"Физика твердого тела"

Издателям

Статистика

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2018
- 1 2 3 4 5
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Особенности формирования и свойства светоизлучающих структур на основе ионно-синтезированных нанокристаллов кремния в матрицах SiO₂ и Al₂O₃

Михайлов А.Н.¹, Белов А.И.¹, Костюк А.Б.¹, Жаворонков И.Ю.¹, Королев Д.С.¹, Нежданов А.В.¹, Ершов А.В.¹, Гусейнов Д.В.¹, Грачева Т.А.¹, Малыгин Н.Д.¹, Демидов Е.С.¹, Тетельбаум Д.И.¹

¹Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия

Email: tetelbaum@phys.unn.ru

Поступила в редакцию: 25 апреля 2011 г.

Выставление онлайн: 20 января 2012 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Выполнено комплексное сравнительное исследование слоев оксидов SiO₂ и Al₂O₃ с нанокристаллами Si, сформированными путем имплантации ионов Si⁺ и высокотемпературного отжига. Информация о морфологии, фазовом составе, структуре и люминесцентных свойствах массивов ионно-синтезированных нанокристаллов Si получена с использованием методов конфокальной рамановской микроскопии, рентгеновской дифракции, инфракрасной Фурье-спектроскопии, электронного парамагнитного резонанса и фотолюминесценции. Установлено, что особенности образования нанокристаллов, их распределение по глубине, структура и характер химических связей подобны для обеих оксидных матриц, но обусловленная нанокристаллами фотолюминесценция в диапазоне длин волн 600-1000 nm в матрице Al₂O₃ имеет место только в случае формирования вокруг нанокристаллов Si оболочек SiO₂. Необходимое для формирования оболочек окисление поверхности нанокристаллов возможно как за счет избыточного кислорода в матрице Al₂O₃ (случай имплантации Si в осажденную пленку Al₂O₃), так и за счет притока кислорода из атмосферы отжига (случай имплантации Si в сапфир). Для проверки квантово-размерного механизма излучения света анализируются данные по температурной зависимости фотолюминесценции. Проанализированы также механизмы токопереноса и возбуждения электролюминесценции в диодных структурах на основе тонких ионно-синтезированных слоев с нанокристаллами кремния. Работа выполнена частично в рамках АВЦП "Развитие научного потенциала высшей школы", ФЦП "Научные и научно-педагогические кадры инновационной России", гранта Президента РФ (МК-185.2009.2) и гранта РФФИ (10-02-00995).

L. Pavesi, R. Turan. Silicon Nanocrystals: Fundamentals, Synthesis and Applications. WILEY-VCH Verlag GmbH \& Co, KGaA, Weinheim (2010). 613 p

T. Inokuma, Y. Wakayama, T. Muramoto, R. Aoli, Y. Kurata, S. Hasegawa. J. Appl. Phys. 83, 2228 (1998)

S. Takeoka, M. Fujii, S. Hayashi. Phys. Rev. B 62, 16 820 (2000)

T. Shimizu-Iwayama, S. Nakao, K. Saitoh. Appl. Phys. Lett. 65, 1814 (1994)

B. Barrido Fernandez, M. Lopez, C. Garcia, A. Perez-Rodriguez, J.R. Morante, C. Bonafos, M. Carrada, A. Claverie. J. Appl. Phys. 91, 798 (2002)

Д.И. Тетельбаум, О.Н. Горшков, А.П. Касаткин, А.Н. Михайлов, А.И. Белов, Д.М. Гапонова, С.В. Морозов. ФТТ 47, 17 (2005)

A. Sa'ar. J. Nanophotonics 3, 032 501 (2009)

B. Garrido, M. Lopez, A. Perez-Rodriguez, C. Garcia, P. Pellegrino, R. Ferre, J.A. Moreno, J.R. Morante, C. Bonafos, M. Carrada, A. Claverie, J. de la Torre, A. Souifi. Nucl. Instr. Meth. Phys. Res. B 216, 213 (2004)

M.V. Wolkin, J. Jorne, P.M. Fauchet, G. Allan, C. Delerue. Phys. Rev. Lett. 82, 197 (1999)

