Физика твердого тела
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Динамика развития канала переключения в планарных структурах на основе диоксида ванадия
Переводная версия: 10.1134/S1063783418030046 
Российский научный фонд, 16 19 00135
Беляев М.А.
1, Борисков П.П.
1, Величко А.А.
1, Пергамент А.Л.
1, Путролайнен В.В.
1, Рябоконь Д.В.
2,3, Стефанович Г.Б.
1, Сысун В.И.
1, Ханин С.Д.
2,3
1Петрозаводский государственный университет, Петрозаводск, Россия 
2Военная академия связи им. маршала СССР С.М. Буденного, Санкт-Петербург, Россия
3Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия
2Военная академия связи им. маршала СССР С.М. Буденного, Санкт-Петербург, Россия
3Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия
Email: biomax89@yandex.ru, boriskov@psu.karelia.ru, velichko@petrsu.ru, aperg@petrsu.ru, vputr@petrsu.ru, ryabokon90@gmail.com, gstef@yandex.ru, vsysun@petrsu.ru, sinklit@mail.ru
Выставление онлайн: 17 февраля 2018 г.
Представлены результаты экспериментального исследования и численного моделирования динамики развития канала переключения в планарных структурах на основе диоксида ванадия. Полученные результаты по изменению со временем температуры в канале и протекающего при импульсном нагружении тока и временам перехода из высокоомного состояния в низкоомное и обратно анализируются на предмет определения механизма переключения и прогнозирования функциональных характеристик переключательных оксиднованадиевых структур как перспективных для создания релаксационных генераторов - прототипов нейроосцилляторов. Показано, что переключение связано с фазовым переходом "металл-полупроводник" в диоксиде ванадия, стимулируемым выделением джоулева тепла. Работа выполнена при поддержке Российского научного фонда, грант N 16 19 00135. DOI: 10.21883/FTT.2018.03.45542.05D
- А.А. Бугаев, Б.П. Захарченя, Ф.А. Чудновский. Фазовый переход полупроводник--металл и его применение. Наука, Л. (1979). 183 с
- Б.П. Захарченя, В.П. Малиненко, Г.Б. Стефанович, М.Ю. Терман, Ф.А. Чудновский. Письма в ЖТФ 11, 2, 108 (1985)
- F.A. Chudnovskii, L.L. Odynets, A.L. Pergament, G.B. Stefanovich. J. Solid State Chem. 122, 95 (1996)
- A. Pergament, G. Stefanovich, V. Malinenko, A. Velichko. Adv. Condens. Matter Phys. 2015, 26 (2015)
- D. Li, A.A. Sharma, D.K. Gala, N. Shukla, H. Paik, S. Datta, D.G. Schlom, J.A. Bain, M. Skowronski. ACS Appl. Mater. Interfaces 8, 20, 12908 (2016). DOI: 10.1021/acsami.6b03501
- G.M. Liao, S. Chen, L.L. Fan, Y.L. Chen, X.Q. Wang, H. Ren, Z.M. Zhang, C.W. Zou. AIP Advances 6, 045014 (2016)
- I.P. Radu, B. Govoreanu, S. Mertens, X. Shi, M. Cantoro, M. Schaekers, M. Jurczak, S. De Gendt, A. Stesmans, J.A. Kittl, M. Heyns, K. Martens. Nanotechnology 26, 165202 (2015)
- J.K. Higgins, B.K. Temple, J.E. Lewis. J. Non-Cryst. Solids 23, 87 (1977)
- A.B. Pevtsov, A.V. Medvedev, D.A. Kurdyukov, N.D. Il'inskaya, V.G. Golubev, V.G. Karpov. Phys. Rev. B 85, 024110 (2012)
- G. Gopalakrishnan, D. Ruzmetov, S. Ramanathan. J. Mater. Sci. 44, 5345 (2009)
- B.-G. Chae, H.-T. Kim, D.-H. Youn, K.-Y. Kang. Physica B Condens. Matter 369, 76 (2005)
- E. Janod, J. Tranchant, B. Corraze, M. Querre, P. Stoliar, M. Rozenberg, T. Cren, Dimitri Roditchev, V. Ta Phuoc, M.-P. Besland, L. Cario. Adv. Funct. Mater. 25, 6287 (2015)
- A. Velichko, M. Belyaev, V. Putrolaynen, A. Pergament, V. Perminov. Int. J. Modern Phys. 31, 1650261 (2017)
- D. Vodenicarevic, N. Locatelli, F. Abreu Araujo, J. Grollier, D. Querlioz. Sci. Rep. (2017). DOI: 10.1038/srep44772
- Г.Н. Борисюк, Р.М. Борисюк, Я.Б. Казанович, Г.Р. Иваницкий. УФН 172, 1189 (2002)
- G.C. Vezzoli. J. Appl. Phys. 50, 6390 (1979)
- Y. Zhou, S. Ramanathan. Critical Rev. Solid State Mater. Sci. 38, 286 (2013)
- P. Uhd Jepsen, B.M. Fischer, A. Thoman, H. Helm, J.Y. Suh, Rene Lopez, R.F. Haglund, jr. Phys. Rev. B 74, 205103 (2006)
- И.А. Хахаев, Ф.А. Чудновский, Е.Б. Шадрин. ФТТ 36, 1643 (1994).
- Н.М. Беляев, А.А. Рядно. Методы теории теплопроводности. Высш. шк., М. (1982). Ч. I. 327 с
- В.И. Сысун, И.В. Сысун, П.П. Борисков. ЖТФ 45, 23 (2016)
- В.К. Саульев. Интегрирование уравнений параболического типа методом сеток. Изд-во физ.-мат. лит. М. (1960). 324 с
- E.R. Dobrovinskaya, L.A. Lytvynov, V. Pishchik. Sapphire: Material, Manufacturing, Applications. Springer Science \& Business Media (2009). 480 p
- E. Freeman, A. Kar, N. Shukla, R. Misra, R. Engel-Herbert, D. Schlom, V. Gopalan, K. Rabe, S. Datta. 70th Device Research Conference. University Park, USA (2012). 243 p
- M.A. Belyaev, V.V. Putrolaynen, A.A. Velichko, G.B. Stefanovich, A.L. Pergament. Jpn. J. Appl. Phys. 53, 111102 (2014)
- A.A. Velichko, M.A. Belyaev, V.V. Putrolaynen, V.V. Perminov, A.L. Pergament. Solid State Electronics (2017). In Press.
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
