Исследование пьезоэлектрических свойств кристаллов бифталата рубидия методом времяразрешающей трехкристальной рентгеновской дифрактометрии
Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), Конкурс на лучшие научные проекты междисциплинарных фундаментальных исследований, 19-29-12037 мк
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации, Государственное задание ФНИЦ «Кристаллография и фотоника» РАН
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации, Федеральная научно-техническая программа развития синхротронных и нейтронных исследований и исследовательской инфраструктуры на 2019-2027 годы, 075-15-2021-1362
Ибрагимов Э.С.1,2, Куликов А.Г.1,2, Марченков Н.В.1,2, Писаревский Ю.В.1,2, Благов А.Е.1,2, Ковальчук М.В.1,2
1Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова ФНИЦ "Кристаллография и фотоника" РАН, Москва, Россия
2Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Москва, Россия
Email: ontonic@gmail.com
Поступила в редакцию: 4 июля 2022 г.
В окончательной редакции: 4 июля 2022 г.
Принята к печати: 6 июля 2022 г.
Выставление онлайн: 23 августа 2022 г.
С использованием метода времяразрешающей рентгеновской дифрактометрии в трехкристальной схеме измерена деформация решетки кристалла бифталата рубидия (С8H5RbO4) во внешнем электрическом поле. При воздействии внешнего импульсного электрического поля вдоль полярной оси [001] независимо по трем рефлексам 400, 070 и 004 определены пьезоэлектрические модули d31,d32 и d33, значения которых составили соответственно -32.8±0.6, 12.8±0.3 и 21.8±1.2 pC/N. Обнаружено хорошее соответствие полученных в данной работе величин пьезоэлектрических модулей значениям, полученным ранее квазистатическим методом. Ключевые слова: пьезоэлектрический эффект, времяразрешающая рентгеновская дифрактометрия, трехкристальная схема дифракции, кристаллы бифталатов, внешнее электрическое поле.
- H. Yan, Z. Feng, S. Shang, X. Wang, Z. Hu, J. Wang, Z. Zhu, H. Wang, Z. Chen, H. Hua, W. Lu, J. Wang, P. Qin, H. Guo, X. Zhou, Z. Leng, Z. Liu, C. Jiang, M. Coey, Z. Liu. Nature Nanotechnology 14, 2, 131 (2019). DOI: 10.1038/s41565-018-0339-0
- J. Hanzig, M. Zschornak, M. Nentwich, F. Hanzig, S. Gemming, T. Leisegang, D.C. Meyer. J. Power Sources 267, 700 (2014). DOI: 10.1016/j.jpowsour.2014.05.095
- А.А. Бухараев, А.К. Звездин, А.П. Пятаков, Ю.К. Фетисов. УФН 188, 1288 (2018). DOI: 10.3367/UFNr.2018.01.038279
- F. Gunkela, D.V. Christensen, Y.Z. Chen, N. Pryds. Appl. Phys. Lett. 116, 120505 (2020). DOI: 10.1063/1.5143309
- M.S. Khan, T.S. Narasimhamurty. J. Mater Sci Lett 1, 268 (1982). DOI: 10.1007/BF00727853
- K.B.R. Varma, A.K. Raychaudhuri. J. Phys. D 22, 809 (1989). DOI: 10.1088/0022-3727/22/6/017
- A.A. Kaminskii, S.N. Bagayev, V.V. Dolbinina, E.A. Voloshin, H. Rhee, H.J. Eichler, J. Hanuza. Laser Phys. Lett. 6, 544 (2009). DOI: 10.1002/lapl.200910020
- N. Kejalakshmy, K. Srinivasan. J. Phys. D 36, 1778 (2003). DOI: 10.1088/0022-3727/36/15/305
- D. Chopra. Rev. Sci. Instrum. 41, 1004 (1970). DOI: 10.1063/1.1684684
- Л.М. Беляев, Г.С. Беликова, А.Б. Гильварг, И.М. Сильвестрова. Кристаллография 14, 6, 645 (1969)
- S. Haussuhl. Z. Kristallographie 196, 1-4, 47 (1991). DOI: 10.1524/zkri.1991.196.14.47
- Г.С. Беликова, Ю.В. Писаревский, И.М. Сильвестрова. Кристаллография 19, 4, 878 (1974)
- J.M.A. Almeida, M.A.R. Miranda, L.H. Avanci, A.S. de Menezes, L.P. Cardoso, J.M. Sasaki. J. Synchrotron Rad. 13, 6, 435 (2006). DOI: 10.1107/S0909049506033061
- S. Gorfman, O. Schmidt, U. Pietsch, P. Becker, L. Bohaty. Z. Kristallographie 222, 8, 396 (2007). DOI: 10.1524/zkri.2007.222.8.396
- А.Е. Благов, Н.В. Марченков, Ю.В. Писаревский, П.А. Просеков, М.В. Ковальчук. Кристаллография 58, 1, 51 (2013). DOI: 10.7868/S0023476113010050
- D. Irzhak, D. Roshchupkin. AIP Advances 3, 102108 (2013). DOI: 10.1063/1.4824636
- А.Г. Куликов, Ю.В. Писаревский, А.Е. Благов, Н.В. Марченков, В.А. Ломонов, А.А. Петренко, М.В. Ковальчук. ФТТ 61, 4, 671 (2019). DOI: 10.21883/FTT.2019.04.47411.250
- A.G. Kulikov, A.E. Blagov, A.S. Ilin, N.V. Marchenkov, Yu.V. Pisarevskii, M.V. Kovalchuk. J. Appl. Phys. 127, 065106 (2020). DOI: 10.1063/1.5131369
- S. Gorfman, O. Schmidt, M. Ziolkowski, M. Kozierowski, U. Pietsch. J. Appl. Phys. 108, 064911 (2010). DOI: 10.1063/1.3480996
- B. Khanbabaee, E. Mehner, C. Richter, J. Hanzig, M. Zschornak, U. Pietsch, H. Stocker, T. Leisegang, D.C. Meyer, S. Gorfman. Appl. Phys. Lett. 109, 222901 (2016). DOI: 10.1063/1.4966892
- R.A. Smith. Acta Crystallographica B 31, 2347 (1975). DOI: 10.1107/S0567740875007558
- N.V. Marchenkov, A.G. Kulikov, A.A. Petrenko, Yu.V. Pisarevsky, A.E. Blagov. Rev. Sci. Instruments 89, 095105 (2018). DOI: 10.1063/1.5036955
- Н.В. Марченков, А.Г. Куликов, И.И. Аткнин, А.А. Петренко, А.Е. Благов, М.В. Ковальчук. УФН 189, 187 (2019). DOI: 10.3367/UFNr.2018.06.038348
- A. Petrenko, N. Novikova, A. Blagov, A. Kulikov, Y. Pisarevskii, I. Verin, M. Kovalchuk. J. Appl. Crystallography 54, 5, 1317 (2021). DOI: 10.1107/S1600576721007366
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
