Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2025, выпуск 9 » Статья стр. 18
<<<>>>
Исследования структурных и электронных свойств слоев InP, сформированных методом плазмохимического атомно-слоевого осаждения на Si-подложке с подслоем GaP
Российский научный фонд, 24-19-00150
Гудовских А.С. 1,2, Баранов А.И. 1, Уваров А.В. 1, Вячеславова Е.А. 1, Максимова А.А. 1,2, Кириленко Д.А.3, Яковлев Г.Е.2, Зубков В.И.2
1Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
3Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: gudovskikh@spbau.ru
Поступила в редакцию: 27 ноября 2024 г.
В окончательной редакции: 4 января 2025 г.
Принята к печати: 10 января 2025 г.
Выставление онлайн: 21 апреля 2025 г.
PDF версия
Проведены исследования структурных и электронных свойств слоев InP и границы раздела GaP/InP, сформированных методом плазмохимического атомно-слоевого осаждения на Si-подложке. При росте InP на Si-подложке с подслоем GaP (20 nm) наблюдается резкая граница раздела InP/GaP и сохранение свойств границы раздела GaP/Si. Измерения профилей концентрации носителей заряда с помощью электрохимического вольт-фарадного профилирования для InP/GaP/Si-гетероструктуры позволили провести оценку величины разрыва зон Δ EC на границе GaP/InP, составляющей 0.55± 0.05 eV. Ключевые слова: фосфид индия, фосфид галлия, интерфейс, атомно-слоевое осаждение.
  1. J.D. Song, Y.-W. Ok, J.M. Kim, Y.T. Lee, T.-Y. Seong, J. Appl. Phys., 90 (10), 5086 (2001). DOI: 10.1063/1.1412267
  2. S.J. Kim, K. Asahi, K. Asami, M. Takemoto, M. Fudeta, S. Gonda, Appl. Surf. Sci., 130-132, 729 (1998). DOI: 10.1016/S0169-4332(98)00145-7
  3. R. Balasubramanian, V. Sichkovskyi, C. Corley-Wiciak, F. Schnabel, L. Popilevsky, G. Atiya, I. Khanoknkin, A.J. Willoger, O. Eyal, G. Eisenstein, J.P. Reithmaier, Semicond. Sci. Technol., 37 (5), 055005 (2022). DOI: 10.1088/1361-6641/ac5d10
  4. M.-S. Park, M. Rezaeei, I. Nia, R. Brown, S. Bianconi, C.L. Tan, H. Mohseni, Opt. Mater. Expess, 8 (2), 413 (2018). DOI: 10.1364/OME.8.000413
  5. P. Dhingra, P. Su, B.D. Li, R.D. Hool, A.J. Muhowski, M. Kim, D. Wasserman, J. Dallesasse, M.L. Lee, Optica, 8 (11), 1495 (2021). DOI: 10.1364/OPTICA.443979
  6. F. Hatami, W.T. Masselink, L. Schrottke, J.W. Tomm, V. Talalaev, C. Kristukat, A.R. Goni, Phys. Rev. B, 67, 08530610 (2003). DOI: 1103/PhysRevB.67.085306
  7. F. Hatami, W.T. Masselink, J.S. Harris, Nanotechnology,  17, 3703 (2006). DOI: 10.1088/0957-4484/17/15/014
  8. R. Kapadia, Z. Yu, H.-H.H. Wang, M. Zheng, C. Battaglia, M. Hettick, D. Kiriya, K. Takei, P. Lobaccaro, J.W. Beeman, J.W. Ager, R. Maboudian, D.C. Chrzan, A. Javey, Sci. Rep., 3, 2275 (2013). DOI: 10.1038/srep02275
  9. W. Metaferia, Y.-T. Sun, S.M. Pietralunga, M. Zani, A. Tagliaferri, S. Lourdudoss, J. Appl. Phys., 116, 033519 (2014). DOI: 10.1063/1.4890718
  10. А.С. Гудовских, А.В. Уваров, А.И. Баранов, Е.А. Вячеславова, А.А. Максимова, Д.А. Кириленко, ФТП, 57 (6), 406 (2023). DOI: 10.61011/FTP.2023.06.56466.22k [A.S. Gudovskikh, A.V. Uvarov, A.I. Baranov, E.A. Vyacheslavova, A.A. Maksimova, D.A. Kirilenko, Semiconductors, 58 (2), 134 (2024). DOI: 10.1134/S1063782624020076]
  11. A.V. Uvarov, A.S. Gudovskikh, V.N. Nevedomskiy, A.I. Baranov, D.A. Kudryashov, I.A. Morozov, J.-P. Kleider, J. Phys. D, 53, 345105 (2020). DOI: 10.1088/1361-6463/ab8bfd
  12. A.S. Gudovskikh, A.I. Baranov, A.V. Uvarov, D.A. Kudryashov, J.-P. Kleider, J. Phys. D, 55 (13), 135103 (2022). DOI: 10.1088/1361-6463/ac41fa
  13. S.R. Forrest, in Heterojunction band discontinuities: physics and device applications (Elsevier, 1987), p. 311
  14. G. Yakovlev, V. Zubkov, J. Solid State Electrochem., 25, 797 (2021). DOI: 10.1007/s10008-020-04855-0
  15. R. Varache, C. Leendertz, M.E. Gueunier-Farret, J. Haschke, D. Munoz, L. Korte, Solar Energy Mater. Solar Cells, 141, 14 (2015). DOI: 10.1016/j.solmat.2015.05.014
  16. А.И. Баранов, А.В. Уваров, А.А. Максимова, Е.А. Вячеславова, Н.А. Калюжный, С.А. Минтаиров, Р.А. Салий, Г.Е. Яковлев, В.И. Зубков, А.С. Гудовских, Письма в ЖТФ, 49 (6), 16 (2023). DOI: 10.21883/PJTF.2023.06.54810.19404 [A.I. Baranov, A.V. Uvarov, A.A. Maksimova, E.A. Vyacheslavova, N.A. Kalyuzhnyy, S.A. Mintairov, R.A. Salii, G.E. Yakovlev, V.I. Zubkov, A.S. Gudovskikh, Tech. Phys. Lett., 49 (Suppl. 3), S163 (2023). DOI: 10.1134/S1063785023900649]
  17. Y. Foulon, C. Priester, Phys. Rev. B, 45, 6259 (1992). DOI: 10.1103/PhysRevB.45.6259
  18. G. Armelles, M.C. Munoz, M.I. Alonso, Phys. Rev. B, 47, 16299 (1993). DOI: 10.1103/PhysRevB.47.16299
  19. A.R. Goni, C. Kristukat, F. Hatami, S. Dresler, W.T. Masselink, C. Thomsen, Phys. Rev. B, 67, 075306 (2003). DOI: 10.1103/PhysRevB.67.075306

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme