N2 plasma interaction with molybdenum disulfide monolayers
Khlebnikov S. A.1,2, Solovykh A. A.1,2, Mankelevich Yu. A. 1, Voronina E. N. 1,2
1Lomonosov Moscow State University, Skobeltsyn Institute of Nuclear Physics, Moscow, Russia
2Lomonosov Moscow State University, Moscow, Russia
Email: sergo0409@mail.ru, solovykh.aa19@physics.msu.ru, ymankelevich@mics.msu.su, voroninaen@nsrd.sinp.msu.ru

PDF
Based on ab initio DFT simulation results, the main processes of the interaction of thermal N atoms with MoS2 monolayers are revealed, potential mechanisms of defect formation by low-energy ions N_2+ are described, and the ion threshold energy required to sulfur removal is estimated. Keywords: molybdenum disulfide, monolayer, plasma, radicals, ions, simulation. DOI: 10.61011/TPL.2023.09.56709.19640
  1. Z.M. Wang, MoS2. Materials, physics, and devices (Springer, 2014). DOI: 10.1007/978-3-319-02850-7
  2. B. Radisavljevic, A. Radenovic, J. Brivio, V. Giacometti, A. Kis, Nature Nanotechnol., 6 (3), 147 (2011). DOI: 10.1038/nnano.2010.279
  3. L.A. Chernozatonskii, A.A. Artyukh, Phys. Usp., 61 (1), 2 (2018). DOI: 10.3367/UFNe.2017.02.038065
  4. J. Guo, B. Yang, Zh. Zheng, J. Jiang, Physica E, 87, 150 (2016). DOI: 10.1016/j.physe.2016.12.004
  5. A. Azcatl, X. Qin, A. Prakash, Ch. Zhang, L. Cheng, Q. Wang, N. Lu, M.J. Kim, J. Kim, K. Cho, R. Addou, Ch.L. Hinkle, J. Appenzeller, R.M. Wallace, Nano Lett., 16 (9), 5437 (2016). DOI: 10.1021/acs.nanolett.6b01853
  6. Q. Qian, Z. Zhang, M. Hua, G. Tang, J. Lei, F. Lan, Y. Xu, R. Yan, K.J. Chen, Nanotechnology, 28 (17), 175202 (2017). DOI: 10.1088/1361-6528/aa6756
  7. H. Zhu, X. Qin, L. Cheng, A. Azcatl, J. Kim, R.M. Wallace, ACS Appl. Mater. Interfaces, 8 (29), 19119 (2016). DOI: 10.1021/acsami.6b04719
  8. D.E. Melezhenko, D.V. Lopaev, A.I. Zotovich, E.N. Voronina, Tech. Phys. Lett., 48 (11), 65 (2022). DOI: 10.21883/tpl.2022.11.54894.19330
  9. G. Kresse, D. Joubert, Phys. Rev. B, 59 (3), 1758 (1999). DOI: 10.1103/PhysRevB.59.1758
  10. V.V. Voevodin, A.S. Antonov, D.A. Nikitenko, P.A. Shvets, S.I. Sobolev, I.Yu. Sidorov, K.S. Stefanov, V.V. Voevodin, S.A. Zhumatiy, Supercomput. Front. Innov., 6 (2), 4 (2019). DOI: 10.14529/jsfi1902
  11. J. He, K. Wu, R. Sa, Q. Li, Y. Wei, Appl. Phys. Lett., 96 (8), 082504 (2010). DOI: 10.1063/1.3318254
  12. N. Balucani, Chem. Soc. Rev., 41 (16), 5473 (2012). DOI: 10.1039/c2cs35113g
  13. E.N. Voronina, Yu.A. Mankelevich, T.V. Rakhimova, D.V. Lopaev, J. Vac. Sci. Technol. A, 37 (6), 061304 (2019). DOI: 10.1116/1.5122655

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Publisher:

Ioffe Institute

Institute Officers:

Director: Sergei V. Ivanov

Contact us:

26 Polytekhnicheskaya, Saint Petersburg 194021, Russian Federation
Fax: +7 (812) 297 1017
Phone: +7 (812) 297 2245
E-mail: post@mail.ioffe.ru