Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Увеличение фототока Ga(In)As-субэлемента в многопереходных солнечных элементах GaInP/Ga(In)As/Ge
Переводная версия: 10.1134/S1063785019120253 
Минтаиров С.А.
1, Емельянов В.М.
1, Калюжный Н.А.
1, Шварц М.З.1, Андреев В.М.
1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Email: mintairov@scell.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 22 июля 2019 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2019 г.
Проведено экспериментальное и теоретическое исследование спектральных характеристик Ga(In)As-субэлементa трехпереходных солнечных элементов GaInP/Ga(In)As/Ge. Показано, что использование слоя широкозонного "окна" с оптимизированной толщиной (Ga0.51In0.49P - 100 nm, Al0.4Ga0.6As - 110 nm, Al0.8Ga0.2As - 115 nm) для Ga(In)As-субэлемента позволяет увеличить его фототок на величину порядка 0.5 mA/cm2, замена материала слоя тыльного потенциального барьера GaInP-субэлемента с Al0.53In0.47P на p+-Ga0.51In0.49P или AlGaAs позволяет повысить ток короткого замыкания Ga(In)As-субэлемента еще на величину порядка 0.8 mA/cm2, а использование в туннельном диоде широкозонного слоя n++-Ga0.51In0.49P вместо n++-GaAs повышает фототок на величину порядка 1 mA/cm2. Ключевые слова: солнечный элемент, математическое моделирование, фототок, субэлемент, арсенид галлия.
- King R.R., Law D.C., Fetzer C.M., Sherif R.A., Edmondson K.M., Kurtz S., Kinsey G.S., Cotal H.L., Krut D.D., Ermer J.H., Karam N.H. // Proc. of the 20th EPVSEC. Barcelona, Spain, 2005. P. 118--123
- King R.R., Law D.C., Edmondson K.M., Fetzer C.M., Kinsey G.S., Yoon H., Sherif R.A., Karam N.H. // Appl. Phys. Lett. 2007. V. 90. P. 183516
- Guter W., Schone J., Philipps S.P., Steiner M., Siefer G., Wekkeli A., Welser E., Oliva E., Bett A.W., Dimroth F. // Appl. Phys. Lett. 2009. V. 94. P. 223504
- Barrutia L., Garci a I., Barrigon E., Ochoa M., Lombardero I., Hinojosa M., Cano P., Bautista J., Cifuentes L., Rey-Stolle I., Algora C. // Proc. of the 2018 Spanish Conf. on electron devices (CDE). IEEE, 2018. P. 8596996 (1--4). https://doi.org/10.1109/CDE.2018.8596996
- Theristis M., O'Donovan T.S. // Solar Energy. 2015. V. 118. P. 533--546
- Heini M., Aierken A., Li Z.H., Zhao X.F., Sailai M., Shen X.B., Xu Y., Liu H.T., Li Y.D., Guo Q., Liu C.M. // AIP Adv. 2018. V. 8. P. 105022
- Kim J.-H., Choi E.Y., Kim B.-J., Han E., Park N. // Vacuum. 2019. V. 162. P. 47--53
- Green M.A., Emery K., Hishikawa Y., Warta W., Dunlop E.D. // Prog. Photovolt.: Res. Appl. 2015. V. 23. P. 1--9.
- Stan M.A., Sharps P.R., Fatemi N.S., Spadafora F.S., Aiken D.J., Hou H.Q. // Proc. 28th IEEE PV Specialists Conf. IEEE, 2000. P. 1374--1377
- Минтаиров С.А., Андреев В.М., Емельянов В.М., Калюжный Н.А., Тимошина Н.К., Шварц М.З., Лантратов В.М. // ФТП. 2010. Т. 44. В. 10. С. 1118--1123
- Kalyuzhnyy N.A., Evstropov V.V., Lantratov V.M., Mintairov S.A., Mintairov M.A., Gudovskikh A.S., Luque A., Andreev V.M. // Int. J. Photoenergy. 2014. V. 2014. P. 836284
- Abeles F. // Ann. de Phys. 1950. V. 12. P. 596--640
- Васильев A.М., Ландсман А.П. Полупроводниковые преобразователи. М.: Сов. радио, 1971. 248 с
- Andreev V.M., Emelyanov V.M., Kalyuzhnyy N.A., Lantratov V.M., Mintairov S.A., Shvarts M.Z., Timoshina N.K. // Proc. 23th EPVSEC. Valencia, Spain, 2008. P. 375--381
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
