Вышедшие номера
Определение стационарного тока утечки в структурах с пленками сегнетоэлектрической керамики
Переводная версия: 10.1134/S1063783418030253
Подгорный Ю.В.1, Воротилов К.А.1, Сигов А.С.1
1МИРЭА - Российский технологический университет, Москва, Россия
Email: podgsom_2004@mail.ru
Выставление онлайн: 17 февраля 2018 г.

Исследованы стационарные токи утечки конденсаторных структур с сегнетоэлектрическими золь-гель пленками цирконата-титаната свинца (PZT), сформированными на кремниевых подложках с нижним Pt электродом. Установлено, что независимо от толщины пленки PZT структуры Pt/PZT/Hg характеризуются наличием выпрямляющего контакта, подобного p-n-переходу. Стационарный ток утечки в проводящем направлении увеличивается с уменьшением толщины пленки и определяется проводимостью объема сегнетоэлектрика. Работа выполнена при финансовой поддержке Минобрнауки России в рамках базовой части государственного задания в сфере научной деятельности, проект N 3.5726.2017/БЧ. DOI: 10.21883/FTT.2018.03.45539.02D
  1. J.F. Scott. Science 315, 954 (2007)
  2. K.A. Vorotilov, A.S. Sigov. Physics of the Solid State 54, 5, 894 (2012)
  3. G.W. Dietz, M. Schumacher, R. Waser, S.K. Streiffer, C. Basceri, A.I. Kingon. J. Appl. Phys. 82, 5, 2359 (1997)
  4. A. Sigov, Yu. Podgorny, K. Vorotilov, A. Vishnevskiy. Phase Trans. 86, 1141 (2013)
  5. Yu. Podgorny, K. Vorotilov, A. Sigov. J. Appl. Phys. Lett. 105, 182904 (2014)
  6. Yu. Podgorny, K. Vorotilov, A. Sigov. AIP Advances 6, 095025 (2016)
  7. N.M. Kotova, K.A. Vorotilov, D.S. Seregin, A.S. Sigov. Inorganic Materials. 50, 6, 612 (2014)
  8. S.M. Sze, K.Ng Kwok. Physics of Semiconductor Devices, John Wiley \& Sons, Hoboken, New Jersey (2007). 119 p
  9. M. Dawber, K.М. Rabe, J.F. Scott. Rev. Mod. Phys. 77, 1083 (2005)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.