В карбиде кремния n-типа с помощью облучения высокоэнергетическими (53 MeV) ионами аргона созданы приповерхностные полуизолирующие слои (i-SiC). Исследовано влияние термического отжига на электрические свойства облученных слоев. Показано, что наиболее высокоомными облученные слои i-SiC становятся после термообработки при температуре 600oC: их удельное сопротивление при комнатной температуре составляет не менее 1.6· 1013Omega· cm, а при температуре 230oC --- около 5· 107Omega· cm. DOI: 10.21883/0000000000
Иванов П.А., Кудояров М.Ф., Козловский М.А., Потапов А.С., Самсонова Т.П. // ФТП. 2016. Т. 50. B. 7. C. 937--940
Иванов П.А., Кудояров М.Ф., Козловский М.А., Потапов А.С., Самсонова Т.П. // Тр. XXVI Междунар. конф. "Радиационная физика твердого тела". Севастополь, 2016. C. 84
Kaneko H., Kimoto T. // Appl. Phys. Lett. 2011. V. 98. P. 262106
Kozlovski V.V., Lebedev A.A., Bogdanova E.V. // J. Appl. Phys. 2015. V. 117. P. 155702
Лебедев А.А., Козловский В.В., Белов С.В., Богданова Е.В., Оганесян Г.А. // ФТП. 2011. Т. 45. В. 9. С. 1188--1190
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.