Методика получения Ge/Si(001) самоформирующихся нанопроволок для реализации на их основе дырочных спиновых кубитов
Госзадание ИФМ РАН, FFUF-2024-0019
Юрасов Д.В.1, Шалеев М.В.1, Новиков А.В.1
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия

Email: Inquisitor@ipmras.ru, shaleev@ipmras.ru, anov@ipmras.ru
Поступила в редакцию: 4 июля 2025 г.
В окончательной редакции: 8 августа 2025 г.
Принята к печати: 12 августа 2025 г.
Выставление онлайн: 13 октября 2025 г.
Предложена методика получения методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложке Si(001) самоформирующихся Ge нанопроволок. Подход основан на осаждении в двух зонах подложки различного количества Ge и контроле поверхности одной из зон методом дифракции быстрых электронов, что позволяет осаждать произвольно близкое к критической толщине псевдоморфного роста количество Ge в другой зоне. Совместно с оптимизированными условиями постростового отжига это позволило получить Ge нанопроволоки с различными параметрами, в том числе с длиной более 0.5 μm и низкой поверхностной плотностью, морфология которых удовлетворяет требованиям для формирования на их основе дырочных спиновых кубитов. Ключевые слова: SiGe гетероструктуры, молекулярно-пучковая эпитаксия, самоформирующиеся островки, нанопроволоки.
- N.P. de Leon, K.M. Itoh, D. Kim, K.K. Mehta, T.E. Northup, H. Paik, B.S. Palmer, N. Samarth, S. Sangtawesin, D.W. Steuerman, Science, 372, eabb282 (2021). DOI: 10.1126/science.abb2823
- G. Scapucci, C. Kloeffel, F.A. Zwanenburg, D. Loss, M. Myronov, J.-J. Zhang, S. De Franceschi, G. Katsaros, M. Veldhorst, Nat. Rev. Mater., 6, 926 (2021). DOI: 10.1038/s41578-020-00262-z
- H. Watzinger, J. Kukucka, L. Vukuvsic, F. Gao, T. Wang, F. Schaffler, J.-J. Zhang, G. Katsaros, Nat. Commun., 9, 3908 (2018). DOI: 10.1038/s41467-018-06418-4
- J.J. Zhang, G. Katsaros, F. Montalenti, D. Scopece, R.O. Rezaev, C. Mickel, B. Rellinghaus, L. Miglio, S. De Franceschi, A. Rastelli, O.G. Schmidt, Phys. Rev. Lett., 109, 085502 (2012). DOI: 10.1103/PhysRevLett.109.085502
- J.J. Zhang, A. Rastelli, O.G. Schmidt, D. Scopece, L. Miglio, F. Montalenti, Appl. Phys. Lett., 103, 083109 (2013). DOI: 10.1063/1.4818717
- J. Aberl, L. Vukusic, F. Fournel, J.-M. Hartmann, M. Brehm, Phys. Status Solidi A, 219, 2200145 (2022). DOI: 10.1002/pssa.202200145
- G.H. Lu, M. Cuma, F. Liu, Phys. Rev. B, 72, 125415 (2005). DOI: 10.1103/PhysRevB.72.125415
- K. Wang, G. Xu, F. Gao, H. Liu, R.-L. Ma, X. Zhang, Z. Wang, G. Cao, T. Wang, J.-J. Zhang, D. Culcer, X. Hu, H.-W. Jiang, H.-O. Li, G.-C. Guo, G.-P. Guo, Nat. Commun., 13, 206 (2022). DOI: 10.1038/s41467-021-27880-7
- Д.В. Юрасов, А.В. Новиков, М.В. Шалеев, М.Н. Дроздов, Е.В. Демидов, А.В. Антонов, Л.В. Красильникова, Д.А. Шмырин, П.А. Юнин, З.Ф. Красильник, С.В. Ситников, Д.В. Щеглов, Письма в ЖТФ, 50 (10), 22 (2024). DOI: 10.61011/PJTF.2024.10.57767.19813 [D.V. Yurasov, A.V. Novikov, M.V. Shaleev, M.N. Drozdov, E.V. Demidov, A.V. Antonov, L.V. Krasilnikova, D.A. Shmyrin, P.A. Yunin, Z.F. Krasilnik, S.V. Sitnikov, D.V. Sheglov, Tech. Phys. Lett., 50 (5), 56 (2024). DOI: 10.61011/TPL.2024.05.58424.19813]
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.