Издателям
Вышедшие номера
Термоэдс в области прыжковой проводимости TlNiS2
Мустафаева С.Н.1, Керимова Э.М.1, Джаббарлы А.И.1
1Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
Поступила в редакцию: 13 июня 2002 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2003 г.

Синтезированы образцы состава TlNiS2 с гексагональной сингонией и параметрами элементарной решетки: a=12.28 Angstrem, c=19.32 Angstrem, rho=6.90 g/cm3. Результаты изучения электрических и термоэлектрических свойств образцов TlNiS2 в области температур 80--300 K свидетельствовали о полупроводниковом характере проводимости p-типа. Установлено, что при температурах 110--240 K в образцах TlNiS2 в постоянном электрическом поле имеет место прыжковая проводимость с переменной длиной прыжка по локализованным вблизи уровня Ферми состояниям. Оценены плотность локализованных состояний вблизи уровня Ферми NF=9·1020 eV-1·cm-3 и их разброс J~2·10-2 eV. В области температур 80--110 K в TlNiS2 наблюдалась безактивационная прыжковая проводимость. При низких температурах (80--240 K) термоэдс в TlNiS2 подчинялась закономерности alpha(T)=A+BT, характерной при прыжковом механизме переноса заряда. Повышение температуры до температуры начала собственной проводимости с энергией активации Delta E=1.0 eV приводило к появлению собственных основных носителей заряда обоих знаков. Это вызывало повышение sigma, но одновременно резко снижало alpha; при этом термоэдс практически не зависела от температуры.
  • С.Н. Мустафаева, Э.М. Керимова, А.И. Джаббарлы. ФТТ 42, 12, 2132 (2000)
  • Э.М. Керимова, Ф.М. Сеидов, С.Н. Мустафаева, С.С. Абдинбеков. Неорган. материалы 35, 2, 157 (1999)
  • Ф.М. Сеидов, Э.М. Керимова, С.Н. Мустафаева, Р.К. Велиев, А.Б. Магеррамов. Fizika 6, 1, 47 (2000)
  • E.M. Kerimova, S.N. Mustafaeva, F.M. Seidov. Abstracts of 6th International School-Conference "Phase diagrams in Material Science". Kiev, Ukraine (2001)
  • M.A. Алджанов, М.Д. Наджафзаде. ФТТ 32, 8, 2494 (1990)
  • M.A. Aljanov, E.M. Kerimova, M.D. Nadjafzade. Abstracts of XIV IUPAC Conference on Chemical Thermodynamics. Osaka, Japan (1996). P. 25
  • Э.М. Керимова, Р.З. Садыхов, Р.К. Велиев. Неорган. материалы 37, 2, 180 (2001)
  • Н. Мотт, Э. Дэвис. Электронные поцессы в некристаллических веществах. Мир, М. (1974)
  • V. Augelli, C. Manfredotti, R. Murri, R. Piccolo, L. Vasanelli. IL Nuovo Cimento. 38, 2, 327 (1977)
  • Б.И. Шкловский, А.А. Эфрос. Электронные свойства легированных полупроводников. Наука, М. (1979)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.