Журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Термоупругие напряжения, действующие в системах скольжения при выращивании из расплава методом Степанова (EFG) ленточных кристаллов оксида галлия
Крымов В.М.
1, Галактионов Е.В.
1, Бахолдин С.И.1, Шапенков С.В.
1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Email: V.Krymov@mail.ioffe.ru, evgalakt@mail.ru, seva.shapenkov@yandex.ru
Поступила в редакцию: 30 апреля 2025 г.
В окончательной редакции: 4 июня 2025 г.
Принята к печати: 4 июня 2025 г.
Выставление онлайн: 10 ноября 2025 г.
Исследовано влияние анизотропии свойств кристалла оксида галлия на величину и распределение касательных напряжений, действующих в системах скольжения. Приведен алгоритм расчета касательных напряжений для кристаллов моноклинной сингонии. Найдены эквивалентные системы скольжения. Проведено сравнение распределений касательных термоупругих напряжений в различных системах скольжения для тонких кристаллических пластин оксида галлия, выращиваемых из расплава методом Степанова. Обнаружена корреляция расчетных касательных напряжений в ленте с ориентацией [010] (210) с экспериментальными данными по дислокационной структуре. Ключевые слова: моноклинная сингония, матрица перехода, эквивалентные системы.
- Z. Chi, J. Asher, M.R. Jennings, E. Chikoidze, A. Perez-Tomas. Materials, 15 (3), 1164 (2022). DOI: 10.3390/ma15031164
- K. Nakai, T. Nagai, K. Noami, T. Futagi. Jpn. J. Appl. Phys., 54 (5), 051103 (2015). DOI: 10.7567/JJAP.54.051103
- H. Yamaguchi, A. Kuramata, T. Masui. Superlattices and Microstructures, 99, 99 (2016). DOI: 10.1016/j.spmi.2016.04.030
- O. Ueda, N. Ikenaga, K. Koshi, K. Iizuka, A. Kuramata, K. Hanada, T. Moribayashi, S. Yamakoshi, M. Kasu. Jpn. J. Appl. Phys., 55 (12), 1202BD (2016). DOI: 10.7567/JJAP.55.1202BD
- Y. Yao, Y. Ishikawa, Y. Sugawara. Jpn. J. Appl. Phys., 59 (12), 125501 (2020). DOI: 10.35848/1347-4065/abc1aa
- Y. Wang, M. Zhu, Y. Liu. China Foundry, Special Rev., 21, 491 (2024). DOI: 10.1007/s41230-024-4131-5
- С.И. Бахолдин, Е.В. Галактионов, В.М. Крымов. Изв. АН, сер. физ., 63 (9), 1816 (1999)
- С.И. Бахолдин, Е.В. Галактионов, В.М. Крымов. ЖТФ, 93 (12), 1708 (2023). DOI: 10.61011/JTF.2023.12.56800.f249-23 [S.I. Bakholdin, E.V. Galaktionov, V.M. Krymov. Tech. Phys., 68 (12), 1584 (2023).]
- В.М. Крымов, Е.В. Галактионов, С.И. Бахолдин. ЖТФ, 94 (12), 1955 (2024). DOI: 10.61011/JTF.2024.12.59232.343-24 [V.M. Krymov, E.V. Galaktionov, S.I. Bakholdin. Tech. Phys., 69 (12), 1809 (2024).]
- Ю.И. Сиротин, М.П. Шаскольская. Основы кристаллофизики (Наука, М., 1979), с. 134
- Б.К. Вайнштейн. Современная кристаллография (Наука, М., 1979), т. 1, с. 221
- W. Miller, K. Bottcher, Z. Galazka, J. Schreuer. Crystals, 7 (1), 26 (2017). DOI: 10.3390/cryst7010026
- И.Е. Зино, Э.А. Тропп. Асимптотические метолы в задачах теории теплопроводности и термоупругости (Изд-во ЛГУ, Л., 1978)