S. Yerci, U. Serincan, I. Dogan, S. Tokay, M. Genisel, A. Aydinli, R. Turan. J. Appl. Phys. 100, 074 301 (2006)

Д.И. Тетельбаум, А.Н. Михайлов, А.И. Белов, А.В. Ершов, Е.А. Питиримова, С.М. Планкина, В.Н. Смирнов, А.И. Ковалев, Д.Л. Вайнштейн, R. Turan, S. Yerci, T.G. Finstad, S. Foss. ФТТ 51, 385 (2009)

L. Bi, J.Y. Feng. J. Lumin. 121, 95 (2006)

P.D.J. Calcott, K.J. Nash, L.T. Canham, M.J. Kane, D. Brumhead. J. Phys.: Cond. Matter 5, L91 (1993)

G. Franzo, A. Irrera, E.C. Moreira, M. Miritello, F. Iacona, D. Sanfilippo, G. Di Stefano, P.G. Fallica, F. Priolo. Appl. Phys. A 74, 1 (2002)

B.Y. Park, S. Lee, K. Park, C.H. Bae, S.M. Park. J. Appl. Phys. 107, 014 314 (2010)

T. Creazzo, B. Redding, E. Marchena, J. Murakowski, D.W. Prather. J. Lumin. 130, 631 (2010)

Е.С. Демидов, Н.Е. Демидова, В.В. Карзанов, К.А. Марков, В.В. Сдобняков. ФТТ 51, 385 (2009)

D.I. Tetelbaum, A.N. Mikhaylov, V.K. Vasiliev, A.I. Belov, A.I. Kovalev, D.L. Wainstein, Yu.A. Mendeleva, T.G. Finstad, S. Foss, Y. Golan, A. Osherov. Surf. Coat. Technol. 203, 2658 (2009)

А.Ф. Зацепин. ФТТ 52, 1104 (2010)

M.Ya. Vakakh, V.A. Yukhimchuk, V.Ya. Bratus', A.A. Konchits, P.L.F. Hemment, T. Komoda. J. Appl. Phys. 85, 168 (1999)

B.D. Evans, G.J. Pogatshnik, Y. Chen. Nucl. Instr. Meth. Phys. Rev. B 91, 258 (1994)

D. Barba, F. Martin, G.G. Ross. Nanotechnol. 19, 115 707 (2008)

J.F. Ziegler. J. Appl. Phys. 85, 1249 (1999)

J. Zi, H. Buscher, C. Falter, W. Ludwig, K. Zhang, X. Xie. Appl. Phys. Lett. 69, 200 (1996)

J. Macia, E. Martin, A. Perez-Rodriguez, J. Jimenez, J.R. Morante, B. Aspar, J. Margail. J. Appl. Phys. 82, 3730 (1997)

Физические величины. Справочник / Под ред. И.С. Григорьева, Е.З. Мейлихова. Энергоатомиздат, М. (1991). 1232 с

М. Бродски. Аморфные полупроводники. Мир, М. (1982). 419 с

M.L. Brongersma, A. Polman, K.S. Min, E. Boer, T. Tambo, H.A. Atwater. Appl. Phys. Lett. 72, 2577 (1998)

J. Heitmann, F. Muller, L. Yi, M. Zacharias, D. Kovalev, F. Eichhorn. Phys. Rev. B 69, 195 309 (2004)

J. Wang, M. Righini, A. Gnoli, S. Foss, T. Finstad, U. Serincan, R. Turan. Solid State Commun. 147, 461 (2008)

S. Kuck. Appl. Phys. B 72, 515 (2001)

W.R. Harrell, J. Frey. Solid Films 352, 195 (1999)

S.M. Sze, K.K. Ng. Phys. Semicond. Devices. Wiley, Hoboken (2007). 815 p

M. Kulakci, U. Serincan, R. Turan. Semicond. Sci. Technol. 21, 1527 (2006)

O. Jambois, A. Vila, P. Pellegrino, J. Carreras, A. Perez-Rodriguez, B. Garrido, C. Bonafos, G. BenAssayag. J. Lumin. 121, 356 (2006)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель