Физика твердого тела

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Электронная структура термически окисленного вольфрама

DOI: 10.21883/FTT.2021.08.51173.065

Российского фонда фундаментальных исследований (РФФИ), 20-02-00370

Дементьев П.А.¹, Дементьева Е.В.¹, Лапушкин М.Н.¹, Смирнов Д.А.², Тимошнев С.Н.³

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

²Institut fur Festkorper- und Materialphysik, Technische Universitat Dresden, Dresden, Germany Institute of Solid State Physics, Dresden Technical University, Dresden, Germany

Institute of Solid State Physics, Dresden Technical University, Dresden, Germany

³Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия Alferov Federal State Budgetary Institution of Higher Education and Science Saint Petersburg National Research Academic University of the Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia

Alferov Federal State Budgetary Institution of Higher Education and Science Saint Petersburg National Research Academic University of the Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia

Email: lapushkin@ms.ioffe.ru

Поступила в редакцию: 25 марта 2021 г.

В окончательной редакции: 30 марта 2021 г.

Принята к печати: 30 марта 2021 г.

Выставление онлайн: 13 мая 2021 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

С помощью метода фотоэлектронной спектроскопии проведены исследования in situ в сверхвысоком вакууме электронной структуры чистой поверхности вольфрама, окисленного при давлении кислорода 1 Torr и температуре 1000 K. Изучены спектры фотоэмиссии из валентной зоны и остовных уровней O 1s, O 2s, W 4f при синхротронном возбуждении в диапазоне энергий фотонов 80-600 eV. Найдено, что формируется полупроводниковая пленка окисла вольфрама, которая содержит различные окислы вольфрама со степенью окисления от 6+ до 4+. На поверхности образуются в основном окислы вольфрама со степенью окисления 6+, доля которых постепенно уменьшается по мере удаления от поверхности с увеличением окислов вольфрама со степенью окисления 4+. Ключевые слова: окисление вольфрама, фотоэлектронная спектроскопия.

H. Zheng, J.Z. Ou, M.S. Strano, R.B. Kaner, A. Mitchell, K. Kalantar-zadeh. Adv. Funct. Mater. 21, 2175 (2011)
V.R. Buch, A.K. Chawla, S.K. Rawal. Appl. Sci. Lett. 1, 115 (2015)
C.C. Mardare, A.W. Hassel. Phys. Status Solidi A 216, 1900047 (2019)
E.K.H. Salje, S. Rehmann, F. Pobell, D. Morris, K.S. Knight, T. Herrmannsdorfer, M.T. Dove. J. Phys. Condens. Matter 9, 6563 (1997)
T. Vogt, P.M. Woodward, B.A. Hunter. J. Solid State Chem. 144, 209 (1999)
H.A. Wriedt. Bull. Alloy Phase Diag. 10, 368 (1989)
P.M. Oliver, S.C. Parker, R.G. Egdell, F.H. Jones. J. Chem. Soc., Faraday Trans. 92, 2049 (1996)
F. Wang, C. Di Valentin, G. Pacchioni. J. Phys. Chem. C 115, 8345 (2011)
J. Tanga, J. Ye. J. Mater. Chem. 15, 4246 (2005)
M.B. Johansson, G. Baldissera, I. Valyukh, C. Persson, H. Arwin, G.A. Niklasson, L. Osterlund. J. Phys: Condens. Matter 25, 205502 (2013)
H. Hamdi, E.K.H. Salje, P. Ghosez, E. Bousquet. Phys. Rev. B 94, 24 (2016)
I. Perez, J.C.M. Faudoa, J.R.A. Acuna, J.T.E. Galindo. Comput. Mater. Sci. 190, 110248 (2021)
O. Bouvard, A. Krammer, A. Schuler. Surf. Interface Anal. 48, 660 (2016)
L. Ottaviano, F. Bussolotti, L. Lozzi, M. Passacantando, S. La Rosa, S. Santucci. Thin Solid Films 436, 9 (2003)
V.V. Ganbavle, S.V. Mohite, J.H. Kim b, K.Y. Rajpure. Current Appl. Phys. 15, 84 (2015)
H. Simchi, B.E. McCandless, T. Meng, W.N. Shafarman. J. Alloys Comp. 617, 609 (2014)
Y.K. Park, C.J. Lim, Y. JiIm, S. Cho, S.W. Cho, H. Lee, H. Ogasawara. Current Appl. Phys. 21, 31 (2021)
D.J. Palmer, P.G. Dickens. Acta Crystallogr. B 35, 2199 (1979)
A.A. Bolzan, B.J. Kennedy, C.J. Howard. Aust. J. Chem. 48, 1473 (1995)
M.R. Sundberg, P.-E. Werner, I.P. Zibrov. Z. Kristallogr. 209, 662 (1994)
V.L. Shaposhnikov, D.B. Migas, V.N. Rodin, V.E. Borisenko. Phys. Status Solidi B 248, 1471 (2011)
N. Smolentsev, M. Sikora, A.V. Soldatov, K.O. Kvashnina, P. Glatzel. Phys. Rev. B 84, 235113 (2011)
K. Fujiwara, A. Tsukazaki. J. Appl. Phys. 125, 085301 (2019)
A. Gulino, S. Parker, F.H. Jones, R.G. Egdell. J. Chem. Soc., Faraday Trans. 92, 2137 (1996)
F.H. Jones, R.G. Egdell, A. Brown, F.R. Wondre. Surf. Sci. 374, 80 (1997)
C S.C. Cifuentes, M.A. Monge, P. Pe. Corrosion Sci. 57, 114 (2012)
E.A. Gulbransen, K.F. Andrew. J. Electrochem. Soc. 107, 619 (1960)
C.J. Rosa, G.C. Chen, V.K. Sikka. Z. Metallk. 71, 529 (1980)
В.Н. Агеев, Н.И. Ионов. ФТТ 11, 3200 (1969)
U.Kh. Rasulev, E.Ya. Zandberg. Prog. Surf. Sci. 28, 181 (1988)
I. Lindau, W.E. Spicer. J. Electr. Spectroscopy 3, 409 (1974)
R. Sohal, C. Walczyk, P. Zaumseil, D. Wolansky, A. Fox, B. Tillack, H.-J. Mussig, T. Schroeder. Thin Solid Films 517, 4534 (2009)
F.J. Wonga, S. Ramanathan. Mater. Res. 28, 2555 (2013)
K. Fujiwara, A. Tsukazaki, J. Appl. Phys. 125, 085301 (2019).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель