Вышедшие номера
Методика получения Ge/Si(001) самоформирующихся нанопроволок для реализации на их основе дырочных спиновых кубитов
Госзадание ИФМ РАН, FFUF-2024-0019
Юрасов Д.В.1, Шалеев М.В.1, Новиков А.В.1
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Email: Inquisitor@ipmras.ru, shaleev@ipmras.ru, anov@ipmras.ru
Поступила в редакцию: 4 июля 2025 г.
В окончательной редакции: 8 августа 2025 г.
Принята к печати: 12 августа 2025 г.
Выставление онлайн: 13 октября 2025 г.

Предложена методика получения методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложке Si(001) самоформирующихся Ge нанопроволок. Подход основан на осаждении в двух зонах подложки различного количества Ge и контроле поверхности одной из зон методом дифракции быстрых электронов, что позволяет осаждать произвольно близкое к критической толщине псевдоморфного роста количество Ge в другой зоне. Совместно с оптимизированными условиями постростового отжига это позволило получить Ge нанопроволоки с различными параметрами, в том числе с длиной более 0.5 μm и низкой поверхностной плотностью, морфология которых удовлетворяет требованиям для формирования на их основе дырочных спиновых кубитов. Ключевые слова: SiGe гетероструктуры, молекулярно-пучковая эпитаксия, самоформирующиеся островки, нанопроволоки.
  1. N.P. de Leon, K.M. Itoh, D. Kim, K.K. Mehta, T.E. Northup, H. Paik, B.S. Palmer, N. Samarth, S. Sangtawesin, D.W. Steuerman, Science, 372, eabb282 (2021). DOI: 10.1126/science.abb2823
  2. G. Scapucci, C. Kloeffel, F.A. Zwanenburg, D. Loss, M. Myronov, J.-J. Zhang, S. De Franceschi, G. Katsaros, M. Veldhorst, Nat. Rev. Mater., 6, 926 (2021). DOI: 10.1038/s41578-020-00262-z
  3. H. Watzinger, J. Kukucka, L. Vukuvsic, F. Gao, T. Wang, F. Schaffler, J.-J. Zhang, G. Katsaros, Nat. Commun., 9, 3908 (2018). DOI: 10.1038/s41467-018-06418-4
  4. J.J. Zhang, G. Katsaros, F. Montalenti, D. Scopece, R.O. Rezaev, C. Mickel, B. Rellinghaus, L. Miglio, S. De Franceschi, A. Rastelli, O.G. Schmidt, Phys. Rev. Lett., 109, 085502 (2012). DOI: 10.1103/PhysRevLett.109.085502
  5. J.J. Zhang, A. Rastelli, O.G. Schmidt, D. Scopece, L. Miglio, F. Montalenti, Appl. Phys. Lett., 103, 083109 (2013). DOI: 10.1063/1.4818717
  6. J. Aberl, L. Vukusic, F. Fournel, J.-M. Hartmann, M. Brehm, Phys. Status Solidi A, 219, 2200145 (2022). DOI: 10.1002/pssa.202200145
  7. G.H. Lu, M. Cuma, F. Liu, Phys. Rev. B, 72, 125415 (2005). DOI: 10.1103/PhysRevB.72.125415
  8. K. Wang, G. Xu, F. Gao, H. Liu, R.-L. Ma, X. Zhang, Z. Wang, G. Cao, T. Wang, J.-J. Zhang, D. Culcer, X. Hu, H.-W. Jiang, H.-O. Li, G.-C. Guo, G.-P. Guo, Nat. Commun., 13, 206 (2022). DOI: 10.1038/s41467-021-27880-7
  9. Д.В. Юрасов, А.В. Новиков, М.В. Шалеев, М.Н. Дроздов, Е.В. Демидов, А.В. Антонов, Л.В. Красильникова, Д.А. Шмырин, П.А. Юнин, З.Ф. Красильник, С.В. Ситников, Д.В. Щеглов, Письма в ЖТФ, 50 (10), 22 (2024). DOI: 10.61011/PJTF.2024.10.57767.19813 [D.V. Yurasov, A.V. Novikov, M.V. Shaleev, M.N. Drozdov, E.V. Demidov, A.V. Antonov, L.V. Krasilnikova, D.A. Shmyrin, P.A. Yunin, Z.F. Krasilnik, S.V. Sitnikov, D.V. Sheglov, Tech. Phys. Lett., 50 (5), 56 (2024). DOI: 10.61011/TPL.2024.05.58424.19813]

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.