Исследовано влияние концентрации кремния при одностороннем delta-легировании на электронные транспортные свойства псевдоморфных квантовых ям Al0.25Ga0.75As/In0.2Ga0.8 As/GaAs в широком интервале температур (2.1-300 K), что позволило обеспечить высокую подвижность электронов при T =4.2 K: до 35 700 cm2/(V· s) при их концентрации в квантовой яме 2· 1012 cm-2. Описан зонный механизм ограничения ионизации доноров при возрастании легирования. Обоснован механизм немонотонного изменения подвижности электронов с ростом концентрации доноров кремния: увеличение подвижности связано с ростом импульса Ферми и экранированием, а последующий ее спад обусловлен туннельной деградацией спейсерного слоя при понижении потенциала зоны проводимости в области слоя delta-Si. Показано, что эффект не связан с заполнением верхней подзоны размерного квантования. DOI: 10.21883/PJTF.2018.04.45636.16915
Ohno H., Luo J.K., Matsuzaki K., Hasegawa H. // Appl. Phys. Lett. 1989. V. 54. P. 36--38
Greally M.G., Hayne M., Usher A., Hill G., Hopkinson M. // J. Appl. Phys. 1996. V. 79. P. 8465--8469
Cordier Y., Lorenzini P., Chauveau J.-M., Ferre D., Androussi Y., DiPersio J., Vignaud D., Codron J.-L. // J. Cryst. Growth. 2003. V. 251. P. 822--826
Litwin-Staszewska E., Suski T., Skierbiszewski C., Kobbi F., Robert J.L., Mosser V. // J. Appl. Phys. 1995. V. 77. P. 405--407
Васильевский И.С., Галиев Г.Б., Климов Е.А., Мокеров В.Г., Широков С.С., Имамов Р.М., Субботин И.А. // ФТП. 2008. Т. 42. B. 9. С. 1102--1109
Babinski A., Siwiec-Matuszyk J., Baranowski J.M., Li G., Jagadish C. // Appl. Phys. Lett. 2000. V. 77. P. 999--1001
Cole E.A.B., Boettcher T., Snowden C.M. // Semicond. Sci. Technol. 1997. V. 12. P. 100--110
Vainberg V.V., Pylypchuk A.S., Baidus N.V., Zvonkov B.N. // Semicond. Phys. Quant. Electron. Optoelectron. 2013. V. 16. P. 152--161
Kadow C., Lin H.-K., Dahlstrom M., Rodwell M., Gossard A.C., Brar B., Sullivan G. // J. Cryst. Growth. 2003. V. 251. P. 543--546
Ishikawa T., Saito J., Sasa S., Hiyamizu S. // Jpn. J. Appl. Phys. 1982. V. 21. P. L675--L676
Schubert E.F., Ploog K. // Phys. Rev. B. 1984. V. 30. P. 7021--7029
Kulbachinskii V.A., Vasil'evskii I.S., Lunin R.A., Galistu G., de Visser A., Galiev G.B., Shirokov S.S., Mokerov V.G. // Semicond. Sci. Technol. 2007. V. 22. P. 222--228
Walukiewicz W., Ruda H.E., Agowski J.I., Gatos H.C. // Phys. Rev. B. 1984. V. 30. P. 4571--4582
Виниченко А.Н., Гладков В.П., Каргин Н.И., Стриханов М.Н., Васильевский И.С. // ФТП. 2014. Т. 48. В. 12. С. 1660--1665
Кульбачинский В.А., Овешников Л.Н., Лунин Р.А., Юзеева Н.А., Галиев Г.Б. // ФТП. 2015. Т. 49. В. 2. С. 204--213