"Письма в журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Люминесценция солнечных элементов с гетеропереходом a-Si : H/c-Si
Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), 16-32-60060 мол_а_дк
Жигунов Д.М. 1, Ильин А.С. 1,2, Форш П.А. 1,2, Бобыль А.В. 3, Вербицкий В.Н. 3, Теруков Е.И. 3, Кашкаров П.К. 1,2
1Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
2НИЦ "Курчатовский институт", Москва
3Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: phorsh@mail.ru
Поступила в редакцию: 30 декабря 2016 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2017 г.

Исследованы электролюминесценция и фотолюминесценция солнечных элементов, содержащих гетеропереходы a-Si : H/c-Si. Установлено, что как электролюминесценция, так и фотолюминесценция исследованных элементов определяются излучательной рекомбинацией неравновесных носителей заряда в кристаллическом кремнии. Продемонстрировано, что внешний энергетический выход (КПД) электролюминесценции солнечных элементов с гетеропереходом a-Si : H/c-Si составляет при комнатной температуре значение 2.1%, что превосходит имеющиеся на данный момент значения для кремниевых диодных структур. Столь значительные величины КПД электролюминесценции могут объясняться хорошей пассивацией поверхности кристаллического кремния и соответственно увеличением времени жизни неосновных носителей заряда в исследованных элементах. DOI: 10.21883/PJTF.2017.10.44626.16626
  • de Boer W.D.A.M., Timmerman D., Dohnalova K. et al. // Nat. Nanotechnol. 2010. V. 5. P. 878
  • Cho K.S., Park N.M., Kim T.Y. et al. // Appl. Phys. Lett. 2005. V. 86. P. 071909
  • Takeoka S., Fujii M., Hayashi S. // Phys. Rev. B. 2000. V. 62. P. 16820
  • Huh Ch., Kim T.-Y., Ahn Ch.-G., Kim B.K. // Appl. Phys. Lett. 2015. V. 106. P. 211103
  • Emelyanov A.V., Kazanskii A.G., Khenkin M.V. et al. // Appl. Phys. Lett. 2012. V. 101. P. 081902
  • Emelyanov A.V., Kazanskii A.G., Forsh P.A. et al. // J. Nanoelectron. Optoelectron. 2015. V. 10. P. 649
  • Kveder V.V., Steinman E.A., Shevchenko S.A., Grimmeiss H.G. // Phys. Rev. B. 1995. V. 51. P. 10520
  • Шевченко C.А., Изотов Н.А. // ФТТ. 2003. Т. 45. С. 248
  • Ng W.L., Lourenco M.A., Gwilliam R.M. et al. // Nature. 2001. V. 410. P. 192
  • Green M.A., Zhao J., Wang A. et al. // Nature. 2001. V. 412. P. 805
  • Емельянов А.М. // Письма в ЖТФ. 2004. Т. 30. С. 75
  • Емельянов А.М. // ФТП. 2011. Т. 45. С. 823
  • Trupke T., Zhao J., Wang A. et al. // Appl. Phys. Lett. 2003. V. 82. P. 2996
  • Masuko K., Shigematsu M., Hashiguchi T. et al. // IEEE J. Photovolt. 2014. V. 4. P. 1433
  • Bresler M.S., Gusev O.B., Terukov E.I. et al. // J. Non-Cryst. Solids. 2004. V. 338--340. P. 440
  • Бреслер М.С., Гусев О.Б., Теруков Е.И. и др. // ФТТ. 2004. Т. 46. С. 18
  • Davies G. // Phys. Reports. 1989. V. 176. P. 83
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.