Изготовлены и изучены гетероструктурные солнечные элементы HJT на кремниевой подложке n-типа, а также исследовано влияние облучения электронами на их фотоэлектрические свойства. Показано, что при облучении электронами с флюенсом 5· 10¹⁴ cm^-2 происходит катастрофическое падение величины квантовой эффективности при длинах волн более 600 nm, приводящее к уменьшению тока короткого замыкания с 33 до 22 mA/cm² и напряжения холостого хода с 0.7 до 0.52 V, а при флюенсе 1· 10¹⁵ cm^-2 - до 18 mA/cm² и 0.50 V соответственно. С помощью метода спектроскопии полной проводимости обнаружен дефект с энергией активации 0.18 eV в облученных структурах, который, вероятно, может быть ответственным за такое поведение характеристик, его концентрация увеличивается при увеличении флюенса. Ключевые слова: солнечный элемент, спектроскопия полной проводимости, радиационная стойкость.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.