Выполнены ab initio исследования электронной структуры и поверхности Ферми неупорядоченных твердых растворов Al--Si и Al--Ge. При содержании кремния около 10 at.% обнаружен топологический переход типа образования шейки, который может быть причиной экспериментально наблюдаемых аномалий транспортных свойств в системе Al--Si. Аналогичный переход обнаружен в системе Al--Ge и предсказано появление аномалий транспортных коэффициентов в области 10 at.% германия. Кроме того, установлено, что при увеличении концентрации легирующего компонента появляется ситуация нестинга (наложение электронно-дырочных карманов) --- особенность поверхности Ферми, которая может быть ответственна за нестабильность кристаллической структуры и усиление сверхпроводимости, наблюдаемые в ряду твердых растворов Al1-xSix и Al1-xGex. Работа выполнена при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 02-02-16006) и Королевской шведской академии наук.
M. Hansen, K. Anderko. Constitution of Binnary Alloys. McGraw-Hill Book Co. N.Y., (1958)
V.F. Degtyareva, G.V. Chipenko, I.T. Belash, O.I. Barkalov, E.G. Ponyatovskii. Phys. Stat. Solid. A89, K127 (1985)
N.V. Douglass, R.Jr. Meservey. Phys. Rev. A 19, 135 (1964)
A.I. Kolesnikov, O.I. Barkalov, I.T. Belash, E.G. Ponyatovsky, J.C. Lasjaunias, U. Buchenau, H.R. Schober, B. Frick. J. Phys.: Condens. Matter. 5, 4737 (1993)
N.E. Sluchanko, V.V. Glushkov, S.V. Demichev, N.A. Samarin, S.V. Savchenko, J. Singleton, W. Hayes, V.V. Brazhkin, A.A. Gippius, A.I. Shulgin. Phys. Rev. B 51, 1112 (1995)
A.A. Gippius, N.E. Sluchanko, V.V. Glushkov, S.V. Demichev, M.V. Kondrin, A.A. Pronin, V.V. Brazhkin, Y. Bruynseraede, V.V. Moshchalkov. J. Phys.: Cond. Matter. 12, 1 (2000)
J. Chevrier, J.B. Suck, J.C. Lasjaunias, M. Perroux, J.J. Capponi. Phys. Rev. B 49, 961 (1994)
J. Chevrier, J.B. Suck, J.J. Capponi, M. Perroux. Phys. Rev. Lett. 61, 54 (1988)
Н.Е. Случанко, В.В. Глушков, С.В. Демишев, М.В. Кондрин, Н.А. Самарин, В.В. Бражкин, И. Браунсераде, В.В. Мощалков. ФТТ 41, 3 (1999)
Н.Е. Случанко, В.В. Глушков, С.В. Демишев, М.В. Кондрин, Н.А. Самарин, В.В. Мощалков, В.В. Бражкин. ЖЭТФ 113, 339 (1998)
N.E. Sluchanko, V.V. Glushkov, S.V. Demishev, N.A. Samarin, V.V. Brazhkin. Ferroelectrics 117, 17 (1996)
I.A. Abrikosov, B. Johansson. Phys. Rev. B 57, 14 164 (1998)
J.P. Perdew, K. Burke, M. Ernzerhof. Phys. Rev. Lett. 77, 3865 (1996)
P.A. Korzhavyi, A.V. Ruban, I.A. Abrikosov, H.L. Skriver. Phys. Rev. B 51, 5773 (1995)
V.L. Moruzzi, J.F. Janak, K. Schwarz. Phys. Rev. B 37, 790 (1988)
N.V. Skorodumova, S.I. Simak, I.A. Abrikosov, B. Johansson, Y.Kh. Vekilov. Phys. Rev. B 57, 14 673 (1998)
A.A. Varlamov, V.S. Egorov, A.V. Pantsulaya. Adv. Phys. 38, 469 (1989)
D.V. Livanov, E.I. Isaev, S.I. Manokhin, A.S. Mikhaylushkin, Yu.Kh. Vekilov, S.I. Simak. Comput. Mater. Sci. 24, 284 (2002)
W. Kohn. Phys. Rev. Lett. 2, 393 (1959)
D.J. Scalapino, E. Loh, J.E. Hirsch. Phys. Rev. B 35, 6694 (1987)
L.P. Gorkov, O.N. Dorokhov. J. Low. Temp. Phys. 22, 1 (1976)
E. Bruno, B. Ginatempo, E.S. Giuliano. Phys. Rev. B 63, 174 107 (2001)
© 2017 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук