Синтезированы образцы состава TlNiS₂ с гексагональной сингонией и параметрами элементарной решетки: a=12.28 Angstrem, c=19.32 Angstrem, rho=6.90 g/cm³. Результаты изучения электрических и термоэлектрических свойств образцов TlNiS₂ в области температур 80-300 K свидетельствовали о полупроводниковом характере проводимости p-типа. Установлено, что при температурах 110-240 K в образцах TlNiS₂ в постоянном электрическом поле имеет место прыжковая проводимость с переменной длиной прыжка по локализованным вблизи уровня Ферми состояниям. Оценены плотность локализованных состояний вблизи уровня Ферми N_F=9·10²⁰ eV^-1·cm^-3 и их разброс J~2·10^-2 eV. В области температур 80-110 K в TlNiS₂ наблюдалась безактивационная прыжковая проводимость. При низких температурах (80-240 K) термоэдс в TlNiS₂ подчинялась закономерности alpha(T)=A+BT, характерной при прыжковом механизме переноса заряда. Повышение температуры до температуры начала собственной проводимости с энергией активации Delta E=1.0 eV приводило к появлению собственных основных носителей заряда обоих знаков. Это вызывало повышение sigma, но одновременно резко снижало alpha; при этом термоэдс практически не зависела от температуры.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.