"Письма в журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Влияние конструкции резонатора на ширину линии одномодовых вертикально-излучающих лазеров ближнего ИК-диапазона
Президиум РАН, № 1 ” Наноструктуры: физика, химия, биология, основы технологий“, проект № 1144
Блохин С.А. 1, Бобров М.А. 1, Кузьменков А.Г. 1,2, Блохин А.А. 1,2, Васильев А.П. 1,2, Гусева Ю.А.1,2, Кулагина М.М. 1, Задиранов Ю.М. 1, Малеев Н.А. 1,3, Новиков И.И. 4, Карачинский Л.Я. 1,4, Леденцов Н.Н. 5, Устинов В.М. 1,2,6
1Физико-технический институт им А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ", Санкт-Петербург, Россия
4ООО "Коннектор Оптикс", Санкт-Петербург, Россия
5VI Systems GmbH, Berlin, Germany
6Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
Email: blokh@mail.ioffe.ru, bobrov.mikh@gmail.com, kuzmenkov@mail.ioffe.ru, bloalex91@yandex.ru, vasiljev@mail.ioffe.ru, guseva.ja@gmail.com, Marina.Kulagina@mail.ioffe.ru, zadiranov@mail.ioffe.ru, Maleev@beam.ioffe.ru, Innokenty.Novikov@connector-optics.com, Leonid.Karachinsky@connector-optics.com, nikolay.ledentsov@v-i-systems.com, vmust@beam.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 6 сентября 2017 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2017 г.

-1 Проведены исследования ширины линии излучения одномодовых вертикально-излучающих лазеров ближнего ИК-диапазона с активной областью на основе квантовых ям InGaAs / AlGaAs и различной конструкцией оптического микрорезонатора. При малых потерях на вывод излучения лазеры с 1lambda-резонатором и инжекцией носителей через распределенные брэгговские отражатели демонстрируют ширину линии излучения 70 MHz с ее ростом до 110 MHz при повышении потерь на вывод излучения (соответствующая дифференциальная эффективность ~ 0.65 W/A). Применение конструкции оптического резонатора с инжекцией носителей через внутрирезонаторные контакты и низкодобротные композиционные брэгговские решетки позволяет снизить ширину линии излучения до 40 MHz, несмотря на высокие потери на вывод излучения (соответствующая дифференциальная эффективность ~ 0.6 W/A). DOI: 10.21883/PJTF.2018.01.45432.17029
  • Michalzik R. // VCSELs: Fundamentals, technology and applications of vertical-cavity surface-emitting Lasers / Ed. R. Michalzik. Berlin: Springer-Verlag, 2013. P. 560
  • Kuksenkov D., Feld S., Wilmsen C. et al. // Appl. Phys. Lett. 1995. V. 66. Iss 3. P. 277
  • Reiner G., Zeeb E., Moller B. et al. // IEEE Photon. Technol. Lett. 1995. V. 7. Iss. 7. P. 730
  • Schmid W., Jung C., Weigl B. et al. // IEEE Photon. Technol. Lett. 1996. V. 8. Iss. 18. P. 1288
  • De Sopra F.M., Zappe H.P., Moser M. et al. // IEEE Photon. Technol. Lett. 1999. V. 11. Iss. 12. P. 1533
  • Bacou A., Rissons A., Mollier J.-C. // Proc. SPIE. 2008. V. 6908. P. 69080F
  • Serkland D.K., Peake G.M., Geib K.M. et al. // Proc. SPIE. 2006. V. 6132. P. 613208
  • Serkland D.K., Keeler G.A., Geib K.M., Peake G.M. // Proc. SPIE. 2009. V. 7229. P. 722907
  • Блохин С.А., Карачинский Л.Я., Новиков И.И. и др. // ФТП. 2014. Т. 48. В. 1. С. 81
  • Choquette K.D., Geib K.M., Ashby C.I.H. et al. // IEEE J. Selected. Topics Quantum Electron. 1997. V. 3. Iss. 3. P. 916
  • Малеев Н.А., Кузьменков А.Г., Кулагина М.М. и др. // ФТП. 2013. Т. 47. В. 7. С. 985
  • Бобров М.А., Малеев Н.А., Блохин С.А. и др. // ФТП. 2016. Т. 50. В. 10. С. 1408
  • Nazaruk D.E., Blokhin S.A., Maleev N.A. et al. // J. Phys. Conf. Ser. 2014. V. 572. P. 012036
  • Henry C.H. // IEEE J. Quantum Electron. 1982. V. 18. Iss. 2. P. 259
  • Dowd P., Summers H.D., White I.H. et al. // Electron. Lett. 1995. V. 31. Iss. 7. P. 557
  • Halbritter H., Shau R., Riemenschneider F. et al. // Electron. Lett. 2004. V. 40. Iss. 20. P. 1266.
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.