Электронная структура термически окисленного вольфрама
Российского фонда фундаментальных исследований (РФФИ), 20-02-00370
Дементьев П.А.1, Дементьева Е.В.1, Лапушкин М.Н.1, Смирнов Д.А.2, Тимошнев С.Н.3
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Institut fur Festkorper- und Materialphysik, Technische Universitat Dresden, Dresden, Germany
3Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Email: lapushkin@ms.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 25 марта 2021 г.
В окончательной редакции: 30 марта 2021 г.
Принята к печати: 30 марта 2021 г.
Выставление онлайн: 13 мая 2021 г.
С помощью метода фотоэлектронной спектроскопии проведены исследования in situ в сверхвысоком вакууме электронной структуры чистой поверхности вольфрама, окисленного при давлении кислорода 1 Torr и температуре 1000 K. Изучены спектры фотоэмиссии из валентной зоны и остовных уровней O 1s, O 2s, W 4f при синхротронном возбуждении в диапазоне энергий фотонов 80-600 eV. Найдено, что формируется полупроводниковая пленка окисла вольфрама, которая содержит различные окислы вольфрама со степенью окисления от 6+ до 4+. На поверхности образуются в основном окислы вольфрама со степенью окисления 6+, доля которых постепенно уменьшается по мере удаления от поверхности с увеличением окислов вольфрама со степенью окисления 4+. Ключевые слова: окисление вольфрама, фотоэлектронная спектроскопия.
- H. Zheng, J.Z. Ou, M.S. Strano, R.B. Kaner, A. Mitchell, K. Kalantar-zadeh. Adv. Funct. Mater. 21, 2175 (2011)
- V.R. Buch, A.K. Chawla, S.K. Rawal. Appl. Sci. Lett. 1, 115 (2015)
- C.C. Mardare, A.W. Hassel. Phys. Status Solidi A 216, 1900047 (2019)
- E.K.H. Salje, S. Rehmann, F. Pobell, D. Morris, K.S. Knight, T. Herrmannsdorfer, M.T. Dove. J. Phys. Condens. Matter 9, 6563 (1997)
- T. Vogt, P.M. Woodward, B.A. Hunter. J. Solid State Chem. 144, 209 (1999)
- H.A. Wriedt. Bull. Alloy Phase Diag. 10, 368 (1989)
- P.M. Oliver, S.C. Parker, R.G. Egdell, F.H. Jones. J. Chem. Soc., Faraday Trans. 92, 2049 (1996)
- F. Wang, C. Di Valentin, G. Pacchioni. J. Phys. Chem. C 115, 8345 (2011)
- J. Tanga, J. Ye. J. Mater. Chem. 15, 4246 (2005)
- M.B. Johansson, G. Baldissera, I. Valyukh, C. Persson, H. Arwin, G.A. Niklasson, L. Osterlund. J. Phys: Condens. Matter 25, 205502 (2013)
- H. Hamdi, E.K.H. Salje, P. Ghosez, E. Bousquet. Phys. Rev. B 94, 24 (2016)
- I. Perez, J.C.M. Faudoa, J.R.A. Acuna, J.T.E. Galindo. Comput. Mater. Sci. 190, 110248 (2021)
- O. Bouvard, A. Krammer, A. Schuler. Surf. Interface Anal. 48, 660 (2016)
- L. Ottaviano, F. Bussolotti, L. Lozzi, M. Passacantando, S. La Rosa, S. Santucci. Thin Solid Films 436, 9 (2003)
- V.V. Ganbavle, S.V. Mohite, J.H. Kim b, K.Y. Rajpure. Current Appl. Phys. 15, 84 (2015)
- H. Simchi, B.E. McCandless, T. Meng, W.N. Shafarman. J. Alloys Comp. 617, 609 (2014)
- Y.K. Park, C.J. Lim, Y. JiIm, S. Cho, S.W. Cho, H. Lee, H. Ogasawara. Current Appl. Phys. 21, 31 (2021)
- D.J. Palmer, P.G. Dickens. Acta Crystallogr. B 35, 2199 (1979)
- A.A. Bolzan, B.J. Kennedy, C.J. Howard. Aust. J. Chem. 48, 1473 (1995)
- M.R. Sundberg, P.-E. Werner, I.P. Zibrov. Z. Kristallogr. 209, 662 (1994)
- V.L. Shaposhnikov, D.B. Migas, V.N. Rodin, V.E. Borisenko. Phys. Status Solidi B 248, 1471 (2011)
- N. Smolentsev, M. Sikora, A.V. Soldatov, K.O. Kvashnina, P. Glatzel. Phys. Rev. B 84, 235113 (2011)
- K. Fujiwara, A. Tsukazaki. J. Appl. Phys. 125, 085301 (2019)
- A. Gulino, S. Parker, F.H. Jones, R.G. Egdell. J. Chem. Soc., Faraday Trans. 92, 2137 (1996)
- F.H. Jones, R.G. Egdell, A. Brown, F.R. Wondre. Surf. Sci. 374, 80 (1997)
- C S.C. Cifuentes, M.A. Monge, P. Pe. Corrosion Sci. 57, 114 (2012)
- E.A. Gulbransen, K.F. Andrew. J. Electrochem. Soc. 107, 619 (1960)
- C.J. Rosa, G.C. Chen, V.K. Sikka. Z. Metallk. 71, 529 (1980)
- В.Н. Агеев, Н.И. Ионов. ФТТ 11, 3200 (1969)
- U.Kh. Rasulev, E.Ya. Zandberg. Prog. Surf. Sci. 28, 181 (1988)
- I. Lindau, W.E. Spicer. J. Electr. Spectroscopy 3, 409 (1974)
- R. Sohal, C. Walczyk, P. Zaumseil, D. Wolansky, A. Fox, B. Tillack, H.-J. Mussig, T. Schroeder. Thin Solid Films 517, 4534 (2009)
- F.J. Wonga, S. Ramanathan. Mater. Res. 28, 2555 (2013)
- K. Fujiwara, A. Tsukazaki, J. Appl. Phys. 125, 085301 (2019).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
