Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Выращивание монокристаллов β-Ga2O3 раствор-расплавным методом
Переводная версия: 10.61011/TPL.2023.07.56446.19589 
Кицай А.А.1, Носов Ю.Г.1, Чикиряка А.В.1, Николаев В.И.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Email: chikiryaka@mail.ru
Поступила в редакцию: 12 апреля 2023 г.
В окончательной редакции: 12 апреля 2023 г.
Принята к печати: 16 мая 2023 г.
Выставление онлайн: 28 июня 2023 г.
Исследованы режимы выращивания кристаллов Ga2O3 из раствора оксида галлия в расплаве MoO3 в процессе выпаривания MoO3 при температуре 1050oC. Показано, что при этой температуре кристаллическая фаза Ga2O3 находится в равновесии с расплавом MoO3. В результате экспериментов получены монокристаллы β-Ga2O3 размером до 1.5 mm в поперечном сечении. Состав и структура кристаллов изучены методами рентгеновской дифракции и электронной микроскопии. Ключевые слова: оксид галлия, рост кристаллов, широкозонный полупроводник.
- S.J. Pearton, J. Yang, P. Cary, F. Ren, J. Kim, M. Tadjer, M. Mastro, Appl. Phys. Rev., 5 (1), 011301 (2018). DOI: 10.1063/1.5006941
- M. Zhang, Z. Liu, L. Yang, J. Yao, J. Chen, J. Zhang, W. Wei, Y. Guo, W. Tang, Crystals, 12 (3), 406 (2022). DOI: 10.3390/cryst12030406
- Z. Galazka, J. Appl. Phys., 131 (3), 031103 (2022). DOI: 10.1063/5.0076962
- S. Zhang, X. Lian, Y. Ma, W. Liu, Y. Zhang, Y. Xu, H. Cheng, J. Semicond., 39 (8), 083003 (2018). DOI: 10.1088/1674-4926/39/8/083003
- K. Hoshikawa, T. Kobayashi, Y. Matsuki, E. Ohba, T. Kobayashi, J. Cryst. Growth, 545, 125724 (2020). DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2020.125724
- В.Н. Маслов, В.И. Николаев, В.М. Крымов, В.Е. Бугров, А.Е. Романов, ФТТ, 57 (7), 1315 (2015). [V.N. Maslov, V.I. Nikolaev, V.M. Krymov, V.E. Bugrov, A.E. Romanov, Phys. Solid State, 57 (7), 1342 (2015). DOI: 10.1134/S1063783415070215]
- S. Pearton, S. Oh, S. Kim, J. Kim, F. Ren, Sci. Talks, 1, 100001 (2022). DOI: 10.1016/j.sctalk.2022.100001
- G. Katz, R. Roy, J. Am. Ceram. Soc., 49 (3), 168 (1966). DOI: 10.1111/j.1151-2916.1966.tb15399.x
- В.А. Тимофеева, Рост кристаллов, 6, 86 (1965)
- M. Schieber, J. Am. Ceram. Soc., 47 (10), 537 (1964). DOI: 10.1111/j.1151-2916.1964.tb13810.x
- J. Angstrem hman, G. Svensson, J. Albertsson, Acta Crist., 52 (6), 1336 (1996). DOI: 10.1107/s0108270195016404
- M. Rubbo, M. Bruno, F.R. Massaro, D. Aquilano, Cryst. Growth Des., 12 (1), 264 (2012). DOI: 10.1021/cg201031s
- T. Sekiya, Mater. Res. Bull., 16 (7), 841 (1981). DOI: 10.1016/0025-5408(81)90158-6
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
