"Письма в журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Особенности протекания тока в структурах на основе барьера Шоттки Au/Ti/n-InAlAs
РФФИ, 14-29-08124 офи_м
Чистохин И.Б. 1, Аксенов М.С. 1, Валишева Н.А. 1, Дмитриев Д.В. 1, Журавлев К.С. 1,2, Гузев А.А. 1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск
2Новосибирский государственный университет, г. Новосибирск, 630090, ул. Пирогова, д. 2, Россия
Email: igor@isp.nsc.ru, aksenov@isp.nsc.ru, valisheva@isp.nsc.ru, ddmitriev@isp.nsc.ru, zhur@isp.nsc.ru, guzev@isp.nsc.ru
Поступила в редакцию: 9 января 2017 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2017 г.

Исследованы вольт-амперные характеристики барьеров Шоттки Au/Ti/ n-InAlAs/InP в температурном диапазоне 100-380 K. Показано, что при повышении температуры от 100 до 200 K коэффициент идеальности уменьшается от 1.58 до 1.1, а высота барьера повышается от 0.55 до 0.69 eV. При дальнейшем повышении температуры от 200 до 380 K коэффициент идеальности и высота барьера изменяются слабо. Такое поведение хорошо согласуется с моделью латеральной неоднородности высоты барьера (модель Танга), что подтверждается линейной зависимостью высоты барьера от коэффициента идеальности в диапазоне температур 100-200 K. В соответствии с этой моделью были рассчитаны значения высоты барьера гомогенного перехода 0.88 eV, среднеквадратичного отклонения 10-4cm2/3· V1/3 гауссова распределения высоты барьера, эффективной площади областей с пониженной высотой барьера 3.7· 10-11 cm2 и постоянной Ричардсона 10.7 A· cm-2· K-2. DOI: 10.21883/PJTF.2017.12.44712.16700
  • Berceli T., Herczfeld P. // IEEE Trans. Microw. Theory Tech. 2010. V. 58. P. 2992
  • Chizh A., Malyshev S., Mikitchuk K. // 2015 International Topical Meeting on Microwave Photonics (MWP). 2015. P. 1
  • Lien Y. et al. // Appl. Phys. Lett. 2006. V. 89. P. 083517
  • Rhoderick E.H., Williams R.H. Metal-Semiconductor Contacts. Clarendon Press, Oxford, University Press, Oxford, 1988
  • Hamdaoui N. et al. // Mater. Sci. Semicon. Process. 2014. V. 26. P. 431
  • Soylu M., Abay B. // Microelectron. Eng. 2009. V. 86. P. 88
  • Korkut H., Yildirim N., Turut A. // Microelectron. Eng. 2009. V. 86. P. 111
  • Tung R. // Phys. Rev. B. 1992. V. 45. P. 13509
  • Tung R., Sullivan J., Schrey E. // Mater. Sci. Eng. B. 1992. V. 14. P. 266
  • Sullivan J., Tung R., Pinto M., Graham W. // J. Appl. Phys. 1991. V. 70. P. 7403
  • Hardikar S. et al. // Appl. Phys. A. 1999. V. 68. P. 49
  • Korucu D., Turut A., Efeoglu H. // Physica B. 2013. V. 414. P. 35
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.