A. Semina, A.V. Rodina, T.V. Shubina. Acta Phys. Pol. A 129, 107 (2016)
  12. D. Litvinov, M. Schowalter, A. Rosenauer, B. Daniel, J. Fallert, W. Loffler, H. Kalt, M. Hetterich. Phys. Status Solidi A 205, 2892 (2008)
  13. M. Nasilowski, P. Spinicelli, G. Patriarche, B. Dubertret. Nano Lett. 15, 3953 (2015)
  14. G.E. Cragg, Al.L. Efros. Nano Lett. 10, 313 (2010)
  15. F. Garcia-Santamaria, S. Brovelli, R. Viswanatha, J.A. Hollingsworth, H. Htoon, S.A. Crooker, V.I. Klimov. Nano Lett. 11, 687 (2011)
  16. W.K. Bae, L.A. Padilha, Y.-S. Park, H. McDaniel, I. Robel, J.M. Pietryga, V.I. Klimov. ACS Nano 7, 3411 (2003)
  17. S. Strauf, S.M. Ulrich, K. Sebald, P. Michler, T. Passow, D. Hommel, G. Bacher, A. Forchel. Phys. Status Solidi В 238, 321 (2003)
  18. A. Tribu, G. Sallen, T. Aichele, R. Andre, J.-P. Poizat, C. Bougerol, S. Tatarenko, K. Kheng. Nano Lett. 8, 4326 (2008)
  19. O. Fedorych, C. Kruse, A. Ruban, D. Hommel, G. Bacher, T. Kummell. Appl. Phys. Lett. 100, 061114 (2012)
  20. R.M. Thompson, R.M. Stevenson, A.J. Shields, I. Farrer, C.J. Lobo, D.A. Ritchie, M.L. Leadbeater, M. Pepper. Phys. Rev. В 64, 201302(R) (2001)
  21. Single semiconductor quantum dots. Ser. Nanoscience and Nanotechnology / Ed. P. Michler. Springer-Verlag, Berlin (2009). Ch. 6, 7
  22. L. Banyai. Phys. Rev. B 39, 8022 (1989)
  23. G.W. Bryant. Phys. Rev. B 41, 1243 (1990)
  24. O. Akimoto, E. Hanamura. J. Phys. Soc. Jpn. 33, 1537 (1972)
  25. Г.Б. Григорян, А.В. Родина, Ал.Л. Эфрос. ФТТ 32, 3512 (1990)
  26. W. Xie. J. Phys.: Condens. Matter 13, 3149 (2001)
  27. M. Califano, A. Franceschetti, A. Zunger. Phys. Rev. B 75, 115401 (2007)
  28. M. Korkusinski, O. Voznyy, P. Hawrylak. Phys. Rev. B 82, 245304 (2010)
  29. Y.Z. Hu, S.W. Koch, M. Lindberg, N. Peyghambarian, E.L. Pollock, F.F. Abraham. Phys. Rev. Lett. 64, 1805 (1990)
  30. M.A. Semina, A.A. Golovatenko, A.V. Rodina. Phys. Rev. B 93, 045409 (2016)
  31. Т.В. Шубина, К.Г. Беляев, М.А. Семина, А.В. Родина, А.А. Головатенко, А.А. Торопов, С.В. Сорокин, И.В. Седова, В.Ю. Давыдов, А.Н. Смирнов, П.С. Копьев, С.В. Иванов. ФТТ 58, 2175 (2016)
  32. Al.L. Efros, М. Rosen, М. Kuno, М. Nirmal, D.J. Norris, M. Bawendi. Phys. Rev. В 54, 4843 (1996)
  33. J.M. Luttinger. Phys. Rev. 102, 1030 (1956)
  34. Б.Л. Гельмонт, М.И. Дьяконов. ФТП 5, 2191 (1971)
  35. Al.L. Efros, A.V. Rodina. Solid State Commun. 72, 645 (1989)
  36. A.I. Ekimov, F. Hache, M.С. Schanne-Klein, D. Ricard, С. Flytzanis, I.A. Kudryavtsev, T.V. Yazeva, A.V. Rodina, Al.L. Efros. J. Opt. Soc. Am. В 10, 100 (1993)
  37. E.L. Ivchenko. Optical spectroscopy of semiconductor nanostructures. Alpha Science International, Ltd, Harrow, UK (2005). 427 p
  38. A.V. Rodina, Al.L. Efros. Phys. Rev. В 82, 125324 (2010)
  39. Ал.Л. Эфрос, А.Л. Эфрос. ФТП 16, 1209 (1982)
  40. A.A. Golovatenko, M.A. Semina, A.V. Rodina. In: Proc. of the 23rd Symp. "Nanostructures: physics and technology." St. Petersburg (2015). P. 105
  41. S. Chandrasekhar. Astrophys. J. 100, 176 (1944)
  42. A.V. Rodina, Al.L. Efros. ЖЭТФ 149, 641 (2016)
  43. K.A. Svit, K.S. Zhuravlev. J. Phys. Chem. С 119, 19496 (2015)
  44. A.D. Yoffe. Adv. Phys. 42, 173 (1993)
  45. O. Madelung. Semiconductors: data handbook. Springer, Berlin (2004). 691 p.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme