Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Симметрия локального окружения атомов германия в аморфных пленках Ge2Sb2Te5
Марченко А.В.
1, Теруков Е.И.
2,3, Насрединов Ф.С.
4, Петрушин Ю.А.
1, Серегин П.П.
1
1Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия 
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
4Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
4Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
Email: al7140@mail.ru, eug.terukov@mail.ioffe.ru, nasfas@mail.ru, uraordie@mail.ru, ppseregin@mail.ru
Поступила в редакцию: 2 декабря 2024 г.
В окончательной редакции: 2 декабря 2024 г.
Принята к печати: 30 декабря 2024 г.
Выставление онлайн: 21 апреля 2025 г.
Методом мессбауэровской спектроскопии на изотопе 73Ge продемонстрирована тетраэдрическая симметрия локального окружения атомов германия в аморфных пленках Ge2Sb2Te5. Ключевые слова: фазовая память, Ge2Sb2Te5, мессбауэровская спектроскопия.
- A.V. Kolobov, P. Fons, J. Tominaga, A.I. Frenkel, A.L. Ankudinov, T. Uruga, Nat. Mater., 3 (10), 703 (2004). DOI: 10.1038/nmat1215
- D.A. Baker, M.A. Paesler, G. Lucovsky, S.C. Agarwal, P.C. Taylor, Phys. Rev. Lett., 96, 255501 (2006). DOI: 10.1103/PhysRevLett.96.255501
- S. Caravati, M. Bernasconi, Appl. Phys. Lett., 91, 171906 (2007). DOI: 10.1063/1.2801626
- Q. Liu, X.B. Li, L. Zhang, Y.Q. Cheng, Z.G. Yan, M. Xu, X.D. Han, S.B. Zhang, Z. Zhang, E. Ma, Phys. Rev. Lett., 106, 025501 (2011). DOI: 10.1103/PhysRevLett.106.025501
- A. Bouzid, G. Ori, M. Boero, E. Lampin, C. Massobrio, Phys. Rev. B, 96, 224204 (2017). DOI: 10.1103/PhysRevB.96.224204
- J.R. Stellhorn, S. Hosokawa, S. Kohara, Anal. Sci., 36, 5 (2020). DOI: 10.2116/analsci.19SAR02
- А.В. Марченко, Е.И. Теруков, Ф.С. Насрединов, Ю.А. Петрушин, П.П. Серегин, ЖТФ, 92 (11), 1678 (2022). DOI: 10.21883/JTF.2022.11.53441.186-2 [A.V. Marchenko, E.I. Terukov, F.S. Nasredinov, Yu.A. Petrushin, P.P. Seregin, Tech. Phys., 68 (Suppl. I), 88 (2023). DOI: 10.1134/S1063784223090104]
- L. Pfeiffer, T. Kovacs, Phys. Rev. В, 23, 5725 (1981). DOI: 10.1103/PhysRevB.23.5725
- L. Pfeiffer, T. Kovacs, G.K. Celler, J.M. Gibson, M.E. Lines, Phys. Rev. B, 27, 4018 (1983). DOI: 10.1103/PhysRevB.27.4018
- A. Svane, J. Phys. C, 21, 5369 (1988). DOI: 10.1088/0022-3719/21/31/008
- А.Р. Регель, П.П. Серегин, ФТП, 18 (7), 1153 (1984). [A.R. Regel, P.P. Seregin, Sov. Phys. Semicond., 18, 723 (1984).]
