Вышедшие номера
Исследование динамики выходной оптической мощности полупроводниковых лазеров (1070 nm) с маломодовым латеральным волноводом мезаполосковой конструкции при сверхвысоких токах накачки
Российский научный фонд, 19-79-30072
Шашкин И.С. 1, Лешко А.Ю. 1, Шамахов В.В. 1, Романович Д.Н.1, Капитонов В.А. 1, Бахвалов К.В. 1, Слипченко С.О. 1, Пихтин Н.А. 1, Копьев П.С. 1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: shashkin@mail.ioffe.ru, arobei@mail.ioffe.ru, Shamakhov@mail.ioffe.ru, Romanovich@mail.ioffe.ru, V.A.Kapitonov@mail.ioffe.ru, kirill_bah@yahoo.com, SergHPL@mail.ioffe.ru, nike@hpld.ioffe.ru, Ps@kopjev.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 4 декабря 2020 г.
В окончательной редакции: 24 декабря 2020 г.
Принята к печати: 28 декабря 2020 г.
Выставление онлайн: 3 февраля 2021 г.

В области сверхвысоких уровней импульсной токовой накачки исследованы характеристики полупроводниковых лазеров на основе асимметричной гетероструктуры с расширенным латеральным волноводом мезаполосковой конструкции. Продемонстрирована пиковая мощность 5.1 W при амплитуде тока накачки 10 A. Определены три типа пространственной динамики лазерного излучения: для начального уровня токов накачки характерно медленное (~ 200 ns) перестроение интенсивности вдоль выходной апертуры, для умеренных уровней токов накачки характерно наличие быстрых (~ 10 ns) процессов модовых перестроений, в области максимальных токов накачки перестроения не повторяются от импульса к импульсу и имеют хаотический характер. Ключевые слова: полупроводниковые лазеры, одномодовые лазеры, мезаполосковая конструкция, гетероструктура.