Представлены результаты исследования характеристик спин-туннельных магниторезистивных (СТМР) элементов, сформированных на основе многослойных наноструктур масочным методом. Экспериментально получены параметры магнитного отжига СТМР элементов, которые показывают возможности повышения величины магниторезистивного эффекта в 4-5 раз и более. Исследованы тестовые образцы СТМР элементов, обладающие величиной гигантского магниторезистивного эффекта до 50% и сопротивлением 30-35 kOmega, в отсутствие магнитного поля. DOI: 10.21883/JTF.2017.08.44740.2116
Ферт А. // УФН. 2008. Т. 178. N 12. С. 1336--1348
Касаткин С.И., Васильева Н.П., Муравьёв А.М. Спинтронные магниторезистивные элементы и приборы на их основе. М.: Электронинформ, 2005. 168 с
Prejbeanu I.L., Kerekes M., Sousa R.C., Sibuet H. et al. // J. Phys.: Condens. Mater. 2007. Vol. 19. P. 1--23
Гуляев Ю.В., Зильберман П.Е., Панас А.И., Эпштейн Э.М. // УФН. 2009. Т. 179. N 4. С. 359--368
Касаткин С.И., Муравьёв А.М., Васильева Н.П. // Датчики и системы. 2014. N 1. С. 55--59
Park C., Zhu J.-G., Moneck M.T., Peng Y., Laughlin D.E. // J. Appl. Phys. 2006. N 99
Lu Y., Lepine B., Jezequel G., Ababou S., Alnot M., Lambert J., Renard A., Mullet M., Deranlot C., Jaffres H., Petroff F., George J.-M. // J. Appl. Phys. 2010. N 108
Абанин И.Е., Амеличев В.В., Беляков П.А., Васильев Д.В., Казаков Ю.В., Костюк Д.В., Крикунов А.И., Орлов Е.П. // Нано- и микросистемная техника. N 4. 2015. С. 10--14
Wang W.G., Ni C., Miao G.X., Weiland C., Shah L.R., Fan X., Parson P., Jordan J., Kou X.M., Zhang Y.P., Stearrett R., Nowak E.R., Opila R., Moodera J.S., Xiao J.Q. // Phys. Rev. 2010. N 81
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.