Исследовано влияние фазового перехода первого рода на параметры потенциального барьера на границе индий/полимер. Установлено, что фазовый переход, происходящий в металле, инициирует переключение полимерного диэлектрика в высокопроводящее состояние. Проведенные исследования показали, что основным механизмом переноса заряда в структуре металл--полимер--металл при высоких температурах является ток, обусловленный термоэлектронной эмиссией электронов. Анализ вольт-амперных характеристик показал, что фазовый переход первого рода в индии приводит к изменению высоты потенциального барьера на границе металл/полимер на Deltavarphi~0.18 eV. Оно и является причиной электронного переключения. Работа выполнена при поддержке грантов РФФИ N 09-03-00616-a, N 11-02-01445-a.
Н.С. Ениколопян, Ю.А. Берлин, С.И. Бешенко, В.А. Жорин. Письма в ЖЭТФ 44, 272 (1981)
Н.С. Ениколопян, Ю.А. Берлин, С.И. Бешенко, В.А. Жорин. ДАН СССР 258, 1400 (1981)
C.R. Wu, N. Johansson, A.N. Lachinov, S. Stafstrom, W.R. Salaneck. Synth. Met. 67, 319 (1994)
В.М. Корнилов, А.Н. Лачинов. Письма в ЖЭТФ 61, 504 (1995)
А.Н. Лачинов, Т.Г. Загуренко, В.М. Корнилов, А.И. Фокин, И.В. Александров, Р.З. Валиев ФТТ 42, 1882 (2000)
F. Holtzberg, A.F. Mayadas, W.A. Thompson, S. Molnar. US Patent N 3972035 (1976)
А.А. Бунаков, А.Н. Лачинов, Р.Б. Салихов. ЖТФ 73, 104 (2003)
Р.Б. Салихов, А.Н. Лачинов, Р.Г. Рахмеев. ФТП 41, 1182 (2007)
R.P. Berman, A.E. Curzon Can. J. Phys. 52, 923 (1974)
С.Н. Салазкин, С.Р. Рафиков, Г.А. Толстиков, М.Г. Золотухин. Докл. АН СССР 62, 355 (1982)
J.R. Rasmusson, Th. Kugler, R. Erlandsson, A.N. Lachinov, W.R. Salaneck. Synth. Metals 76, 195 (1996)
Фоменко В.С. Эмиссионные свойства материалов. Справочник. Наукова думка, Киев. (1981). 338 с
К. Као, В. Хуанг. Перенос электронов в твердых телах Ч. 1. Мир, М. (1984). 352 с
Л.А. Битюцкая, Е.С. Машкина. Письма в ЖТФ 21, 90 (1995)
J.G. Dash. Rev. Mod. Phys. 71, 1737 (1999)
R.W. Cahn. Nature 413, 582 (2001)
Т.Г. Загуренко, В.М. Корнилов, А.Н. Лачинов. ЖТФ 71, 27 (2002)
М. Ламперт, П. Марк. Инжекционные токи в твердых телах. Мир, М. (1973). 411 с
С. Зи. Физика полупроводниковых приборов. Ч. 1. Мир, М. (1984). 456 с
Б.Б. Алчагиров, Х.Х. Калажоков, Х.Б. Хоконов. Изв. АН СССР 55, 2463 (1991)
А.Н. Лачинов, В.М. Корнилов, Т.Г. Загуренко, А.Ю. Жеребов. ЖЭТФ 129, 728 (2006)
R.B. Salikhov, A.N. Lachinov, R.G. Rakhmeev. J. Appl. Phys. 101, 053 706 (2007)