Вышедшие номера
Влияние поверхностной нейтрализации активной примеси на автоэмиссионные свойства кристаллов кремния p-типа
РНФ, 16-19-10033
Яфаров Р.К.1
1Саратовский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, Саратов, Россия
Email: pirpc@yandex.ru
Поступила в редакцию: 28 июня 2017 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2017 г.

Исследованы корреляционные закономерности изменений структурно-фазового состава, морфологических и автоэмиссионных характеристик поверхностно структурированных кремниевых пластин дырочного типа проводимости ориентации (100) при их ступенчатой высокодозной ионно-лучевой обработке углеродом. Показано, что ступенчатая имплантация уменьшает пороги автоэмиссии и способствует увеличению максимальных плотностей автоэмиссионных токов более чем на два порядка. Рассмотрены физико-химические механизмы, ответственные за модификацию приповерхностных свойств кремниевых структур при ионной имплантации углерода. DOI: 10.21883/PJTF.2017.24.45346.16937
  1. Velasquez-Garci a L.F., Guerrera S., Niu Y., Akinwande A.I. // IEEE Trans. Electron Dev. 2011. V. 58. Iss. 6. P. 1783--1791
  2. Гуляев Ю.B., Абаньшин Н.П., Горфинкель Б.И., Морев С.П., Резчиков А.Ф., Синицын Н.И., Якунин А.Н. // Письма в ЖТФ. 2013. Т. 39. В. 11. С. 63--70
  3. Яфаров Р.К., Шаныгин В.Я. // ФТП. 2017. Т. 51. В. 4. С. 558--562
  4. Технология СБИС / Под ред. С. Зи. Пер. с англ. М.: Мир, 1986. Кн. 1. 404 с
  5. Нусупов К.Х., Бейсенханов Н.Б., Валитова И.В., Дмитриева Е.А., Жумагалиулы Д., Шиленко Е.А. // ФТТ. 2006. Т. 48. B. 7. С. 1187--1199

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.