Вышедшие номера
Исследование влияния облучения потоком электронов на фотоэлектрические и электрофизические свойства кремниевых гетероструктурных солнечных элементов
Министерства науки и высшего образования РФ, Государственное задание, 0791-2023-0007
Михайлов О.П.1,2, Баранов А.И.1, Гудовских А.С.1,2, Теруков Е.И.2,3,4, Кочергин А.В.2,4, Костик Н.Р.2, Атабоев О.К.5
1Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
3Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4НТЦ тонкопленочных технологий в энергетике, Санкт-Петербург, Россия
5Научно-исследовательский институт физики полупроводников и микроэлектроники, Ташкент, Узбекистан
Email: baranov_art@spbau.ru
Поступила в редакцию: 11 сентября 2023 г.
В окончательной редакции: 26 октября 2023 г.
Принята к печати: 26 октября 2023 г.
Выставление онлайн: 6 января 2024 г.

Изготовлены и изучены гетероструктурные солнечные элементы HJT на кремниевой подложке n-типа, а также исследовано влияние облучения электронами на их фотоэлектрические свойства. Показано, что при облучении электронами с флюенсом 5· 1014 cm-2 происходит катастрофическое падение величины квантовой эффективности при длинах волн более 600 nm, приводящее к уменьшению тока короткого замыкания с 33 до 22 mA/cm2 и напряжения холостого хода с 0.7 до 0.52 V, а при флюенсе 1· 1015 cm-2 - до 18 mA/cm2 и 0.50 V соответственно. С помощью метода спектроскопии полной проводимости обнаружен дефект с энергией активации 0.18 eV в облученных структурах, который, вероятно, может быть ответственным за такое поведение характеристик, его концентрация увеличивается при увеличении флюенса. Ключевые слова: солнечный элемент, спектроскопия полной проводимости, радиационная стойкость.