Методом высокоразрешающей рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии изучен ближний порядок в аморфных пленках SiOx (0=<q x=<q2). Как модель случайных связей, так и модель случайной смеси не описывают экспериментальные фотоэлектронные спектры SiOx (x=<q2). Предложена промежуточная модель строения SiOx. Измеренные фотоэлектронные спектры валентной зоны SiOx (x=<q2) свидетельствуют о присутствии в них кремниевой фазы и оксида кремния. Работа выполнена при финансовой поддержке РФФИ (грант N 10-07-00531-a) и интеграционным проектом N 70 СО РАН.
M.C. Rossi, S. Salvatori, F. Scrimizzi, F. Galluzzi, R. Janssen, M. Stutzmann. J. Lumin. 80, 405 (1998)
I.Z. Indutnyy, P.E. Shepeliavyi, E.V. Michailovskaya, C.W. Park, J.B. Lee, Y.R. Do. J. Techn. Phys. 47, 720 (2006)
C. Banerjee, J. Sritharathikhum, A. Yamada, M. Konagai. J. Phys. D. 41, 1 (2008)
N.V. Duy, S. Jung, K. Kim, D.N. Son, N.T. Nga, J. Cho, B. Choi, J. Yi. J. Phys. D: 43, 1 (2010)
V.A. Gritsenko, J.B. Xu, R.W.M. Kwok, Y.N. Ng, I.H. Wilson. Phys. Rev. Lett. 81, 1054 (1998)
В.А. Гриценко. УФН 178, 727 (2008)
P. Bruesch, T. Stockmeier, F. Stucki, P.A. Buffat. J. Appl. Phys. 73, 7677 (1993)
F.G. Bell, L. Ley. Phys. Rev. B 37, 8383 (1988)
V.A. Gritsenko, Y.G. Shavalgin, P.A. Pundur, H. Wong, W.M. Kwok. Philos. Mag. B 80, 1857 (2000)
S. Hasegawa, L. He, T. Inokuma, Y. Kurata. Phys. Rev. B 46, 12 478 (1992)
D.V. Tsu, G. Lucovsky, B.N. Davidson. Phys. Rev. B 40, 1795 (1989)
В.А. Гриценко, Д.В. Гриценко, Ю.Н. Новиков, Р.В.М. Квок, И. Белло. ЖЭТФ 125, 868 (2004)
J.-J. Yen. Atomic calculation of photoionization cross-section and asymmetry parameters. Gordon and Breach Science Publisher, New Jersey, USA (1993). P. 223
E. Martinez, F. Yndurain. Phys. Rev. B 24, 5718 (1981)
Y. Kanemitsu, S. Okamoto, M. Otobe, S. Oda. Phys. Rev. B 55, R7375 (1997)
R.A. Puglisi, G. Nicotra, S. Lombardo, B.D. Salvo, C. Gerardi. Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 830, D5.6.1 (2005)
Y. Kanzawa, S. Hayashi, K. Yamamoto. J. Phys.: Cond. Matter 8, 4823 (1996)
W.L. Zhang, S. Zhang, M. Yang, Z. Liu, Z. Cen, T. Chen, D. Liu. Vacuum 84, 1043 (2010)
D. Nesheva, C. Raptis, A. Perakis, I. Bineva, Z. Aneva, Z. Levi, S. Alexandrova, H. Hofmeister. J. Appl. Phys. 92, 4678 (2002)
Y.C. Fang, W.Q. Li, L.J. Qi, L.Y. Li, Y.Y. Zhao, Z.J. Zhang, M. Lu. Nanotechnol. 15, 494 (2004)
А.П. Барабан, Д.В. Егоров, Ю.В. Петров, Л.В. Милоглядова. Письма в ЖТФ 30, 1 (2004)
E.V. Kolesnikova, M.V. Zamoryanskaya. Physica B 404, 4653 (2009)
T.W. Hickmott, J.E. Baglin. J. Appl. Phys. 50, 317 (1979)
Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. Электронные свойства легированных полупроводников. Наука, М. (1979). С. 416
В.А. Гриценко, К.С. Журавлев, В.А. Надолинный. ФТТ 53, 803 (2011)
© 2017 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук