Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2025, выпуск 9 » Статья стр. 45
<<<>>>
Самокаталитический рост GaInP-наноструктур на кремнии из паровой фазы
Карлина Л.Б.1, Власов А.С. 1, Левин Р.В.1, Малевская А.В.1, Забродский В.В.1, Сошников И.П.1,2,3
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский национально-исследовательский академический университет им. Ж.И. Алферова РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Email: karlin@mail.ioffe.ru, vlasov@scell.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 22 ноября 2024 г.
В окончательной редакции: 16 января 2025 г.
Принята к печати: 20 января 2025 г.
Выставление онлайн: 21 апреля 2025 г.
PDF версия
Представлены результаты исследования нитевидных наноструктур GaInP, впервые полученных методом самокаталитического роста из насыщенных паров фосфора и индия в квазизамкнутом объеме на подложках кремния ориентации (111). Методами растровой электронной микроскопии изучены морфология и состав полученных структур. Обнаружено, что присутствие кремния в каталитических каплях галлия оказывает влияние на морфологию, состав наноструктур. Исследованы колебательные свойства полученных наноструктур. Ключевые слова: нитевидные наноструктуры GaInP, рост механизма пар-жидкость-кристалл из паровой фазы, A3B5 на Si.
  1. S. Saurabh, M.Kh. Hossain, S. Singh, S.K. Agnihotria, D.P. Samajdar, RSC Adv., 13, 9878 (2023). DOI: 10.1039/d3ra00039g
  2. Л.Б. Карлина, А.С. Власов, И.В. Илькив, А.В. Вершинин, И.П. Сошников, ФТП, 57 (7), 530 (2023). DOI: 10.61011/FTP.2023.07.56783.5037C [L.B. Karlina, A.S. Vlasov, I.V. Ilkiv, A.V. Vershinin, I.P. Soshnikov, Semiconductors, 57 (7), 521 (2023). DOI: 10.61011/SC.2023.07.57414.5037C]
  3. A.S. Vlasov, L.B. Karlina, B.Ya. Ber, N.A. Bert, M.E. Boiko, D.Y. Kazantsev, A.A. Levin, A.B. Smirnov, I.P. Smirnova, I.P. Soshnikov, Mater. Today Commun., 31, 103232 (2022). DOI: 10.1016/j.mtcomm.2022.103232
  4. M.K. Sunkara, S. Sharma, R. Miranda, G. Lian, E.C. Dickey, Appl. Phys. Lett., 79 (10), 1546 (2001). DOI: 10.1063/1.1401089
  5. Ю.П. Хухрянский, В.И. Пантелеев, Неорган. материалы, 13 (5), 785 (1977)
  6. H. Hijazi, M. Zeghouane, V.G. Dubrovskii, Nanomaterials, 11, 83 (2021) DOI: 10.3390/nano11010083
  7. G. Miao, D. Zhang, Nanoscale Res. Lett., 7 (1), 321 (2012). DOI: 10.1186/1556-276X-7-321
  8. С.А. Кукушкин, А.В. Осипов, А.В. Редьков, В.М. Стожаров, Е.В. Убыйвовк, Ш.Ш. Шарофидинов, Письма в ЖТФ, 48 (4), 24 (2022). DOI: 10.21883/PJTF.2022.04.52080.19056 [S.A. Kukushkin, A.V. Osipov, A.V. Redkov, V.M. Stozharov, E.V. Ubiyvovk, Sh.Sh. Sharofidinov, Tech. Phys. Lett., 48 (2), 65 (2022). DOI: 10.21883/TPL.2022.02.53584.19056].
  9. V.O. Gridchin, K.P. Kotlyar, E.V. Ubyivovk, V.V. Lendyashova, A.S. Dragunova, N.V. Kryzhanovskaya, D.S. Shevchuk, R.R. Reznik, S.A. Kukushkin, G.E. Cirlin, ACS Appl. Nano Mater., 7 (15), 17460 (2024). DOI: 10.1021/acsanm.4c02561
  10. I. Mediavilla, J.L. Pura, V.G. Hinojosa, B. Galiana, L. Hrachowina, M.T. Borgstrom, J. Jimenez, ACS Nano, 18, 10113 (2024). DOI: 10.1021/acsnano.3c12973
  11. O. Pages, A. Chafi, D. Fristot, A.V. Postnikov, Phys. Rev. B, 73, 165206 (2006). DOI: 10.1103/PhysRevB.73.165206

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme