Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Экранирующие свойства оптически прозрачных тонкопленочных сэндвич-структур In2O3/Ag/In2O3
Ministry of Science and Higher Education of the Russian Federation , FSFN-2024-0066
1Сибирский федеральный университет, Красноярск, Россия 
2Московский государственный технический университет им. Н.Э. Баумана, Москва, Россия
3Федеральный исследовательский центр Красноярский научный центр СO РАН, Красноярск, Россия
4ООО "Спецтехнаука", Красноярск, Россия
5Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук, Красноярск, Россия
2Московский государственный технический университет им. Н.Э. Баумана, Москва, Россия
3Федеральный исследовательский центр Красноярский научный центр СO РАН, Красноярск, Россия
4ООО "Спецтехнаука", Красноярск, Россия
5Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук, Красноярск, Россия
Email: a.voronin1988@mail.ru
Поступила в редакцию: 9 сентября 2024 г.
В окончательной редакции: 24 декабря 2024 г.
Принята к печати: 26 декабря 2024 г.
Выставление онлайн: 21 апреля 2025 г.
Проведены синтез и комплексное исследование оптоэлектрических и экранирующих свойств оптически прозрачных проводящих сэндвич-структур In2O3/Ag/In2O3 на гибкой подложке из полиэтилентерефталата. Изучена взаимосвязь между толщиной слоя серебра и оптоэлектрическими параметрами сэндвич-структур In2O3/Ag/In2O3. Измерение коэффициентов пропускания и отражения в диапазоне 0.01-7 GHz показало четкую корреляцию между поверхностным сопротивлением и коэффициентом пропускания. Показано, что полученные результаты могут быть описаны моделью тонкого слоя в диапазоне 0.01-7 GHz. Ключевые слова: прозрачные проводящие покрытия, экранирование, радиоволны, гибкая электроника.
- M. Morales-Masis, S. De Wolf, R. Woods-Robinson, J.W. Ager, C. Ballif, Adv. Electron. Mater., 3 (5), 1600529 (2017). DOI: 10.1002/aelm.201600529
- D. Tan, C. Jiang, Q. Li, S. Bi, X. Wang, J. Song, J. Mater. Sci.: Mater. Electron., 32, 25603 (2021). DOI: 10.1007/s10854-021-05409-4
- А.С. Воронин, Ю.В. Фадеев, И.В. Говорун, А.С. Волошин, И.А. Тамбасов, М.М. Симунин, С.В. Хартов, Письма в ЖТФ, 47 (5), 31 (2021). DOI: 10.21883/PJTF.2021.05.50674.18496 [A.S. Voronin, Y.V. Fadeev, I.V. Govorun, A.S. Voloshin, I.A. Tambasov, M.M. Simunin, S.V. Khartov, Tech. Phys. Lett., 47, 259 (2021). DOI: 10.1134/S1063785021030159]
- A.K. Akhmedov, E.K. Murliev, A.S. Asvarov, A.E. Muslimov, V.M. Kanevsky, Coatings, 12 (10), 1583 (2022). DOI: 10.3390/coatings12101583
- A.K. Akhmedov, A.K. Abduev, V.M. Kanevsky, A.E. Muslimov, A.S. Asvarov, Coatings, 10 (3), 269 (2020). DOI: 10.3390/coatings10030269
- H. Matsunami, S. Matsumoto, T. Tanaka, Jpn. J. Appl. Phys., 16, 1491 (1977). DOI: 10.1143/JJAP.16.1491
- N. Ren, J. Zhu, S. Ban, AIP Adv., 7, 055009 (2017). DOI: 10.1063/1.4982919
- A. Osipkov, M. Makeev, E. Konopleva, N. Kudrina, L. Gorobinskiy, P. Mikhalev, D. Ryzhenko, G. Yurkov, Materials, 14 (23), 7178 (2021). DOI: 10.3390/ma14237178
- C.A. Klein, Proc. SPIE, 1112 (1989). DOI: 10.1117/12.960783
