Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Особенности вольт-амперной характеристики перехода Ti-Si@O@Al
Переводная версия: 10.21883/TPL.2022.09.55072.19276 
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации, Государственное задание Ярославского государственного университета им. П.Г. Демидова, 0856-2020-0006
Рудый А.С.
1, Чурилов А.Б.
1, Мироненко А.А.
1, Наумов В.В.
1, Курбатов С.В.
1, Козлов Е.А.
1
1Ярославский государственный университет им. П.Г. Демидова, Ярославль, Россия 
Email: rudy@uniyar.ac.ru, abchurilov@mail.ru, amironenko55@mail.ru, vnau@rambler.ru, kurbatov-93@bk.ru, eakf@yandex.ru
Поступила в редакцию: 8 июня 2022 г.
В окончательной редакции: 8 июня 2022 г.
Принята к печати: 13 июля 2022 г.
Выставление онлайн: 11 августа 2022 г.
Приведены результаты измерения вольт-амперных характеристик (ВАХ) перехода металл-полупроводник тестовой структуры Ti (200 nm)|Si@O@Al (180 nm)|Ti (203 nm). Основу нанокомпозита Si@O@Al составляет твердый раствор Al в аморфном кремнии a-Si(Al). ВАХ тестовой структуры имеет вид, характерный для обратносмещенного омического контакта металла и полупроводника p-типа. Отсюда следует, что a-Si(Al) - твердый раствор замещения. Показано, что ВАХ хорошо описывается в рамках модели перехода металл-полупроводник и варисторного эффекта нанокомпозита. Определены удельное сопротивление и коэффициент нелинейности нанокомпозита Si@O@Al. Ключевые слова: нанокомпозит, аморфный кремний, твердый раствор, барьер Шоттки, нелинейный проводник, оборванные связи.
- A.A. Mironenko, I.S. Fedorov, A.S. Rudy, V.N. Andreev, D.Yu. Gryzlov, T.L. Kulova, A.M. Skundin, Monatsh. Chem. --- Chem. Monthly, 150 (10), 1753 (2019). DOI: 10.1007/s00706-019-02497-1
- T.L. Kulova, A.A. Mironenko, A.S. Rudy, A.M. Skundin, All solid state thin-film lithium-ion batteries. Materials, technology, and diagnostics (CRC Press, Boca Raton, 2021). DOI: 10.1201/9780429023736
- А.С. Рудый, А.А. Мироненко, В.В. Наумов, А.Б. Чурилов, Письма в ЖТФ, 48 (12), 32 (2022). DOI: 10.21883/PJTF.2022.12.52676.19188
- М. Шур, Физика полупроводниковых приборов, пер. с англ. (Мир, М., 1992), кн. 1, с. 199. [M. Shur, Physics of semiconductor devices (Prentice-Hall, N.J., 1990), p. 197]
- М.К. Керимов, М.А. Курбанов, И.С. Султанахмедова, И.А. Фараджзаде, Ф.Н. Татардар, Х.С. Алиев, Ф.Ф. Яхъяев, У.В. Юсифова, ФТП, 44 (7), 934 (2010). [M.K. Kerimov, M.A. Kurbanov, I.S. Sultanahmedova, I.A. Faradzhzade, F.N. Tatardar, H.S. Aliyev, F.F. Yahyaev, U.V. Yusifova, Semiconductors, 44 (7), 904 (2010). DOI: 10.1134/S1063782610070134]
- D.A. Drabold, U. Stephan, J. Dong, S.M. Nakhmanson, J. Mol. Graphics Mod., 17 (5-6), 285 (1999). DOI: 10.1016/S1093-3263(99)00036-4
- Б.А. Голоденко, А.Б. Голоденко, Вестн. ВГУИТ, N 2, 65 (2014). https://cyberleninka.ru/article/n/modelirovanie-elektronnoy-struktury-i-raschyot-osnovnyh-elektro-fizicheskih-parametrov-amorfnogo-kremniya
- В.Б. Квасков, Полупроводниковые приборы с биполярной проводимостью (Энергоатомиздат, M., 1988)
- Т.Л. Кулова, Л.А. Мазалецкий, А.А. Мироненко, А.С. Рудый, А.М. Скундин, Ю.С. Торцева, И.С. Федоров, Микроэлектроника, 50 (1), 49 (2021). DOI: 10.31857/S0544126920060071 [T.L. Kulova, L.A. Mazaletskii, A.A. Mironenko, A.S. Rudyi, A.M. Skundin, Yu.S. Tortseva, I.S. Fedorov, Russ. Microelectronics, 50 (1), 45 (2021). DOI: 10.1134/S1063739720060074]
- P. Thomas, J.C. Flachet, J. Phys. Colloq., 42 (C4), C4-151 (1981). DOI: 10.1051/jphyscol:1981430
- H. Steinfink, B. Post, I. Fankuchen, Acta Cryst., 8 (7), 420 (1955). DOI: 10.1107/s0365110x55001333
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
