Аналитическая модель атомно-слоевого осаждения пленок на 3D-структурах с высоким аспектным отношением
Фадеев А.В.
1, Мяконьких А.В.
1, Руденко К.В.
11Физико-технологический институт РАН, Москва, Россия
Email: AlexVFadeev@gmail.com, amiakonkikh@gmail.com, rudenko@ftian.ru
Поступила в редакцию: 13 июня 2017 г.
Выставление онлайн: 20 января 2018 г.
Предложена теоретическая модель, позволяющая предсказать пространственный профиль пленки, нанесенной на стенки высокоаспектной структуры (тренча) методом атомно-слоевого осаждения, в зависимости от параметров процесса осаждения. Модель позволяет рассчитать оптимальное время дозирования прекурсора, необходимое для конформного покрытия стенок тренча. Получена приближенная формула, описывающая осаждение пленок равной толщины на стенки тренча, включающая два асимптотических режима осаждения при различных соотношениях между коэффициентом прилипания молекул прекурсора и аспектным отношением структуры тренча. DOI: 10.21883/JTF.2018.02.45416.2385
Atomic Layer Deposition of Nanostructured Materials / Ed. by N. Pinna, M. Knez. Wiley-VCH Verlag \& Co. KGaA, 2012. 435 p
Rose M., Bartha J.W. // Appl. Surface Sci. 2009. Vol. 255. P. 6620-6623
Knoops H.C.M., Langereis E,. van de Sanden M.C.M, Kessels M.M. // J. Electrochem. Soc. 2010. Vol. 157. N 12. P. G241-G249
Gordon R.G., Hausmann D., Kim E., Shepard J. // Chem. Jap. Deposition. 2003. Vol. 9. N 2. P. 73-78
Yanguas-Gil A., Elam J.W. // ECS Transactions. 2011. Vol. 41. N 2. P. 169-174
Yanguas-Gil A., Elam J.W. // Chem. Vap. Deposition. 2012. Vol. 18. P. 46-52
Wang W.B., Abelson J.R. // J. Appl. Phys. 2014. Vol. 116. P. 116-124
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.