Вышедшие номера
Пороговые эффекты в энергетическом спектре квазидвумерных электронов обогащенного слоя
Шульман А.Я. 1, Посвянский Д.В. 1
1Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, Москва, Россия
Email: ash@cplire.ru, dimitrii.posvyanskii@gmail.com
Поступила в редакцию: 26 апреля 2024 г.
В окончательной редакции: 26 апреля 2024 г.
Принята к печати: 3 мая 2024 г.
Выставление онлайн: 18 июня 2024 г.

Рассматривается задача об определении пороговых значений электрического поля F, при которых в обогащенном слое на поверхности полупроводника n-типа появляется новая подзона размерного квантования. Обсуждены представленные в литературе трудности такого определения в экспериментальных и вычислительных работах. Предложено объяснение имеющимся фактам как проявление квадратичной зависимости энергии E мелкого уровня от глубины потенциальной ямы вблизи порога рождения. Получены формулы пороговой зависимости E(F) для случая параболической зоны проводимости в объеме полупроводника. Показана возможность применения порогового приближения не только к основной, но и к возбужденным подзонам. При непараболической зоне проводимости рассмотрен пороговый характер в зависимости энергии размерно-квантованного уровня от квазиимпульса k| вдоль поверхности. С параметрами n-InAs выполнены численные расчеты двумерных спектров в условиях появления основной подзоны, первой и второй возбужденных. Проведен их анализ на основе полученных формул. Предложен метод определения порога рождения подзоны по имеющимся данным из области выше порога. Обнаружена и исследована неустойчивость самосогласованного решения системы из уравнения Пуассона и уравнения эффективной массы в случае второй возбужденной подзоны. Приведены доводы в пользу интерпретации этой неустойчивости как свидетельства формирования в обогащенном слое двумерных подзон валентного типа с отрицательной массой. Обсуждается возможная связь появления такого спектра в глубокой потенциальной яме, сравнимой с шириной запрещенной зоны, c предположением Л.В. Келдыша о природе амфотерности примесей, создающих глубокие уровни в запрещенной зоне полупроводника. Ключевые слова: полупроводники, низкоразмерные структуры, обогащенный слой, двухзонная модель Кэйна, уравнение эффективной массы, пороговые явления в двумерном спектре.